大尺寸

摘要： 通过对哈萨克斯坦石油一体化(IPCI)项目中的核心设备——丙烷丙烯分离塔的特点进行综合分析,优选出MYDQ3200单门架主吊、750t履带吊溜尾的吊装方案。根据方案中单门架液压提升器的布置方式特点,设计出十字转换吊具,创新性地采用液压提升专用吊具和钢丝绳圈软连接配合的方式,使设备吊耳与液压提升器实现连接。对MYDQ3200单门架拆装方案进行优化,提出门架倒装正拆的施工方案,缩短了施工工期,为超重类、大直径、大尺寸设备安装提供了一种解决方案,这也是6400t液压复式起重机功能扩展的成功应用。

摘要： 波斯湾某探井C-1井身结构较为复杂,为了能够成功钻至目的层系,需使用大尺寸井眼Φ558.8mm钻穿白垩系地层。地层可钻性差,钻进期间多次钻遇燧石和硬石膏夹层,钻具震动严重,导致底部钻具组合多次疲劳断裂。通过分析研究,选用合适的尺寸的打捞工具,成功打捞出落井钻具,恢复正常钻进,最大程度降低了作业损失,从而避免了井眼报废的严重后果。断钻具事故的发生及处理过程为后续该海域同类型井的作业提供了宝贵的经验和教训。

摘要： 近年来,液压顶升平台翻模技术在垃圾焚烧电厂烟囱筒身施工中的应用日益增多。对于超高大尺寸烟囱施工,采用滑模技术很难满足质量安全及工期要求。本文以某垃圾焚烧电厂为例,采用液压顶升平台翻模施工技术进行烟囱筒身结构施工,避免了滑模施工对混凝土成型质量及烟囱整体稳定性的影响,经实践证明在质量安全进度方面可控。

摘要： 随着全玻璃幕墙尺寸不断朝着更高、更大、更重的方向突破,如何安全、有效地加工、运输及安装全玻璃幕墙,成为亟待研究的重要内容。结合工程应用案例,深入分析对比当前全玻璃幕墙的加工及施工工艺,形成了创新工艺,为同类大尺寸全玻璃幕墙的推广应用提供了参考。

摘要： 为制备大尺寸高密度ITO靶材,采用冷等静压及常压高温烧结的方法,制备了尺寸为1500 mm的ITO靶材,同时研究了ITO粉末的松装密度、冷等静压压力、烧结温度和保温时间等因素对靶材密度的影响。结果表明:当ITO粉末松装密度较大及粉体颗粒较小时,所制备的靶材相对密度更高;在冷等静压压力300 MPa、烧结温度1580°C、保温时间20 h的条件下,制备靶材的相对密度可达99.71%。表明上述工艺可以实现尺寸为1500 mm的大尺寸ITO靶材的制备,并且靶材相对密度较高。

摘要： 随着大面阵红外探测器技术研究越来越深入,大尺寸红外探测器材料技术成为制约红外探测器技术发展的重要环节。本文介绍了Sofradir公司、Teledyne公司、Raytheon公司、AIM公司红外探测器材料研究的现状,从生长方式、衬底选择等方向分析大尺寸碲镉汞材料研究现状与趋势。

摘要： 切割工序是大尺寸环形叠层薄膜电容器生产的关键工序。通过检查切割断面,发现表面粗糙度偏高,表面发黑甚至有划痕。观察锯缝处,颗粒状屑和块状渣的堆积比较严重,影响了切割质量。通过对比大尺寸产品与小尺寸产品,并对切屑产生及影响进行分析。采用加强过滤、定向吹扫和吸尘系统相结合的方法,对锯缝及切割区域的切屑进行清理。经过生产验证,改进后切割的产品,其切割断面表面粗糙度降低,表面洁净,润滑膜涂覆均匀,抽样检测样品的绝缘电阻值,数值普遍提高。这样,切割质量得以稳定提高,满足了使用要求。

摘要： 基于缩短工期、便于施工、降低交通影响、保护环境等目的,越来越多的城市高速公路或市政高架桥梁工程采用分节段安装大尺寸、大质量预制盖梁.当采用钢扁担联合螺纹钢筋固定工艺安装"浦星公路跨芦恒路节点改造新建工程"580 t盖梁P1时,不仅各项安全指标验算结果表明该工艺可靠,而且实施效果较佳,较计划工期提前.该工艺可行性较强,既是对目前湿接法工艺的补充和完善,也为同行业者提供一定的参考与借鉴.

摘要： 陶瓷柱栅阵列(Column Ceramic Gray Array,CCGA)封装器件具有电热性能良好以及高密度互联的特点,在航天型号任务中应用广泛。现这类器件的应用最大尺寸为35 mm×35 mm,而更大尺寸CCGA封装器件应用报道还不多。尺寸增加,器件质量进一步增加,力学性能变差,对其加固工艺提出更高要求。以45 mm×45 mm尺寸CCGA器件为研究对象,对其加固工艺进行了研究。设计了带菊花链导电通路的电路板,通过热循环及随机振动试验,对两种工艺进行了对比。结果表明,仅四角采用环氧胶加固,Z向随机振动后,某些通道电阻值显著增加,焊点有贯穿性裂纹。采用四角环氧胶粘+灌封硅橡胶的加固方式,试验后通道电阻值未发生变化,焊点虽有裂纹,但未贯穿,抗振性能提升显著。

摘要： 电化学阻抗谱(Electrochemical Impedance Spectroscopy,EIS)作为一种原位/非原位的电化学表征技术,在固体氧化物燃料电池(Solid Oxide Fuel Cell,SOFC)尤其是小尺寸电池的研究中得到了广泛应用,而工业大尺寸电池的EIS研究较少且大多基于小尺寸电池的研究结果。本文对工业尺寸(10 cm×10 cm)阳极支撑平板式SOFC搭建了EIS测试系统,并改变电池运行温度、阳极/阴极气体组分,对该电池进行了系统的EIS测试,而后采用不基于先验假设的弛豫时间分布法(Distribution of Relaxation Times,DRT)对EIS数据进行解析。通过比较分析不同条件下的DRT结果,揭示了DRT中各特征峰与电池中具体电极过程的对应关系。与小尺寸电池相比,由于大尺寸电池的有效面积较大且入口流量较小,气体转化过程在大尺寸电池中不容忽视。本文通过解析EIS实现了对工业大尺寸SOFC单电池中各项电极过程的分辨,该方法及结果能够进一步应用于SOFC原位表征、在线监测以及衰减机理等相关研究。

摘要： 本文针对中物院二所钴源、CFBR-Ⅱ快中子脉冲反应堆辐射剂量场分布情况，设计旋转装置，试验验证和模拟计算相结合，论证了大尺寸试件进行辐照试验，其辐照不均匀性可控制在10%以内。这对进行大尺寸试件抗辐射加固性能验证试验研究有重要参考价值。

摘要： 本发明公开了一种高铌高温合金大尺寸铸锭的冶炼工艺及高铌高温合金大尺寸铸锭，用于解决高铌高温合金大尺寸铸锭的直径或重量扩大后因偏析加剧形成黑斑和白斑冶金缺陷、因热应力大造成钢锭炸裂以及因真空感应熔炼设备吨位限制造成的钢锭重量无法增大的问题。冶炼工艺包括：真空感应熔炼，制得多支成分相同的真空感应锭，进而制得相同数量的电渣电极，进行交换电渣重熔，再利用所得电渣锭制得自耗电极，然后以该自耗电极为起始原料，进行多次真空自耗重熔。采用该工艺能够实现锭重15吨以上、直径800mm以上的高铌高温合金大尺寸铸锭的制备，最大限度地抑制黑斑和白斑冶金缺陷形成，降低元素偏析程度，有效预防钢锭炸裂。

摘要： 本发明涉及一种大尺寸氮化硅轴承球的烧结方法和大尺寸氮化硅轴承球的制备方法，属于大尺寸氮化硅轴承球技术领域。本发明的大尺寸氮化硅轴承球的烧结方法，包括以下步骤：将待烧结的氮化硅球形生坯放置在托持装置上，托持装置具有对氮化硅球形生坯的下部球面进行托持的托持面，氮化硅球形生坯在下部球面被托持的条件下进行烧结，得到氮化硅轴承球烧结坯。该方法通过支撑烧结的方式对大尺寸氮化硅轴承球进行烧结，这种托持下烧结可缓解大尺寸氮化硅轴承球变形，得到的氮化硅轴承球烧结坯的尺寸精度高，表面质量好，大大提高了加工精度，为后续大尺寸高精度轴承球的加工建立基础，适应于风电轴承等需要大尺寸氮化硅轴承球的应用领域。

摘要： 本发明提供一种大尺寸单晶的收尾工艺，在等径生长结束后，依次包括S1：稳定热场温度，阶梯式提高单晶拉速并保持埚转速度不变，使单晶直径缩小至比等径直径低；S2：迅速提高加热器功率以提升热场温度，并将埚转速度降低，同时对所述S1中的单晶拉速进行阶梯式降速，所述单晶拉速降低一定速度后保持不变直至收尾结束。采用本发明收尾工艺能够在2h内完成对大尺寸单晶的收尾收尖，解决了现有收尾工艺中收尾生长效率低的问题，且并未出现断苞、结晶或位错等现象，保证产权质量，提高单晶产能。本发明还公开了一种大尺寸单晶的制备工艺。

摘要： 本发明涉及模切机领域，具体为大尺寸模切装置及大尺寸显示屏光学膜加工方法。大尺寸模切装置，包括：机架，所述机架至少具有上模座及下模座；以及包括主电机；传送架，所述传送架至少具有传送带；所述传送架的进料端的两侧分别设有固定连接的至少一个安装托架，所述安装托架设有传送轮；所述上模座的下方两侧分别设有托板；每一个所述托板的两端分别设有固定安装于所述上模座的第一伺服电机，每一个所述第一伺服电机的电机轴分别固定安装有第一丝杆；第一滑块，所述第一滑块具有与所述丝杆螺纹连接的第一螺孔；所述第一滑块通过所述第一螺孔螺纹安装于所述第一丝杆；包括与所述丝杆平行设置的第一滑轨；刀模，所述刀模安装于所述托板及所述上模座之间。

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种大尺寸硅片的切割方法和大尺寸硅片的切割设备。该方法包括：控制待切割的硅棒移动至切割线网的切割零点位置；控制硅棒向切割线网移动，并控制切割线沿导辊组件的周向作周期性的往复运动切割硅棒，得到多个大尺寸硅片；其中，切割线在第一个切割周期的进线过程切入硅棒的深度为目标深度，切割线沿导辊组件周向的第一转动方向运动对应进线过程，切割线沿导辊组件周向的第二转动方向运动对应返线过程，第一转动方向和第二转动方向相反，每个切割周期包括进线过程和返线过程。该方法控制切割线在第一个切割周期进线过程切入硅棒的深度达到目标深度，防止切割线抖动对大尺寸硅片的厚度和TTV的均匀性造成影响。

摘要： 本发明涉及一种大尺寸六方氮化硼的制备方法以及大尺寸六方氮化硼，所述大尺寸六方氮化硼的制备方法包括步骤：制备六方氮化硼晶种，然后在所述六方氮化硼晶种的基础上迭代生长，制得大尺寸六方氮化硼。本发明采用迭代生长的方式，在制得的六方氮化硼晶种的基础上继续生长，最终得到大尺寸的六方氮化硼；保证了制得的大尺寸六方氮化硼晶粒的质量稳定性，使得大尺寸六方氮化硼能够满足高导热低介电绝缘氮化硼复合材料的市场需求；以所述六方氮化硼晶种为生长基础继续生长，降低了形核能，降低了大尺寸六方氮化硼形核的温度，进而降低了生产过程中的能量消耗，使得本发明所述大尺寸六方氮化硼的制备方法操作难度低且节能高效。

摘要： 本发明涉及TPI(热塑性聚酰亚胺)制品的模压方法，具体涉及一种大尺寸TPI筒的模压模具及大尺寸TPI筒的制备方法，用于解决现有大尺寸TPI制品的制备，存在制品在成型过程中易形成缺陷，极大影响制品合格率，以及模压压缩比过大导致无法采用一般模压设备进行制备的不足之处。该大尺寸TPI筒的模压模具包括模框、压板、底板和模芯，该模压模具具有结构简单，操作便利的优点；并且固定环上设置有定位环，可有效避免热塑性塑料模压溢料问题；本发明对模压设备要求低，通用性强。同时，本发明公开一种大尺寸TPI筒的制备方法。

摘要： 本发明提供一种大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆。制作方法包括：提供一晶圆，晶圆包括若干大尺寸芯片，大尺寸芯片的大小大于光刻机的最大曝光视场；大尺寸芯片包括至少两个拼接芯片；拼接芯片包括衬底和第一金属层，第一金属层至少包括用于不同拼接芯片之间互连的待互连金属层；形成第二金属层，第二金属层至少包括片间互连金属层，片间互连金属层跨越相邻的拼接芯片之间的虚拟划片区，且分别与相邻的拼接芯片各自的待互连金属层电连接。本发明在大尺寸芯片上实现不同的拼接芯片之间的互连，小的拼接芯片通过互连功能拓展，实现大尺寸芯片级的电信号互连优化，以实现更多的功能整合，更具灵活性和兼容特性。

摘要： 本发明公开了一种大尺寸红外光学用锗窗口材料的制备装置及用其制备大尺寸红外光学用锗窗口材料的方法，包括加热系统、隔热保温系统、转动升降装置和模具装置，所述加热系统设置在隔热保温系统内，模具装置则设置在加热系统内，模具装置的底部与转动升降装置相连，所述转动升降装置的下部从加热系统和隔热保温系统底部的中心穿过，制备时主要包括了分阶段加热步骤。解决现有大尺寸锗单晶直拉生长技术存在技术难度大、工艺过程和工艺条件难以控制，锗单晶成晶率低，后续成型加工困难，运行周期长、原料用量大、生产成本高的问题。

摘要： 本实用新型揭示了一种大尺寸触控框控制系统及大尺寸触控设备，所述大尺寸触控框控制系统包括：大尺寸触摸框、伺服电路及主控电路；大尺寸触摸框的每一边包括若干触摸框单元；各触摸框单元设有至少一发射单元或/和至少一接收单元；伺服电路连接各触摸框单元，用以接收各触摸框单元的发射单元发射的数据或/和接收单元接收的数据，生成大尺寸触摸框的触摸数据；主控电路连接所述伺服电路；所述伺服电路的输出端连接所述主控电路的输入端，将生成的大尺寸触摸框的触摸数据发送至所述主控电路。本实用新型提出的大尺寸触控框控制系统及大尺寸触控设备，可减少长距离传输的数据量，提高系统的运算性能，降低系统的成本。