多线切割

摘要： 碲化铋基热电材料切片的翘曲度对热电制冷片的质量有重要影响,是多线切割过程中必须控制的质量因素。通过建立多线切片过程的顺序耦合热应变分析有限元模型,以切片表面节点位移反映切片翘曲度。首先建立温度场三维有限元模型,模拟切割过程温度场分布;然后以温度场结果为边界条件,建立热应变分析模型;按照不同的张紧力、进给速度、线速度工艺参数组合进行仿真模拟,计算出相应的翘曲度值,研究翘曲度与各工艺参数之间的关系。结果表明:张紧力增加,翘曲度减小;进给速度增加,翘曲度增大;线速度增大,翘曲度增大。

摘要： 晶片切割时产生的粗糙度,是一种在很小间距内的表面凹凸现象,它是“光滑”或“粗糙”感觉的基础。针对砷化镓晶体多线切割工艺对后续晶片加工表面质量的影响,展开了实验研究。采取对砂浆使用次数进行控制的方法,达到了减小晶片粗糙度的效果,为后续工段加工晶片减少了难度。

摘要： 多线切割广泛应用于硬脆材料的切片加工,线切后晶片的面形质量会对后续研磨抛光加工工艺产生较大影响。提出了一种针对线切片面形质量的评价指标:线切片最小加工余量(MMA);设计出MMA的测量原理,并给出具体实施方法;分析了不同工艺参数下线网不同位置处MMA的变化规律。试验结果表明,提出的评价指标能够更好地反映线切加工工艺参数对晶片面形质量的影响规律。

摘要： 介绍了SiC用多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包铜会造成SiC片表面金属残留,钢线磨损影响SiC片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了SiC片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。

摘要： 针对半导体脆硬材料的切割加工成为多线切割设备发展的突出因素,通过与传统多线切割设备轴系比对分析,设计了适合碳化硅等脆硬材料切割加工设备轴系的油气润滑方式。通过实验比对得出使用油气润滑提升了多线切割设备的工艺优越性及精密性。

摘要： 砷化镓切片的翘曲度是多线切割过程中必须控制的质量因素。通过建立多线切片过程的顺序耦合热应变分析有限元模型,以切片表面节点位移反映切片翘曲度。首先建立温度场三维有限元模型,模拟切割过程温度场分布;然后以温度场结果为边界条件,建立热应变分析模型;按照不同的张紧力、进给速度、钢线速度等工艺参数组合进行仿真模拟,计算出相应的翘曲度值,研究翘曲度与各工艺参数之间的关系。结果表明:张紧力增加,翘曲度减小;进给速度减小,翘曲度减小;线速度减小,翘曲度减小。

摘要： 太阳能作为最环保、最安全的新型能源,现代光伏行业成为继IT、微电子之后的一个重要发展行业.而太阳能发电的核心原理就是依靠太阳能电池(片),包括单晶硅、多晶硅等.这些基础材料一定要通过烦琐而重要的加工工艺才能最终生成光伏太阳能设备,而其中硅材料切片作为加工的基础环节,对于光伏设备的制作来说十分重要,因此,一定要重点研究硅片切割参数的优化.金刚石多线切割设备比一般的砂浆线锯具有更高的优势,不但工作效率更高,而且有利于碎屑的收集,能够节约成本,在行业内有较为长远的应用空间.

摘要： 制备不同SiC含量的树脂金刚石线,并进行硅片切割试验.通过记录切割过程中的扭矩和加切情况,研究不同SiC添加量对树脂金刚石线切割能力的影响.结果表明:当树脂液中SiC添加量增加时,树脂金刚石线的切割能力逐渐增强;当SiC超过一定添加量时,切割能力有所降低.试验中,树脂液中SiC的添加量为600 g/L时,树脂金刚石线切割硅片产生的切割扭矩为96 N·m,且无加切情况,其切割能力最高;此时树脂固化后的邵氏硬度为91 HD,树脂层中的SiC分散均匀,无气孔等缺陷.

摘要： 通过建立等线损切割模型,推算出等线损计算方法,同时研究了不同切割工艺参数对等线损工艺的影响.结果表明:钢线速度越快,回线率越高.切割厚度越大,硅片数越少,回线率越高;同时,等线损工艺能够保证整个加工过程中钢线的磨损量保持基本一致,对于工业化生产具有很好的指导借鉴作用.

摘要： 对多线切割原理进行了介绍，对磁性材料内圆切割和多线切割两种切片方案进行了分析，同时对两种切割方案的切割速度、切割损耗、切割成本进行对比研究，从而得出了多线切割机的技术优势，最后对多线切割技术的应用场合进行了简单阐述。

摘要： 将一根细长的金属线在槽轮上缠绕多圈作为切割线，在加工区域喷入磨料，以切割线作为载体带动砂浆对工件研磨切割，一次性完成数百片切割。多线切割已成为硬脆性材料切片加工的主流技术。

摘要： SiC为多线切割中最重要的辅料之一，它的切割性能直接影响了切割品质的好坏。本文通过对SiC颗粒微粉分布，颗粒形貌，清洁度的分析来表征SiC的切割能力，从而根据不同切割能力的SiC选择不同的切割工艺，达到稳定切割良率的目的。

摘要： 在多线切割中，砂浆密度关系到砂浆能力。将槽距，装载量，片厚。新碳化硅和新悬浮液密度等设定为恒量，通过模拟计算发现砂浆密度的变化趋势和砂浆缸里面硅粉含量的变化趋势一致，在基础设置数据的基础上，发现在切割至第5刀时砂浆密度以很小的幅度增加。 通过对数据的回归分析，得出砂浆密度计算公式。影响砂浆密度的主要因素有：槽距、单位面积更换系数、新砂浆配置密度。控制砂浆密度在合理的范围内，可保证切割过程的稳定性及硅片质量。

摘要： 切削液为多线切割中最重要的辅料之一，它的悬浮性能，分散性能直接影响了切割品质的好坏。本文通过对切削液悬浮性能，分散性能，润滑性能的表征，来衡量切削液在多线切割中的使用情况，从而在稳定生产线的基础上，提高生产良率。

摘要： 多线切割过程中的碳化硅在油性悬浮液中的分散性，决定着硅片的质量及切割过程中的稳定性，通过对PEG分子结构和键能的研究，强极性键使整个PEG为高度极化分子，在极性键中最容易失去-OH中的H，和表面配位不足而产生极性电荷碳化硅进行结合。碳化硅的等电点在pH=3.9附近，当砂装的pH值在不同的范围，碳化硅表面的电荷类型和电荷密度不同，从而PEG对碳化硅的饱和吸附量将出现差别。影响PEG对碳化硅的饱和吸附量的主要因素有：pH值，PEG分子链的长短，碳化硅的比表面积。影响碳化硅的ZETA电位的主要因素有，pH值，分散剂的类型和添加比例，固相体积分数的大小。

摘要： 多线切割机用于晶圆切割具有表面损伤层浅,切缝窄,切割速度快(片平均)等优点在半导体、电子行业的应用已经有较长的时间了,本文就多线切割如何获得好的切割质量以及在实际中的应用遇到的问题做一些介绍和分析,并就其结构和控制方面提出一些改进建议,以下均以日本U-600线切割机为例说明.

摘要： 太阳能硅片的表面损伤层，关系到切割后破片比例，绒面的形状，转换效率等。通过对硅片表面SEM分析，发现硅片表面呈蜂窝状，有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状，并伴随有裂纹，从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成杌理研究，发现通过以下调整可以减小表面损伤：一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数，圆度系数，堆积密度。 减小硅片的损伤层，减小切割后的破片率和提高电池的转换效率。

摘要： 众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.

摘要： 切削液为有机分子的聚合物，分子之间通过分子力结合，温度的升高或降低，分子之间的力也会随之变化[1]，因此砂浆粘度、pH值、密度均受温度的影响。本文通过对不同温度条件下粘度、密度的测试，找出砂浆性能与温度的关系，同时将此关系应用到切片工艺上，根据砂浆性能来确定不同的切片工艺，从而更好的控制产品的质量。

摘要： 本发明线切割悬臂、悬臂环线切割机、对工件进行自由切割的方法涉及工件切割装置及方法。其目的是为了提供一种切割自由度大，且能将切割范围扩展至较狭窄部位的线切割悬臂、悬臂环线切割机以及对工件进行自由切割的方法，本发明扩大了切割线的切割自由度和切割范围，消除了狭窄空间内的工件无法被切割到的缺陷。本发明悬臂环线切割机包括：机座、工件固定器、立柱和线切割悬臂；机座上方设置有十字滑台，工件固定器固定设置于十字滑台的上方；立柱设置于机座的一侧；线切割悬臂通过竖向导轨副装配在立柱上，且线切割悬臂由丝杠丝母结构驱动沿竖向导轨副移动；有效切割线的切割范围覆盖固定于工件固定器上的工件。

摘要： 本发明的线切割机对线切割程序进行分析而生成被加工物的加工形状。设定多个用于调整电极丝的线径修正量的调整量，从它们之中选择一个或一个以上的希望的调整量，将选择出的调整量与线径修正量相加，从而计算出线径修正量。然后，根据生成的加工形状，生成只偏移了计算出的线径修正量所得的加工路径。

摘要： 本申请实施例中提供了一种线切割控制方法、线切割控制装置及线切割机，该方法通过获取预设待切割路径分别得到切割点的切线角度以及切割点与预设旋转轴的距离，计算切割点在预设待切割路径中对应的预设旋转轴的旋转角度；根据预设旋转轴的旋转角度控制切割面和/或待切割物料旋转，使切割点的实际切割方向与预设待切割路径中切割点处的切线方向一致，且与标准切割面共面。由此以根据曲线路径，自动转位调整被切割物料与金刚线行走的角度，使金刚线行走的每个切割点方向与该位置形面切线方向一致，且与标准切割面共面，从而维持稳定的线弓以及其大小和方向可控，避免因金刚线线弓变化导致理论切割图形与实际切割图形不吻合的问题，提升切割精度。

摘要： 本发明线切割悬臂、悬臂环线切割机、对工件进行自由切割的方法涉及工件切割装置及方法。其目的是为了提供一种切割自由度大，且能将切割范围扩展至较狭窄部位的线切割悬臂、悬臂环线切割机以及对工件进行自由切割的方法，本发明扩大了切割线的切割自由度和切割范围，消除了狭窄空间内的工件无法被切割到的缺陷。本发明悬臂环线切割机包括：机座、工件固定器、立柱和线切割悬臂；机座上方设置有十字滑台，工件固定器固定设置于十字滑台的上方；立柱设置于机座的一侧；线切割悬臂通过竖向导轨副装配在立柱上，且线切割悬臂由丝杠丝母结构驱动沿竖向导轨副移动；有效切割线的切割范围覆盖固定于工件固定器上的工件。

摘要： 本发明的线切割机对线切割程序进行分析而生成被加工物的加工形状。设定多个用于调整电极丝的线径修正量的调整量，从它们之中选择一个或一个以上的希望的调整量，将选择出的调整量与线径修正量相加，从而计算出线径修正量。然后，根据生成的加工形状，生成只偏移了计算出的线径修正量所得的加工路径。

摘要： 本申请实施例提供一种单线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；沿着硅棒的长度方向对形成有第一侧面的硅棒进行四次切割，每次均通过一条切割线进行切割；四次切割形成的切割面中有两个切割面与第一侧面垂直，另外两个切割面与第一侧面平行；经过四次切割后形成两个小硅棒，每个小硅棒的横截面为矩形。本申请实施例提供的单线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统能够对硅棒进行切割，以得到尺寸较小的小硅棒，直接对小硅棒进行切片得到尺寸较小的小硅片，相比于传统用激光对硅片进行划片的方案具有更高的切割质量。

摘要： 本申请实施例提供一种单线双线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；通过两条相互垂直的切割线对硅棒进行一次切割，其中一条切割线与第一侧面垂直相交，经该切割线切割形成第二侧面，第二侧面的宽度小于硅棒的直径；经另一条切割线切割形成的切割面与第二侧面相交；通过两条切割线对硅棒进行切割，至少一条切割线与第一侧面垂直，得到两个横截面为矩形的小硅棒。本申请实施例提供的单线双线切割硅棒的方法能够直接得到尺寸较小的硅棒，经过切片形成硅片，满足对小尺寸硅片的要求，且能提高成品率。

摘要： 本申请实施例提供一种单线双线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面；通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成与第一侧面垂直相交的第二侧面；通过两条切割线对硅棒进行切割，形成的第三侧面与第二侧面垂直相交，第四侧面与第一侧面垂直相交，得到横截面为矩形的方棒；通过至少一条切割线对方棒进行切割，得到至少两个横截面为矩形的小硅棒。本申请实施例提供的单线双线切割硅棒的方法能够直接得到尺寸较小的硅棒，经过切片形成硅片，满足对小尺寸硅片的要求，且能提高成品率。

摘要： 本申请实施例提供一种十字线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：沿着硅棒的长度方向通过两条相互垂直的切割线对硅棒进行一次切割，切割得到第一侧面和第二侧面，各侧面的宽度均小于硅棒的直径；通过三条切割线对硅棒进行切割，其中一条切割线与第一侧面平行且与第二侧面相交；另一条切割线与第二侧面平行且与第一侧面相交；又一条切割线与第一侧面或第二侧面平行、且该切割线与硅棒中心线之间的距离小于其余两条切割线分别与硅棒中心线之间的距离，也小于第一侧面、第二侧面分别与硅棒中心线之间的距离；得到两个截面为矩形的小硅棒。本申请实施例提供的十字线切割硅棒的方法能够直接得到尺寸较小的硅棒，经过切片形成硅片。

摘要： 本申请实施例提供一种双线单线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：沿着硅棒的长度方向通过两条平行的切割线对硅棒进行一次切割，两条切割线分别位于硅棒中心线的两侧，切割后形成两个平行的第一侧面；对形成有第一侧面的硅棒进行三次切割，每次均通过一条切割线进行切割；其中两次切割形成的切割面均与第一侧面垂直相交，且分别位于硅棒中心线的两侧，另外一次切割形成的切割面与第一侧面平行或垂直且该切割面与硅棒中心线之间的距离均小于其他切割面与硅棒中心线之间的距离；得到两个横截面为矩形的小硅棒。本申请实施例提供的双线单线切割硅棒的方法能够适应小尺寸的硅片的切割要求，且能提高切割质量及效率。