多晶硅生产

摘要： 生产多晶硅的过程中会产生大量的氯硅烷残液,如果处理不好,会造成很大程度的环境污染和资源浪费。因此,对于氯硅烷残液的处理与利用是多晶硅行业必须面对的一个难题。今对改良西门子法生产多晶硅时氯硅烷残液的来源进行介绍,综述关于氯硅烷残液和氯硅烷高沸物组成的相关研究。对目前处理氯硅烷残液涉及的各种方法进行了总结,分析了每种方法的优缺点。其中的水解法和燃烧法等在目前的应用广泛且工艺成熟,但存在一定程度的环境污染以及产品附加值较低造成资源浪费的问题,分析表明通过精馏法和催化裂解法处理氯硅烷残液,可以得到高附加值的产品,实现无害化处理和资源化利用。最后提出精馏法和催化裂解法具有广阔的应用前景,并指出了它们在未来的发展方向。

摘要： 多晶硅生产过程的冷却循环水系统主要用来为物料降温,一般分为开式循环水系统和闭式循环水系统.开式循环水系统主要工艺部件是开放式的,补水来源一般为工业软化水,循环水在运行过程中会发生CO2含量降低、碱度增加、pH值升高、浊度增加等情况,需要对冷却水的指标进行监测和控制,并选择适合的水处理药剂进行投加.闭式循环水系统为密闭系统,循环用水要求较严,相较于开式循环水系统,组成部件更加复杂,但水质控制较为容易.目前较新的水质控制技术包括无磷配方除垢剂、电子除垢仪和新型防垢防腐蚀合金材料,这些新技术的使用可以减少后期成本投入,并且能减少甚至消除冷却塔及设备的清洗频次,在新厂建设及技改项目中,应尽量选用.

摘要： 8月18日,瓦克与Finsterwalder集团宣布,将在德国萨克森州建造一座面积3.5万m 2的大型物流中心,用于贮存和发送有机硅产品。瓦克预计其农特里茨生产基地在未来数年对仓储和物流的需求将大幅增长,筹建中的物流中心有望能完全满足相应需求。据估算,建设投资将需数千万欧元。这座正在筹建中的物流基地距离瓦克在农特里茨的有机硅及多晶硅生产基地距离非常近。新仓库长240 m,宽145 m,高14 m,可容纳逾57000个托盘位,其中大部分将供瓦克使用,以贮存有机硅密封剂、气相法二氧化硅、建筑物保护剂等产品;农特里茨基地自2022年起生产的杂化聚合物产品也将存放于此。Finsterwalder公司将负责到货、存储和发货工作。瓦克表示,建造这座新的物流中心,是瓦克未来规划的一个重要环节,对农特里茨生产基地的继续增长有重大意义。新物流中心的建筑许可申请计划于2021年秋递交,如果顺利通过有关部门审批,项目可于2022年初动工。

摘要： 多晶硅生产中原料和产品本身不含氯,但因过程有氯化工艺需要消耗氯,目前补氯方式主要有以液氯和三氯氢硅方式,在当地具有丰富副产四氯化硅的情况下,采用四氯化硅补氯具有较好的经济效益.

摘要： 随着我国社会经济的快速发展,在新能源领域投入更多的研究力度,带动新能源事业的健康发展。在现阶段的新能源发展当中,太阳能作为可再生能源,主要来自太阳的热辐射能,能够解决能源的再生问题,从而缓解全球范围内的能源紧缺现象。科学技术水平的不断提升,带动太阳能能源利用领域的快速发展,多晶硅产业也取得惊人的成就,但同时给多晶硅生产领域带来更加激烈的市场竞争压力。本篇文章通过研究多晶硅生产过程中的节能减排方案,来节约多晶硅生产的成本资金,保障多晶硅生产企业的经济效益,以推动多晶硅生产领域快速发展。

摘要： 多晶硅生产过程中需要进行精馏、还原,同时还需要对产生的尾气进行回收.为了能够降低多晶硅的生产成本,达到节能降耗的目的,需要多晶硅企业的生产技术进行综合分析,通过热能综合应用的方式对不同的单元进行改造.基于此,本文将重点针对改良西门子法多晶硅生产中的热能综合应用方式进行分析,以便更好的达到节能的目的.

摘要： 近日,笔者发现''''漓源环保''''在网上发布了一篇题为《光伏行业污染问题不容忽视》的文章。文中提到,''''光伏产品的生产是‘高污染、高能耗’'''',且认为多晶硅生产时形成的副产品四氯化硅若''''回收处理跟不上,将对安全生产和环境保护带来极大的风险''''。光伏产业不是属于清洁能源吗?四氯化硅对环境影响到底有多大?要想正确认识光伏产业,就不能不提我国光伏产业的发展历史。2004年以前,光伏产业处于发展潜伏期.

摘要： 多晶硅是一种极为重要的化工产品,并且其广泛应用于信息处理、人工智能、光电转换等领域多,但是在多晶硅生产的过程中,需要消耗大量的能量。所以,在本篇文章中,笔者将对多晶硅生产过程中的耗能情况进行分析,并对节能途径进行探究,从而给有关人员提供参考。

摘要： 针对多晶硅生产中碱液淋洗法废气处理工艺存在的问题,对其进行改造.增设2台备用塔——C塔和D塔。当多晶硅生产系统正常稳定运行时，开启A塔和B塔即可;当多晶硅生产系统不稳定，且废气量剧增时，增开C塔和D塔。增设1套冷凝分离装置。来自精馏工序、还原工序、CDI工序、氢化工序及其他工序的废气汇总后进入冷凝分离装置，控制其压力在0.3~0.5 MPa温度约-40°C，使氯硅烷(SiHCl3,SiCl4和SiH2Cl2)冷凝为液体并回收利用，而H2,N2,HCl和极少量残留的氯硅烷气体直接进入A塔和C塔内喷淋。出于安全考虑，在A塔和C塔的顶部分别增设N:管道，并通入0.3~0.5 MPa的保护N2避免空气进入塔内与SiHCl3,SiH2Cl2,H2接触。为了彻底解决原工艺中时常发生着火和爆炸的安全问题，增加1套水封装置和1根长约15 m的曲管。从B塔和D塔出来的H2,N2、残留HCl和少量H2O(水蒸汽)通过放空管进入曲管，并通过水封装置对曲管进行冷却，然后将气体排入水封装置内除掉残留HCl,H2,N2和少量H2O(水蒸汽)再经鼓泡后直接放空。改造后,废气中约有92.1％的氯硅烷被回收利用,碱液的月平均消耗量减少约500t;放空气体中有毒有害成分的质量分数由17.6％降至0.08％;着火和爆炸事故等安全问题已彻底消除,生产系统的稳定性得到改善,多晶硅的月均产量和产品合格率分别提高约13.8％和4.7％.

摘要： 膜技术具有出水水质好、占地面积小、操作简单、安全环保等等诸多优点，在当前我国水资源污染短缺、污染严重的情况下，本文结合膜技术处理多晶硅生产和研磨废水后水回用可达到极好的社会效益和环境效益。

摘要： 针对多晶硅生产核心设备氢化炉的结构改进和过程强化,本文采用数值方法,对三维空间进行多面体网格划分,模拟计算了氢化炉内部流场分布,获得了截面流线图和速度等值线图;分析表明,现行底部进/出气结构氢化炉速度场均匀性较差,上部存在流动死区,而顶部进气结构有助于消除流动死区,速度场均匀性相对提高,有利于强化多晶硅氢化炉反应过程.

摘要： 针对改良西门子法工艺，通过软件模拟和生产实验研究相结合，探讨了三氯氢硅氢还原沉积工艺和沉积设备对多晶硅生产单位电耗等生产关键指标的影响，并对还原工艺优化提出了改进建议。

摘要： 改良西门子法作为全球主流多晶硅生产工艺。近年来在光伏行业大发展的驱动下仍在持续进步。但是大批后来者在工艺选择上，仍存在短视甚至盲目性，导致副产物利用不合理、成本偏高等瓶颈问题，形成大量低端产能。江苏中能综合利用氯氢化、反歧化、高效还原等关键技术，消化了全部副产物，实现了完全厂内闭路循环生产，最大幅度降低了对外依赖。该工艺模式既可以显著降低物料成本，又确保了绿色清洁生产的真正实现，代表了目前西门子法工艺改良的最佳水平和未来较长时间内的发展趋势。

摘要： 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。

摘要： 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时，将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面的布拉格反射进行检测的位置，以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度Φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行Φ扫描，求出表示来自密勒指数面的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(Φ)的依赖性的图表，由该图表求出基线，将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。

摘要： 本发明提供多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块。本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S

摘要： 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S

摘要： 本发明实现一种在切断多晶硅棒时防止金属污染的方法。本发明的切断方法是包括利用切断工具(133)切断多晶硅棒(S)的切断步骤的多晶硅棒(S)的切断方法，且在切断步骤中，从第一喷嘴(14)向多晶硅棒(S)的切断位置供给液体(L1)，从第二喷嘴(15)向多晶硅棒(S)的表面供给液体(L2)。

摘要： 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时，将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面的布拉格反射进行检测的位置，以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度Φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行Φ扫描，求出表示来自密勒指数面的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(Φ)的依赖性的图表，由该图表求出基线，将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。

摘要： 在本发明中，由第一衍射图和第二衍射图，求出针对旋转角度

摘要： 本发明公开了一种采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法以及多晶硅还原系统，该方法包括进料步骤和尾气控制步骤，在进料步骤中，在多晶硅生产的中后期，将未经预热的冷氢与经加热后的混合气体混合，再送入还原炉中，所述混合气体为三氯氢硅和氢气的混合气体。该方法及系统能够解决多晶硅还原系统运行中进料温度过高的问题。

摘要： 本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。

摘要： 本实用新型属于多晶硅的生产设备技术领域，涉及多晶硅还原炉尾气防护罩、多晶硅还原炉及多晶硅生产系统。本实用新型的多晶硅还原炉尾气防护罩，包括圆柱形侧壁，所述圆柱形侧壁的顶端连接封闭的顶盖，所述圆柱形侧壁的低端连接尾气出气口；所述圆柱形侧壁上开设有多个周向均布的排气通孔；所述防护罩为碳－碳复合材料防护罩。本实用新型能够有效防止硅块进入尾气管线，避免尾气管线堵塞，又能保证还原炉尾气的正常流通，大大减小清理尾气管线的工作量。