多晶硅片

摘要： 介绍了一种新的多晶硅片单面制绒工艺,通过对太阳能多晶硅链式制绒设备进行改造,使制绒槽内的硅片由浸没式腐蚀制绒改为漂浮式腐蚀制绒,同时利用喷淋方式去除硅片背面的损伤层,可有效避免硅片背面的过度腐蚀.通过选定相同条件下的多晶硅原料片,并进行严格均分,分别采用单面制绒工艺与产线常规双面制绒工艺进行制绒,其他工序采用相同设备及工艺配方,测试制绒后硅片的减重、反射率及SEM微观结构,对比分析不同制绒工艺对硅片的影响.结果表明,多晶硅片采用单面制绒工艺后硅片减薄、反射率降低,且采用该工艺制备的太阳电池的转换效率提升了0.03％.

摘要： 基于超声波清洗技术设计了太阳能多晶硅片清洗装置,并通过实验进行了效果验证,结果表明,超声波清洗装置可高效清洗干净多晶硅片表面污染物,色泽光亮均衡统一,效果显著;清洗前,多晶硅片平均接触角较大,表面疏水性过强,清洗后,平均接触角显著下降,说明基于超声波作用,可有效清洗疏水性污染物,且符合多晶硅片清洗洁净要求;随超声波功率增加,清洗后多晶硅片表面接触角呈现为先逐渐缩小,后有所增大的趋势;超声波清洗装置清洗硅片,可获得更微小的表面粗糙度;清洗后硅片表面只包含硅原子,并未观察发现其他杂质元素污染,表面十分洁净.总之,太阳能多晶硅片超声波清洗装置,操作简洁便捷,清洗效果显著,清洗时间短暂,成本相对偏低,节能环保,环境污染较小.

摘要： 随着多晶硅金刚线切片技术的普及,硅片酸制绒的难度越来越大,而得到最优的硅片表面微观绒面结构对提升多晶硅太阳电池转换效率起着尤为关键的作用.研究了基于引入多晶制绒添加剂后,调整不同制绒添加剂补液量及酸补液的配比浓度,利用电子天平、RC反射仪、SEM电镜扫描仪、WT-2000少子寿命测试仪等测试仪器测试制绒后硅片的减重、反射率、外观及微观形貌,调整后的新工艺可使多晶硅太阳电池的转换效率提升0.07％.

摘要： 由于多晶硅片表面在不同晶粒之间的晶格取向、绒面特性,反射率等方面都存在较大差别,因此在多晶硅片表面制备的SiNx膜的均匀性较差.研究微波板式PECVD设备相关配件对其在多晶硅片表面镀膜时膜层均匀性的影响.结果显示,石英管、耐高温胶带厂家的差异,气路的气孔个数差异,加热板、导波器的完好程度差异均会对微波板式PECVD设备在多晶硅片表面镀膜时的均匀性产生较大影响.

摘要： 提出了一种新型扫描大尺寸多晶硅片晶向的方法,该方法以晶粒表面光学3D各向形貌的分析为基础,通过2部相机直接采集得到晶粒的2D反射谱;每种不同晶向有其特定的表面形貌及对应的特征反射谱线,该特征反射谱线由理论推测而得,并与实验结果相符;晶粒的晶向指数可以由特征谱线峰值计算得出.本测试实现了对100×100 mm2碱制绒硅片的晶向检测,测试时间小于10 min,检测精度小于1.34°.这种快速扫描晶向的方法可以用于高效多晶硅片的研发.

摘要： 在高效多晶的技术创新上,保利协鑫的镓共掺杂技术得到应用（市场上产品为S4）,其主要效果是有效地减少了由于硼氧对引发的转换效率衰减,其光致衰减（light-induced degradation）是普通掺硼高效多晶电池的1/10,是PERC高效多晶电池的一种有潜力的多晶硅片。由于镓分凝系数小,造成多晶硅锭纵向电阻率变化较大,使得硅片得率和良率受到影响,成本升高。

摘要： 德国生产制造商Schmid宣布研发出一种新型金刚石线切割多晶硅片纹理化工艺。还表示其首批新型技术系统将于2017年第二季度开始出售。

摘要： 金刚线切多晶硅片技术能提高出片率、有效降低硅片生产成本;而湿法黑硅技术不仅能有效解决金刚线切多晶硅片表面反射问题,还能带来电池效率增益.本文研究了湿法黑硅技术的几种工艺路线、不同金属辅助催化体系、专利分布及产业化现状,指出其具有良好的产业化前景.

摘要： 作为推动光伏降本的金刚线技术，已成为多晶领域的主流切片技术;湿法黑硅技术将成为解决金刚线切多晶硅片绒面难题，提升多晶硅片转换效率的主流技术;单面黑硅技术将进一步提升多晶硅片的性价比。

摘要： 金刚线切割多晶硅片常规酸性湿法制绒问题减反射效果不足切割纹依然可见VE制绒技术研发进展简介机理:蒸气凝结微液滴刻蚀(Semiconductor Sci.Tech.2016,Mater.Sci.Semiconductor Process,2016)控制条件:基本掌握开发路线:单片→500片/hr→3000片/hr计划一年完成.目前完成单片装置和初步实验

摘要： 介绍了影响电池光衰的因素二、国标中氧含量的测量方法三、实验条件和方案四、多晶硅片厚度和表面状态对氧含量检测的影响五、结论一、影响光衰的因素掺硼P型晶硅太阳能电池经过光照后会产生效率衰减,研究表明,掺硼太阳能电池的衰减与B-O复合体在少数载流子的激发下形成有关.

摘要： 掺Ga或共掺多晶硅片可以显著抑制背钝化电池的光致衰减，其中掺Ga电池的衰减更小。但由于掺Ga硅片质量不均，量产中更多是采用共掺硅片。通过电注入或光注入诱导氢钝化技术可以进一步改善多晶背钝化电池的光致衰减。目前制程工艺优化-改善光衰在电池和组件端都有一定的效果，后续还有进一步的优化空间目前量产过程中，多晶背钝化技术路线有:共掺硅片/电注入处理+掺B电池/电注入处理+共掺电池，都可以很好解决多晶背钝化的光衰问题，注入处理+共掺电池最小，且光衰稳定性优于常规工艺的组件，户外暴晒350天后组件LID值为1.81。因此，正泰从硅片、工艺制程改善和成品电池处理三个角度致力于多晶PERC光衰的改善。

摘要： 内蒙古上航新能源有限公司由上海航天技术研究院（八院）下属的上海航天汽车机电股份有限公司投资建设，是以太阳能多晶铸锭、方锭的研发、制造、技术服务于一体的航天光伏产业项目，是航天光伏垂直一体化产业链中的重要生产基地。迫于成本降低的需要，金刚线切割多晶是必然趋势，金刚线切割多晶硅片将再次拉大多晶与单晶在硅片端的成本差距，提升多晶硅片的竞争力，且目前一线大厂正在全力推进金刚线切割。然而杂质导致的断线是金刚线切割多晶硅片面临的主要风险之一。通过多方面措施改善，杂质平均比例为1.73%，改善降幅达67.4%。、金钢线切片良率≥93%。

摘要： 多晶硅片的生产工艺进行探讨。研究发现，使用更高纯度的高纯层材料，优化扩散阻隔层性能，可以有效硅锭减少金属杂质，从而提高电池转化效率；优化阶段长晶速率，可以有效降低位错；通过共掺杂技术获得合适的电阻率阻值和分布可以提升硅片在PERC工艺下的电性能表现；通过优化气流结构和新材料新结构的应用，可以有效降低硅锭碳含量；通过合适的氮化硅粉配比和喷涂工艺调整，可以提高氮化硅涂层化学稳定性，有效降低硅锭氮化物杂质。

摘要： 介绍了电池效率验证，优化代表块及结果，结论，PL设备检测(型号QS-W2)主要参数为Q值,Q=f(impure,defects)，根据硅片指定类型的缺陷设定Q值，对硅片质量进行评估。.预估电池效率=产线单片最高效率－1×Q。

摘要： 介绍了切割模型简介，切割工艺优化，结论割速度，切割模型简介在自由磨料线锯切片过程中,流体动压力使磨料压紧硅晶体,增加了材料去除速率.T为钢线上所加的张力,与使用的钢线直径相关.B为线弓高度,取决于进给速度与线速度的比值.δGF两根导轮间距越近,切割过程提供的垂直力越大.

摘要： 介绍了硅片损伤层产生机理，测试方法介绍，结果与讨论，第一部分，硅片损伤层产生机理，第一变形区位于磨粒前方及其附近区域.由于压应力产生剪切作用,产生切削、崩出和挤出切削区.

摘要： 金刚线切割多晶制绒问题的解决，实现了金刚线代替砂浆的可能性，也带来了金刚线爆发式需求和增长。由于成本及效率的推动，金刚线切割多晶工艺越来越苛刻，希望与金刚线厂家共同协作开发更适合切割多晶的金刚线。通过对金刚石线的研究分析发现，控制及优化金刚石的颗粒数量、出刃高度及分布、堆积直径及分布这些关键指标可提升金刚线的切割能力及稳定性。

摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部设置形核源，形成形核源层；在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭晶粒大小均匀、规则、位错密度低且无明显的枝晶和孪晶。

摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚内壁设置一层厚度为2μm‑1mm的碳层，然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭杂质氧含量低、晶粒较小、均匀、规则、位错密度低。

摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚内壁喷涂氮化硅层之前或之后，在所述坩埚的侧壁内侧上设置阻隔层，所述阻隔层为硅粉涂层、或石英粉涂层、或硅粉与石英粉混合涂层，所述硅粉和所述石英粉的纯度为99.99%以上；然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭靠坩埚壁区域的晶粒较小、均匀、规则、位错密度低且杂质少。

摘要： 本发明涉及一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部铺设熔点、密度大于硅且不与硅液及坩埚发生反应的形核源，形成形核源层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。由于形核源的熔点和密度均高于熔融硅，且不与硅液和坩埚发生反应，在铸锭形核后依然保持形核源本身的特性，因此可以重复利用。此外，还出一种由上述方法制备的多晶硅锭，及由该多晶硅锭为原料进行开方-切片-清洗后制得的多晶硅片。

摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚内壁设置一层厚度为2μm-1mm的碳层，然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭杂质氧含量低、晶粒较小、均匀、规则、位错密度低。

摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚内壁喷涂氮化硅层之前或之后，在所述坩埚的侧壁内侧上设置阻隔层，所述阻隔层为硅粉涂层、或石英粉涂层、或硅粉与石英粉混合涂层，所述硅粉和所述石英粉的纯度为99.99%以上；然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭靠坩埚壁区域的晶粒较小、均匀、规则、位错密度低且杂质少。

摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部设置形核源，形成形核源层；在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭晶粒大小均匀、规则、位错密度低且无明显的枝晶和孪晶。

摘要： 本发明提供可以恰当地进行热处理、能够制出寿命得到提高的高品质的多晶硅片的多晶硅块材的制造方法、多晶硅片的制造方法及多晶硅块材。多晶硅块材的制造方法为作为太阳能电池用基板的原材料使用的多晶硅块材的制造方法，其特征在于，具备：铸造工序（S1），使硅熔液凝固来制出多晶硅锭；切断工序（S2），切断所得到的多晶硅锭，从而切出呈多角形柱状、该多角形面的对角线长为150mm以上400mm以下、其高度为100mm以上500mm以下的块坯体和热处理工序（S3），对该块坯体进行温度500°C以上600°C以下、保持时间15分钟以上60分钟以下、冷却速度10°C/min以上60°C/min以下的热处理。

摘要： 本发明公开了一种金刚线多晶硅片制绒添加剂，以及使用该添加剂的多晶硅片制绒刻蚀液。所述金刚线多晶硅片制绒添加剂包括：低粘度低稳泡组分，高粘度高稳泡组分和去离子水；所述低粘度低稳泡组分包括草酸、酒石酸、柠檬酸、可溶性柠檬酸盐、异构醇醚和季铵盐阳离子表面活性剂；所述高粘度高稳泡组分包括聚乙二醇、聚乙二醇单甲醚、吉米奇类季铵盐阳离子表面活性剂。使用本发明提出的制绒添加剂，能够对金刚线硅片绒面微观结构进行调制处理，有效降低金刚线多晶硅片反射率，提高陷光效应，进而提高太阳能光伏转换效率，降低度电发电成本。

摘要： 本发明公开了一种多晶硅片酸制绒辅助剂及多晶硅片酸制绒方法，辅助剂按质量含量包括：0.1％～2％的催化剂，所述催化剂为浓度1ppb～0.5ppm的纳米金属颗粒溶液；0.1％～2％的非离子表面活性剂；0.05％～2％的硅烷偶联剂；其余为去离子水。酸制绒方法包括：S1、配置辅助剂；S2、配置酸制绒液，将氢氟酸和硝酸溶于去离子水中得到酸混合溶液，而后将S1中的辅助剂加入酸混合溶液中得到酸制绒液；S3、酸制绒，将多晶硅片放入S2中的酸制绒液中进行制绒。本发明中的辅助剂无毒性，易实施，稳定性好，在酸制绒工艺中具有很好的实际应用价值；通过在酸制绒液中添加辅助剂，能够降低酸制绒多晶硅片的表面反射率，改善了绒面均匀性。