多层陶瓷电容器

摘要： 多层陶瓷电容器(MLCC)是现代电子产品中必需的一种片式元件。按照应用领域的不同,介绍了几种典型的BaTiO_(3)基XNR系列多层陶瓷电容器陶瓷材料的研究进展,论述了各系列陶瓷通过改进材料配方或加工技术后获得的满足各自系列相关的性能,并对MLCC陶瓷的发展方向进行了展望。

摘要： 传统的电压互感器存在体积大、绝缘困难、铁心饱和、铁磁谐振过电压、暂态响应特性差等问题。基于电场耦合原理和差分输入结构的电压传感器不需要与被测物体或地面接触,可以避免上述问题。然而,差分电极之间需要足够高的电容以获得足够的精度和高的分压比。现有的利用差动电极间互电容的方法存在许多问题,不能满足实际需要。针对上述问题,文中采用多层陶瓷电容器代替互电容,设计了一种新型的电压传感器。实验结果表明,该传感器具有良好的精度和瞬态响应特性。工频下的比值误差在±0.5%以内,相位差在1°以内。在500 Hz~30 kHz范围内的比值误差在±5%以内,相位差在5°以内。此外,它还具有成本低、小型化、外形灵活、分压比易于调整等优点。

摘要： 多层陶瓷电容器(MLCC)端电极低温烧结技术仍是目前研究的重点与难点。为了改善MLCC低温烧结铜端电极的烧结形貌与质量,开发出适用于低温烧结的端电极铜浆的新型玻璃粉,探讨了玻璃粉的转变温度、含量、粒径以及玻璃粉与陶瓷基片的烧结润湿性与铜浆烧结特性之间的关系。此外,研究了铜粉形貌、粒径等对端电极烧结特性的影响。结果表明:当玻璃粉转变温度为577.6°C,铜浆中玻璃粉含量为质量分数10%(D_(50)=2.0μm),类球形铜粉Cu-2和板状铜粉Cu-4的质量比为6∶4(D_(50)=1.4μm)时,得到烧结质量最佳的MLCC铜端电极,其致密度高达99.87%。

摘要： 多层陶瓷电容器(MLCC)是最为重要的片式无源器件之一。随着电子系统应用领域逐渐拓展,MLCC被要求在更高工作温度和更宽温度范围内具有稳定的性能,因此迫切需要温度稳定型MLCC介质材料。BaTiO_(3)具有高介电常数、低介电损耗、价格低廉、环保无毒等优点,是最受关注的MLCC介质材料之一。但纯BaTiO_(3)难以满足温度稳定型MLCC对介质材料介温稳定性的要求,且因BaTiO_(3)居里温度的固有限制,单独对BaTiO_(3)改性通常难以提升其高温段的介温稳定性,无法满足X8R或X9R标准。因此,利用Bi(M)O_(3)、(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_(3)、K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)与CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)等同样具有钙钛矿型结构的化合物与BaTiO_(3)形成固溶体,构建BaTiO_(3)基复合钙钛矿型介质材料,并在此基础上进一步掺杂改性,已成为获取温度稳定型介质材料的研究热点。本文主要综述了近年来温度稳定型BaTiO_(3)基复合钙钛矿型介质材料的研究进展,并对其发展前景进行了讨论。

摘要： 为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC。研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响。结果发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善介质致密性和电极连续性,有效提高薄介质MLCC的介电强度。设置合适的加湿气氛和预烧温度,才能将残留碳量降低到符合要求的范围。生倒将生坯芯片的圆角半径控制为105~143μm,可以防止陶瓷芯片损伤和镀液渗入,提高薄介质MLCC的击穿电压值。

摘要： 为了保证小尺寸多层陶瓷电容器(MLCC)良好的可焊性,研究了铜端头制备工艺对小尺寸MLCC可焊性的影响。结果发现:铜端头的尺寸和形状的一致性是防止小尺寸MLCC回流焊发生立碑和移位的关键。封端前将陶瓷体作等离子预处理可以有效防止流挂现象,但还要配以合适的浸浆参数才能保证铜端头的一致性。烧端时采用加湿保护气氛进行排胶,并且加湿温度为40~45 °C时,可以获得致密性好的无氧化的铜端头。致密的铜端头可有效抵挡镀液渗透,提高小尺寸MLCC的可焊性。

摘要： 为了研究多层陶瓷电容器开裂的失效机理,通过红外热像对电容的失效点进行定位,结合应力应变测试确认基板制造过程中引入的应变大小,采用仿真分析研究基板变形后电容本体的应变分布情况,利用板弯曲试验对电容进行故障复现。结果表明:在基板制造过程中功能测试环节会引起基板变形,变形幅度达到了1 mm,对应的应变大小约为1 000μE,在1 mm的板弯曲深度下,电容底部位置将形成裂纹,裂纹由瓷体表面向电容内部延伸,当裂纹贯穿其内部相邻不相连的内层电极时,会引起电容绝缘电阻的降低失效。基于多层陶瓷电容器裂纹的形成机理,提出相应的优化保护方法以提高电容器的可靠性。

摘要： 对多层陶瓷电容器的一种典型失效形式进行研究.将多层陶瓷电容器焊后进行极限高低温冲击试验,试验发现焊接端头会出现微裂纹.微裂纹底部与外电极金属边缘重合,裂纹斜向上延伸,与焊接面之间呈锐角.裂纹贯穿交叠电极时会导致陶瓷电容器的电性能失效.后续可以根据实际情况为多层陶瓷电容器设计适宜的上下护片厚度、外电极端头宽度及单侧电极宽度,以保证其承受温冲后电性能不受影响,也可通过优化多层陶瓷电容器的结构设计和材料选型,进一步提高多层陶瓷电容器的抗极限温冲的能力.

摘要： 随着5G时代的到来和智能手机的普及,市场对01005规格的超小型多层陶瓷电容器的需求急速增长.由于尺寸超小,切割工艺是01005规格MLCC的生产中在一大技术难点.为了获得良好的切割质量,研究了瓷坯中黏合剂含量、切割刀片及感温胶片这几个主要影响因素.结果发现,选取合适的黏合剂含量,可以减少粘片情况,并且防止切面粗糙、切偏和分层等不良现象;选用刀刃厚度为0.05～0.08 mm的刀片切割01005型芯片,可以有效提高切割精度,防止粘片;选用具有合适的剥离强度和胶粘层厚度的感温胶片来固定电容巴块,也是提高切割质量的关键因素.

摘要： 2.电子印料与厚膜电容电容器是在电路中以静电场的形式储存电能的电子元件,它在电路中的符号为C。一般所讲的贴片电容是指片式多层陶瓷电容,即独石电容、MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor;多层陶瓷电容器)。独石电容器可分为温度补偿类、高介电常数类、半导体类。

摘要： 多层陶瓷电容器在航天电子产品中应用非常广泛,必须确保其在各种力学环境下的可靠性.利用三点弯曲法对焊装在印制板上的0805型MLCC开展了耐弯曲能力试验研究,研究表明:MLCC可承受不小于2.5mm的弯曲载荷(1700με),容值较小的MLCC耐弯曲能力更高,MLCC在试验卸载后容值有可能恢复,MLCC耐弯曲能力离散性较大.最后给出了MLCC耐弯曲能力筛选试验的新条件.

摘要： 多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息产业的核心电子元器件之一。针对我国MLCC产量高、质量和可靠性相对较差的现状，本文根据MLCC漏电流噪声产生机制及其与材料缺陷的关系，提出一种灵敏噪声检测技术。利用在已有绝缘介质漏电流噪声测试的基础上改进出MLCC噪声测试体系，对不同容值和老化前后的MLCC进行了噪声测试，进而利用噪声测试分析软件提取出所需噪声参数，与电性能检测参量漏电流等进行对比，验证了噪声测试技术的准确性和灵敏性。

摘要： 本文论述了碳酸盐共沉淀法制备多层陶瓷电容器(MLCC)用钛酸钡超微粉的新工艺.原料采用TiCl4和BaCl2,以(NH4)2CO3+NH3·H2O作为沉淀剂,对TiCl4浓度、沉淀反应温度、反应物钡钛比、煅烧温度等因素对钛酸钡超细粉理化指标的影响进行了系统研究,并将所制粉体用于制备X7R型MLCC瓷料.结果表明:在控制(NH4)2CO3/BaCl2(摩尔比)=1.2、体系终点pH＞9、TiCl4/BaCl2(摩尔比)=1～1.02,TiCl4浓度为0.6mol/L、沉淀温度为20°C、煅烧温度为1020°C、煅烧时间为1.5h的条件下,可以制得粒径在0.1μm～0.3μm之间的钛酸钡超细粉,所制备X7R型MLCC瓷料的瓷片介电性能为:ε25=3200～3700,tgδ=0.7×10-2,△C/C(-55°C～125°C)≤14﹪,ρ≥1012Ω·cm.

摘要： 本文针对多层陶瓷电容器(MLCC)失效的问题.从组装缺陷和本身缺陷两方面入手,分别对MLCC焊接失当;陶瓷介质内空洞及介质层分层;热应力损伤;机械应力损伤的机理进行了详细阐述.总结生产及组装过程中可能造成电容器损伤失效的原因,并提供了相应的解决方案.

摘要： 采用包覆热分解煅烧法,以草酸镍为前驱体,草酸锌为包覆剂,经过高温煅烧制备了多层陶瓷电容器(MLCC)内电极用超细球形镍粉.主要研究了煅烧温度对镍粉结晶性能的影响,并利用粉末X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、激光粒度分布仪、热重(TG)和X射线光电子能谱(XPS)对其进行了表征.试验结果表明:镍粉的初始结晶粒度随着煅烧温度的升高而增大,制备的近球形高纯度镍粉具有面心立方晶型、结晶性好、抗氧化温度高、颗粒粒径范围约200～500nm、粒径分布范围窄、分散性好.

摘要： 本文主要介绍几种典型的铁电、压电陶瓷及其多层片式元件应用研究的若干新进展.基于过渡液相烧结机制的压电陶瓷材料具有烧结温度低、压电常数和介电常数高,介质损耗低等诸多优点.低烧多层压电变压器(MPT)以其低驱动电压、小体积、高升压比、薄型片式化等优点在液晶显示背光电源等方面获得应用.多层压电变压器及其背光电源具有高功率密度、高转换效率、薄型化和低成本等特点,通过有限元分析和多普勒激光扫描测振仪对MPT的振动模态与机电谐振特性等进行了分析与测定,为结构与性能优化提供了理论与实验依据.研究了钛酸钡基高介电常数温度稳定型多层陶瓷电容器(MLCC)及薄层贱金属内电极MLCC的关键材料组成以及制备技术,基于缺陷化学原理和无晶粒长大的致密化烧结动力学,通过调控受、施主掺杂和两段法烧结工艺,制备了在还原气氛烧结亚微米/纳米晶钛酸钡基陶瓷及其细晶化贱金属内电极MLCC.研究了多层复合功能陶瓷共烧行为、异质界面互扩散、致密化速率调控机制及共烧匹配技术,借助于差热膨胀仪研究了铁电陶瓷介质和内电极共烧失配的动力学根源,为制备高可靠的MLCC等多层元器件提供实验与理论依据.介绍了压电陶瓷超声微马达的结构与特性.

摘要： 本文讨论了电子工业芯片微芯化中纳米技术的机会.半导体工作电压的降低及在多层陶瓷电容器((MLCC)中生产高体积效率的需求导致这些配件的绝缘层厚度的大幅减少和层数的急剧增加.这种趋势的结果大大增加了对如BaTiO3绝缘粉,电极金属粉末和化学机械平面化浆泥的需求.本文对生产纳米BaTiO3合成方法的优点和挑战性进行了简短评述。

摘要： Strain Gage Test(应变测试)相对于电子制造业来说，是一个比较新的一个概念。应变测试可以量化零件所在位置的应变，而根据这个量化的应变来判断零件破裂的风险，从而为改善措施提供方向。本文通过对实际制程进行应变测试，总结出某些制程中减少MLCC破裂的方法，以提高产品的可靠性。本文中的应变测试，如无特殊说明，都是基于1.6mm的FR-4 PCB 进行的。

摘要： Strain Gage Test(应变测试)相对于电子制造业来说，是一个比较新的一个概念。应变测试可以量化零件所在位置的应变，而根据这个量化的应变来判断零件破裂的风险，从而为改善措施提供方向。本文通过对实际制程进行应变测试，总结出某些制程中减少MLCC破裂的方法，以提高产品的可靠性。本文中的应变测试，如无特殊说明，都是基于1.6mm的FR-4 PCB 进行的。

摘要： Strain Gage Test(应变测试)相对于电子制造业来说，是一个比较新的一个概念。应变测试可以量化零件所在位置的应变，而根据这个量化的应变来判断零件破裂的风险，从而为改善措施提供方向。本文通过对实际制程进行应变测试，总结出某些制程中减少MLCC破裂的方法，以提高产品的可靠性。本文中的应变测试，如无特殊说明，都是基于1.6mm的FR-4 PCB 进行的。

摘要： 本发明提供一种可显著提高生产率、同时内部电极与外部电极的密接性极为良好、可靠性高、而且成品率极为良好，进而电气特性等的质量高且稳定的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法、积层陶瓷电容器的中间体的制造中所使用的包含卤系化合物的处理水溶液、积层陶瓷电容器的中间体、以及积层陶瓷电容器的制造方法和积层陶瓷电容器；本发明在制造积层陶瓷电容器的中间体(1)时，将陶瓷层(2)与内部电极(3)交替地层叠多层，将该积层体进行压接、切断而获得积层陶瓷电容器的中间体(4)后，进行该中间体(4)的烧结，接着，使该烧结后的积层陶瓷电容器的中间体(40)的至少端部接触包含卤系化合物的处理水溶液，由此，将陶瓷层(2)的端部进行蚀刻，使埋没在该陶瓷层(2)中的内部电极(3)的端面或端部从该陶瓷层的端面(2)朝向外部露出；此时，使用包含卤系化合物的处理水溶液；另外，在所获得的积层陶瓷电容器的中间体(1)的两端部或侧面的多个部位处，以与内部电极电连接的方式设置外部电极(5)，从而获得积层陶瓷电容器(10)。

摘要： 本公开提供一种多层电容器和其上安装有多层电容器的板组件，所述多层电容器包括：电容器主体，包括第一介电层和第二介电层以及内电极，并且包括第一表面至第六表面；第一外电极和第二外电极，设置在第五六表面和第六表面上；以及第三外电极和第四外电极，设置在第三表面和第四表面上。所述内电极包括：第一内电极，设置在所述第一介电层上，并且连接到所述第一外电极和所述第二外电极；第二内电极，设置在所述第一介电层上，并且连接到所述第三外电极；第三内电极，设置在所述第一介电层上，并且连接到所述第四外电极；以及第四内电极，设置在所述第二介电层上，并且与所述第一内电极至所述第三内电极中的每个的至少一部分叠置。

摘要： 提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体具有层压于所述陶瓷本体中的多个电介质层；工作层，该工作层包括多个内电极，各个所述电介质层插入所述内电极之间；上覆盖层；下覆盖层；外电极；以及多个假电极；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的1/2定义为A，所述下覆盖层的厚度定义为B，所述工作层的总厚度的1/2定义为C，所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述工作层的中心部与所述陶瓷本体的中心部之间偏离的比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

摘要： 本发明公开了一种多层陶瓷电容器的制造方法及多层陶瓷电容器。所述多层陶瓷电容器的制造方法，包括：制备陶瓷体；对所述陶瓷体进行倒角抛光处理；采用筛网对倒角后的所述陶瓷体进行初步分选得到混合物；所述混合物包括所述陶瓷体和与所述陶瓷体体积相当的杂质；采用陶瓷体分选装置对所述混合物进行二次分选，得到所述陶瓷体；分别在所述陶瓷体的两个端面上附上外电极，得到多层陶瓷电容器。本发明能够有效分离出倒角后的陶瓷体中的杂质，从而提供一种小尺寸、电性能可靠的多层陶瓷电容器。

摘要： 本发明提供一种多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有介电层，并包括多个内电极，所述多个内电极设置在所述陶瓷主体中；以及第一侧边缘部和第二侧边缘部，布置在所述陶瓷主体的所述内电极通过其暴露的相对表面上。所述陶瓷主体包括：有效部，在所述有效部中，所述多个内电极被布置为彼此叠置且所述介电层介于内电极之间以形成电容；以及覆盖部，设置在所述有效部的最上面的内电极上方和最下面的内电极下方。所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部包括锡(Sn)，并且所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部中包括的Sn的含量大于所述有效部的所述介电层中包括的Sn的含量。

摘要： 多层陶瓷电容器包括：多层结构，其中每个电介质层和每个内部电极层交替堆叠，电介质层的主要成分是陶瓷，内部电极层的主要成分是金属，其中：内部电极层的主要成分的晶粒边界在内部电极层的延伸方向上的数量为1/μm或更多；并且内部电极层包括主要成分是陶瓷的颗粒。

摘要： 本发明提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体具有层压于所述陶瓷本体中的多个电介质层；工作层，该工作层包括多个内电极，各个所述电介质层插入所述内电极之间；上覆盖层；下覆盖层；外电极；以及多个假电极；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的1/2定义为A，所述下覆盖层的厚度定义为B，所述工作层的总厚度的1/2定义为C，所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述工作层的中心部与所述陶瓷本体的中心部之间偏离的比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

摘要： 本申请提供了一种多层陶瓷电容器和制备多层陶瓷电容器的方法，多层陶瓷电容器包括：电容器本体，所述电容器本体所包围的区域是刚好包围所述电容器本体的虚拟长方体包围盒所包围的区域的一部分；两个各自独立的外电极层，每个所述外电极层覆盖所述电容器本体的外表面的一部分。相对于现有技术来说，本多层陶瓷电容器的电容器本体并不是一个长方体的形状，使一个或两个外电极层部分或者全部嵌入虚拟长方体包围盒未被电容器本体填满的空间，外电极层可以不完全凸出于整个电容器本体甚至完全不凸出于电容器本体，避免外电极层完全凸出于整个电容器本体，使外电极层不易脱落。

摘要： 提供了一种多层陶瓷电容器和具有该多层陶瓷电容器的板组件，所述多层陶瓷电容器包括电容器主体，所述电容器主体包括有效区域和盖，所述有效区域包括交替地设置的多个介电层和多个内电极，且相应的介电层介于所述内电极之间，所述盖分别形成在所述有效区域上和所述有效区域下。所述多层陶瓷电容器还包括外电极，所述外电极设置在电容器主体上以连接到所述内电极。在所述内电极中，邻近于所述盖中的至少一个盖设置的内电极具有至少一个切除部，所述切除部位于所述内电极的连接到所述外电极的部分内，并且所述切除部被介电材料填充(至少部分地填充)。

摘要： 本申请提供了一种多层陶瓷电容器和制备多层陶瓷电容器的方法，多层陶瓷电容器包括：电容器本体，所述电容器本体所包围的区域是刚好包围所述电容器本体的虚拟长方体包围盒所包围的区域的一部分；两个各自独立的外电极层，每个所述外电极层覆盖所述电容器本体的外表面的一部分；所述多层陶瓷电容器所包围的区域与所述虚拟长方体包围盒所包围的区域相同，所述多层陶瓷电容器的形状是长方体。将整个多层陶瓷电容器设置成长方体的形状，使得外电极层完全不凸出于电容器本体，无论多层陶瓷电容器的哪个面直接或者间接受到外力作用，都不至于在较小的接触面积上产生较大的压强，从而导致外电极层松动甚至脱落。