sis公司

摘要： 英国Metalysis已经与国际合作伙伴签署了合作研发课题，共同开发高端铝钪合金。研发课题将使用Metalysis电化学技术加入富钪原料从而协助主要合金的生产。铝钪合金具有独特的高强度和轻重量特性。尽管钪元素有非常好的特性，但高成本限制了其应用，到目前为止，它主要是作为副产品被开采，没有足够的供应量保证。作为合金添加剂，钪元素使制造成本提高了三倍。

摘要： 英国的LPW技术公司和Metalysis公司将合作开发球形钽和钨粉的可替代的供应链，用于质量严格要求的产品。该合作将Metalysis公司用电解法直接从氧化物制造金属粉的技术，与LPW的球化和后处理能力结合在一起。

摘要： 加拿大Grafoid公司收购了安大略省渥太华的分析服务提供商MuAnalysis公司。MuAnalysis为电子应用、光子应用、生命科学和制造工业提供分析，并为电子显微术、光学显微术、材料和缺陷分析技术以及可靠性测试提供专家咨询。这家公司是Grafoid公司在过去12个月收购的第三家高科技公司，之前收购了佛罗里达萨拉索塔的Braille电池公司和安大略省金士顿的Alcereco公司。

摘要： 澳大利亚澳禄卡资源有限公司（Iluka Resources Limited）继2014年投资英国Metalysis有限公司2250万澳元、2015年投资410万澳元后，再次追加投资1250万澳元。Metalysis公司主要生产用于金属3D打印的低成本钛金属粉末，其专有技术是可以直接将金红石通过电解变成钛金属粉末。该技术可以降低从钛原料到生产出钛金属粉末的时间和成本，并且可以减少50％的能源浪费。

摘要： 2015年伊始，位于加州卡尔斯巴德市的生物技术公司Isis医药公司再迎来一个开门红。Isis生物技术公司与强生公司签订了一项价值高达8亿3千5百万美元的合作协议，共同开发用于治疗肠道自身免疫疾病的RNA药物。这是继阿斯利康公司扩大与Isis医药公司的合作之后，Isis公司迎来的又一项重大合作关系。双方并未透露此次合作的具体细节，仅表示这一协议中包括了约3项药物研发工作。

摘要： 牛津大学的研究人员发明了一种通过使用专业化的纳米粒子为发育受损的胚胎补充分子缺陷的新方法。通过直接的、非侵入性方式，把具有生物活性的化合物送达精子、卵母细胞和胚胎。该方法也能为诊断探针和传染剂制造商所利用。该创新系统有待于在英国国内申请暂时专利。ISIS公司欢迎与生物技术、试管受精和制药行业洽谈技术许可。该技术在国内外有很大市场，外方期望技术转让该实验室成果。

摘要： 吉凯恩航空公司、英国凤凰科技产业、Metalysis公司以及利兹大学将联合实施TiPOW项目，即开发适用于采用增材制造方式制备航空部件的钛粉，并通过方法优化不断降低成本，其目的在于研发出低成本制造太分的设备及相关技术。

摘要： 10月27日，由中国宇航学会和荷兰航天企业联盟联合主办的第三届中荷航天企业对接会在北京召开。来自中国国家航天局、中国航天科技集团公司、中国航天科工集团公司、荷兰空间办公室、荷兰驻华使馆、荷兰应用科学研究组织、荷兰ISIS公司、荷兰空客公司、和德荷兰公司等26家中荷企业近70名与会代表参加了本届对接会。中国国家航天局系统工程司江辉调研员、荷兰空间办公室主任盖尔钮保特分别作“中国航天的发展”、“荷兰航天发展”主旨报告。

摘要： 海信CORTEZ机芯液晶彩电，采用GENESIS公司CORTEZ机芯方案，主集成电路U601采用FLl8532，子画面通道图像处理集成电路U502采用FLl8125，HDMI信号解码集成电路U407采用Sil9011，程序存储器XU801采用SST39VF800A，

摘要： 根据Cropnosis公司的调研，2013年全球农化市场增长近8．9％，达到558亿美元，而2014年的预计增长率只有4．4％。农产品价格普遍较低是市场增长率出现下降趋势的原因之一。作物保护行业不同领域间的增长率差异较大。种子处理市场2013年的增长率最高，为13％，2014年预计将继续看涨。

摘要： 本发明涉及一种Si3N4w/Si预制体及利用该预制体制备Si3N4w/Si3N4复合材料的方法，以盐酸为pH调节剂，在酸性条件下将Si粉的引入与Si3N4晶须预制体的成型相结合，提高了比表面积较高的微米级Si粉在水基浆料中的稳定性；同时以聚乙烯醇为分散剂，实现了Si3N4晶须在酸性浆料中的稳定分散，得到了Si3N4w/Si复相高体积分数协同稳定悬浮浆料。Si粉氮化反应过程体积膨胀，可有效占据预制体中的孔隙；将多孔Si3N4w/Si预制体放入氮化炉中，通入N2，使预制体中的Si粉发生氮化反应，在Si3N4晶须上原位生成氮化硅，得到Si3N4w/Si3N4复合材料。本发明发展的方法适合用于制备大尺寸复杂形状构件，通过凝胶注模结合原位反应，可获得一种各向同性、残余应力较小的高性能陶瓷基复合材料。

摘要： 本发明公开了一种Si(100)晶片上平直的Si{111}与Si{110}面交线的制备方法，实施步骤包括：准备添加有用于降低面刻蚀速率的添加剂的刻蚀液；将用于制备Si{111}与Si{110}面交线的Si(100)晶片放置在刻蚀液中进行刻蚀，且定时往刻蚀液中补充添加剂使得刻蚀液的组分浓度恒定；在Si(100)晶片刻蚀作业达到指定时间后取出。通过本发明可使Si{111}面和过刻蚀Si{110}面光滑平整，Si{111}面和过刻蚀Si{110}面面交线平直度达到理想状态，减小因凸角和粗糙表面引起的应力集中和硅结构部件的变形，改善MEMS器件结构的对称性和平衡性，减小了MEMS器件的误差，提高了MEMS器件性能和灵敏度。

摘要： 提供具有高导电率和良好的加工性、且具有高强度的Al－Mg－Si系合金材料。将具有纤维组织的Al－Mg－Si系合金材料的抗拉强度设为280MPa以上，并将导电率设为54％IACS以上。

摘要： 本发明公开了一种基于Si‑Si‑Si‑玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺，该MEMS谐振式压力传感器从顶到底的顺序是Si压力敏感层、Si谐振器层、Si坑槽衬底层、玻璃坑槽衬底层，Si压力敏感层与Si谐振器层、Si谐振器层与Si坑槽衬底层采用Si‑Si键合工艺键合；Si坑槽衬底层与玻璃坑槽衬底层采用Si‑玻璃阳极键合工艺键合。其中Si压力敏感层与Si谐振器层之间有第一SiO2层，Si谐振器层与Si坑槽衬底层之间有第二SiO2层。本发明的MEMS压力传感器，降低了MEMS微纳加工与高真空封装工艺难度、有效消减残余应力与热应力、提高真空参考腔的可靠度和真空度及其及长期维持能力、提高温度补偿准确度，实现压力传感器综合精度及稳定性的提升。

摘要： 本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法。本发明给出的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结中，位于顶端Si2Te3纳米圆锥长度为10um；主干Si2Te3/Si纳米线直径为300nm；长度为50um，制备方法为：将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚放入石英管炉中，再将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方，将石英管炉抽真空至‑1下加热至850°C，并保持3‑5分钟，最后将衬底迅速冷却至室温，即可制备出Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结。本发明制备所得的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结兼具了Si2Te3纳米线特性和Si纳米线特性，且制备工艺简单可控，重复性好。

摘要： 本发明涉及一种Si3N4w/Si预制体及利用该预制体制备Si3N4w/Si3N4复合材料的方法，以盐酸为pH调节剂，在酸性条件下将Si粉的引入与Si3N4晶须预制体的成型相结合，提高了比表面积较高的微米级Si粉在水基浆料中的稳定性；同时以聚乙烯醇为分散剂，实现了Si3N4晶须在酸性浆料中的稳定分散，得到了Si3N4w/Si复相高体积分数协同稳定悬浮浆料。Si粉氮化反应过程体积膨胀，可有效占据预制体中的孔隙；将多孔Si3N4w/Si预制体放入氮化炉中，通入N2，使预制体中的Si粉发生氮化反应，在Si3N4晶须上原位生成氮化硅，得到Si3N4w/Si3N4复合材料。本发明发展的方法适合用于制备大尺寸复杂形状构件，通过凝胶注模结合原位反应，可获得一种各向同性、残余应力较小的高性能陶瓷基复合材料。

摘要： 本发明的形成含Si薄膜的方法，气化稳定性优良，具有较高的成膜速度。与以往的含有有机Si的化合物相比可以在更低的温度下气相沉积或者液相外延、而且得到的膜强度较大。本发明的形成含Si薄膜的方法，其特征在于使用如右式(1)所示的具有Si－Si键的含有机Si化合物以形成含Si薄膜，其中R

摘要： 本发明公开了一种组合物，该组合物包含甲硅烷基氢化物、硅氧烷和桥联受阻路易斯对的混合物，并且可被热触发以固化。

摘要： 本申请公开了一种Li‑Al‑Si系统微晶玻璃的制备方法和用途,以质量百分数计，玻璃的原料包括62％～72％的SiO2、10％～18％的Al2O3、8％～15％的Li2O、1％～3％的Na2O、0.5％～2％的TiO2+ZrO2、0～0.5％的SnO2、2～5％的B2O3、2～5％的P2O5、0～5％的Sb2O3。在熔制过程中，通过鼓泡和搅拌，对玻璃液消除气泡和条纹，最后进入模具内冷却成型；制备出的玻璃折射率在1.525～1.535范围内，于500nm波长可见光透过率接近90％以及力学性能满足实际生产的各项指标要求，增强玻璃在电子消费品的实用性。

摘要： 本发明公开了一种基于Si‑Si‑Si‑玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺，该MEMS谐振式压力传感器从顶到底的顺序是Si压力敏感层、Si谐振器层、Si坑槽衬底层、玻璃坑槽衬底层，Si压力敏感层与Si谐振器层、Si谐振器层与Si坑槽衬底层采用Si‑Si键合工艺键合；Si坑槽衬底层与玻璃坑槽衬底层采用Si‑玻璃阳极键合工艺键合。其中Si压力敏感层与Si谐振器层之间有第一SiO2层，Si谐振器层与Si坑槽衬底层之间有第二SiO2层。本发明的MEMS压力传感器，降低了MEMS微纳加工与高真空封装工艺难度、有效消减残余应力与热应力、提高真空参考腔的可靠度和真空度及其及长期维持能力、提高温度补偿准确度，实现压力传感器综合精度及稳定性的提升。