复合命题

摘要： 近几年高考中简易逻辑试题是以考查基本概念、性质与其他知识相结合为主的客观题形式出现,难度一般较低。但几乎年年必考,多以小题为主,有时也会在大题中出现,简易逻辑几乎可以与中学阶段的所有知识点相结合,所以命题的范围特别广。备考中,需要注意以下几点:一、逻辑联结词与复合命题真假的判断对逻辑联结词的考查一般是通过对复合命题的真假判断来实现的。

摘要： 常用逻辑用语问题是高考的热点内容之一,主要以选择题、填空题的形式出现,一般难度不大.纵观近几年的高考题,发现考点题型有以下几个方面,以便同学们在复习时参考.

摘要： 学习逻辑联结词,重点要掌握使用联结词＂且＂＂或＂＂非＂的命题的含义和用法.本文中,我们通过典型例题,加深同学们对逻辑联结词与复合命题的理解,提高运用逻辑联结词在解决判断与推理、转化数学问题中的逻辑思维能力.用逻辑联结词表述新命题例1已知下列两个命题：p：三角形的三条中线相等;q：三角形的三条中线相交于一点.试表述下列新命题：（1）p∧g;（2）p∨g;（3）（？）p.分析问题（1）（2）（3）分别对应用＂且＂＂或＂＂非＂组成新命题.解（1）p∧q：三角形的三条中线相等且交于一点;

摘要： 高考对简易逻辑的考查主要以“命题的四种形式及真假的判断、充分必要条件的合理判断及与创新题交汇、含简单的逻辑联结硼的命题真假判断、命题的否定、复合命题真假的判断及应用”等经典问题呈现，凸显简易逻辑的工具性及交汇性。

摘要： 同学们在解一些复合命题时容易出现逻辑错误，特别是不等式恒成立问题或者有解问题，现举例说明两个值得注意的逻辑错误，提醒同学们在平时的学习中注意。

摘要： 在《名师伴你行》数学高一同步创新版的《常见复合命题的三个误区》一文中,对常见复合命题的三个误区论述的非常精辟,但笔者认为其所举事例还不够详尽,还有其他误区没有阐述,从而造成有自相矛盾的地方.下面将在此文的基础上予以补充和完善,使其更加完美.误区之一：不含逻辑联结词的命题是简单命题;含逻辑联结词的命题是复合命题例1判断下列命题是否是复合命题：（1）3≥2;（2）若x∈A且x∈B,则x∈A∩B.

摘要： 人教版《数学》(选修2-1)"常用逻辑用语"主要学习内容为:命题定义中的判断性和真假性,包含"或""且""非"的复合命题及其真假判定,基于"若P则q"四种命题的构成和真假关系,充分性、必要性的界定、分类和判断。其难点是命题的概念、命题的否定、四种命题及充分必要性的定义及其判定。那么命

摘要： "非"在逻辑中表示否定的含义,在讲道理的过程中,"非"很重要,一个命题p的非就是命题p的否定,记作■p。在实际教学中,"非"容易出错误,中学阶段常遇到的是对简单命题、含联结词"或"与"且"形式的复合命题、含全称量词()与存在量词(■)等命题的否定,难度均不大,学生基本可以掌握。下面,笔者结合例题介绍自己对"非"容易出问题的假言命题的否定的理解。

摘要： 本发明涉及在热塑性树脂发泡粒子的表面经由未固化状态的热固性树脂而附着有强化纤维的复合粒子、所述复合粒子的固化物、所述复合粒子的模内成形体、所述复合粒子与强化纤维片材的层叠体、所述复合粒子的复合体以及复合粒子的制造方法。

摘要： 本发明涉及膜，其特征在于，实质上包含铟、锡、镁和氧，锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5～15％的比例含有，镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1～2.0％的比例含有，剩余部分包含铟和氧，并且通过在260°C以下的温度下进行退火，膜结晶化，膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于提供ITO基膜、该膜的制造方法以及用于制造该膜的烧结体，所述ITO基膜具有如下特性：通过将用于平板显示器用显示电极等的ITO基薄膜在衬底无加热的状态下、在成膜时不添加水而进行溅射成膜，得到非晶质的ITO基膜，并且该ITO基膜通过在260°C以下的不太高的温度下进行退火而结晶化，结晶化后的电阻率降低。

摘要： 本发明涉及一种复合膜（10）、尤其是用于食物或食品行业中的包装（1）的复合膜，它包括至少一个由可封合的材料制成的封合层（12），所述封合层至少间接地与一个用作外层的第一层（11）连接，其中，所述封合层（12）具有比第一层（11）低的熔点。按照本发明，在封合层（12）的背对第一层（11）的侧上与封合层（12）作用连接地设置一个用作内层的第二层（13），该第二层（13）具有比封合层（12）高的熔点，该第二层（13）具有被封合层（12）覆盖的至少一个贯穿开口（17；17a至17c）。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 详细说明一种具有层序列(50)的前体复合材料(60)，该层序列包括黏合层(20)、黏合层(20)上的载体层(10)、载体层(10)上的离型层(40)和离型层(40)上的分离层(30)，层序列(50)的布置为：黏合层(20)背离层序列(50)的一面至少布置在分离层(30)背离层序列(50)一面的部分区域中。进一步详细说明了一种复合材料、用于制备该前体复合材料的方法、用于制备该复合材料的方法以及前体复合材料的用途和复合材料的用途。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 本发明涉及在热塑性树脂发泡粒子的表面经由未固化状态的热固性树脂而附着有强化纤维的复合粒子、所述复合粒子的固化物、所述复合粒子的模内成形体、所述复合粒子与强化纤维片材的层叠体、所述复合粒子的复合体以及复合粒子的制造方法。

摘要： 本发明涉及膜，其特征在于，实质上包含铟、锡、镁和氧，锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5～15％的比例含有，镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1～2.0％的比例含有，剩余部分包含铟和氧，并且通过在260°C以下的温度下进行退火，膜结晶化，膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于提供ITO基膜、该膜的制造方法以及用于制造该膜的烧结体，所述ITO基膜具有如下特性：通过将用于平板显示器用显示电极等的ITO基薄膜在衬底无加热的状态下、在成膜时不添加水而进行溅射成膜，得到非晶质的ITO基膜，并且该ITO基膜通过在260°C以下的不太高的温度下进行退火而结晶化，结晶化后的电阻率降低。

摘要： 本发明涉及一种复合膜（10）、尤其是用于食物或食品行业中的包装（1）的复合膜，它包括至少一个由可封合的材料制成的封合层（12），所述封合层至少间接地与一个用作外层的第一层（11）连接，其中，所述封合层（12）具有比第一层（11）低的熔点。按照本发明，在封合层（12）的背对第一层（11）的侧上与封合层（12）作用连接地设置一个用作内层的第二层（13），该第二层（13）具有比封合层（12）高的熔点，该第二层（13）具有被封合层（12）覆盖的至少一个贯穿开口（17；17a至17c）。

摘要： 本发明涉及膜，其特征在于，实质上包含铟、锡、镁和氧，锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5～15％的比例含有，镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1～2.0％的比例含有，剩余部分包含铟和氧，并且通过在260°C以下的温度下进行退火，膜结晶化，膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于提供ITO基膜、该膜的制造方法以及用于制造该膜的烧结体，所述ITO基膜具有如下特性：通过将用于平板显示器用显示电极等的ITO基薄膜在衬底无加热的状态下、在成膜时不添加水而进行溅射成膜，得到非晶质的ITO基膜，并且该ITO基膜通过在260°C以下的不太高的温度下进行退火而结晶化，结晶化后的电阻率降低。