复合半导体

摘要： 用溶剂热法合成了一系列不同铋含量的片状铋/钒酸铋(Bi/BiVO4)复合光催化剂.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)、电感耦合等离子发射光谱(ICP-OES)、氮气吸附脱附和光电流响应等技术对所制备的催化剂进行了表征.通过氙灯下光催化降解亚甲基蓝的性能来评价样品的光催化活性,实验结果表明铋的自掺杂能显著提高钒酸铋的光催化活性.最后,通过自由基捕获实验对铋/钒酸铋光催化机理进行了探讨.

摘要： 将自制层状石墨相氮化碳(g-C3N4)和WO3纳米片均匀混合,经煅烧制备WO3/g-C3N4复合半导体.利用XRD、SEM、TEM、UV-Vis DRS和PL对其进行表征.结果表明,g-C3N4呈现类石墨烯状片层结构,WO3为纳米片状结构,且分散在g-C3N4表面;与WO3复合后,UV-Vis吸收边发生了红移,拓宽了g-C3N4对可见光的响应.以罗丹明B(RhB)为模拟污染物,考察WO3/g-C3N4的光催化降解性能.WO3/g-C3N4质量比为1:5时,表现出最佳的光催化活性,可见光照60 min后,RhB降解率可达到94.9％.光催化剂具有良好的稳定性,重复使用6次后,RhB的降解率依然达到88.9％.光催化机制研究表明,超氧自由基(·O2?)是光催化降解RhB的主要活性物种.

摘要： 以碳球为模板,采用溶剂热法合成了WO3/ZnO复合半导体材料.采用XRD、SEM、EDS对材料物相、形貌、成分和微结构进行了表征,并研究其对亚甲基蓝的降解.结果表明:所制备的WO3/ZnO半导体是由纳米颗粒自组装而成,具有中空结构;相对于纯相的单个组分ZnO,WO3/ZnO异质结复合材料的吸收谱峰明显地向长波区红移,对亚甲基蓝的最大吸收波长为664 nm,其禁带宽度为3.64 eV;在40 min内使10 mg/L亚甲基蓝的浓度降低了90％,60 min后完全降解,并具有良好的循环稳定性.WO3/ZnO复合光催化剂降解过程符合一级反应动力学,其反应速率常数ka=5.58×10?2 h?1.降解机理研究表明,WO3和ZnO之间满足能级匹配条件,能形成n-n型WO3/ZnO异质结,可以有效促使材料的载流子迁移和光生电子?空穴对的分离,从而提高材料的光催化性能.

摘要： 通过水热合成和热处理相结合的方法制备p-n型CaFe2O4/WO3异质结复合材料.采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET及UV-Vis-DRS对材料结构和性能进行表征和测试,并研究了水溶性染料亚甲基蓝(Methylene blue)的光催化降解.结果表明:相对于单相WO3,p-n型CaFe2O4/WO3复合材料的响应范围明显地扩展到更高波长的可见光区,能高效地实现光催化降解有机染料亚甲基蓝.CaFe2O4/WO3质量比为5％的CaFe2O4/WO3复合材料比表面积为19.7 m2/g,孔径分布在20～150 nm之间;在模拟可见光降解50 mg/L的亚甲基蓝实验中,其在6 h内的降解率达到了90％,重复3次的光催化降解率仍有86％,降解反应速率常数ka为0.180 h?1,显示出优异的光催化降解能力和循环稳定性.降解机理研究表明,WO3和CaFe2O4之间的价带和导带关系满足能级匹配条件,可形成p-n型CaFe2O4/WO3异质结,从而提高复合材料的光催化活性.

摘要： 通过水热合成和热处理相结合的方法制备p-n型CaFe_(2)O_(4)/WO_(3)异质结复合材料。采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET及UV-Vis-DRS对材料结构和性能进行表征和测试,并研究了水溶性染料亚甲基蓝(Methylene blue)的光催化降解。结果表明:相对于单相WO_(3),p-n型CaFe_(2)O_(4)/WO_(3)复合材料的响应范围明显地扩展到更高波长的可见光区,能高效地实现光催化降解有机染料亚甲基蓝。CaFe_(2)O_(4)/WO_(3)质量比为5%的CaFe_(2)O_(4)/WO_(3)复合材料比表面积为19.7 m^(2)/g,孔径分布在20~150 nm之间;在模拟可见光降解50 mg/L的亚甲基蓝实验中,其在6 h内的降解率达到了90%,重复3次的光催化降解率仍有86%,降解反应速率常数k_(a)为0.180 h^(-1),显示出优异的光催化降解能力和循环稳定性。降解机理研究表明,WO_(3)和CaFe_(2)O_(4)之间的价带和导带关系满足能级匹配条件,可形成p-n型CaFe_(2)O_(4)/WO_(3)异质结,从而提高复合材料的光催化活性。

摘要： 以碳球为模板,采用溶剂热法合成了WO_(3)/ZnO复合半导体材料。采用XRD、SEM、EDS对材料物相、形貌、成分和微结构进行了表征,并研究其对亚甲基蓝的降解。结果表明:所制备的WO_(3)/ZnO半导体是由纳米颗粒自组装而成,具有中空结构;相对于纯相的单个组分ZnO,WO_(3)/ZnO异质结复合材料的吸收谱峰明显地向长波区红移,对亚甲基蓝的最大吸收波长为664 nm,其禁带宽度为3.64 eV;在40 min内使10 mg/L亚甲基蓝的浓度降低了90%,60 min后完全降解,并具有良好的循环稳定性。WO_(3)/ZnO复合光催化剂降解过程符合一级反应动力学,其反应速率常数k_(a)=5.58×10^(-2) h^(-1)。降解机理研究表明,WO_(3)和ZnO之间满足能级匹配条件,能形成n-n型WO_(3)/ZnO异质结,可以有效促使材料的载流子迁移和光生电子-空穴对的分离,从而提高材料的光催化性能。

摘要： 台湾w附半导体公司已经在其最新的晶圆厂FabC完成了第二阶段扩容，将其制造能力提高了20％。该设施现在配备了洁净室、高效率生产线和用于生产GaAs单片微波集成电路（MMIC）的先进设备。该设施还具有复合半导体的外延生长能力以及光学器件的制造和测试功能。

摘要： 台湾稳懋半导体是全球首座以六英寸晶圆生产砷化镓电路的专业晶圆代工服务厂。近期,稳懋完成了新一轮晶圆厂翻新扩张,对其第三家最新的晶圆厂（Fab C）配备最先进的净化间、工艺线和砷化镓微波集成电路（GaAs MMIC）生产设备,以及复合半导体外延生长、制造和光学检测设备。稳懋主要提供HBT、pHEMT、集成BiH EMT方案和光学设备,用于功率放大器、WiFi、无线区域性网络基建和光学市场。

摘要： 以硫化物和氧化物为代表的半导体材料在水解产氢、还原固碳、降解污染和杀菌灭活等方面都发挥着非常重要的环境效益和应用价值.寻求物料来源丰富、制备工艺简单、价格低廉且高效清洁的可见光光催化材料逐渐成为了新的趋势和挑战.本研究以天然含铁闪锌矿为原料，在空气气氛下高温加热制备得到氧化锌(Zn0)和锌铁尖晶石(ZnFe204)复合半导体材料。一系列矿物学、热学、磁学、光电化学等测试对Zn0/ZnFe2O4进行了表征，并与闪锌矿进行了可见光光催化的对比实验。

摘要： TiO2具有无毒、价廉、性质稳定等优点,但由于其禁带较宽,只具有紫外光有响应,不能充分利用占太阳光能量的43％可见光能量,这在很大程度上限制了其应用.本研究以TiCl3为前驱体,采用水热法制备了不同质量比Fe2O3/TiO2复合半导体,并用XRD、SEM、UV-Vis吸收光谱等手段表征其物相、形貌和光响应特征;考察Fe2O3/TiO2复合半导体在可见光照射下光催化还原Cr(Ⅵ)的性能,探讨溶液pH和空穴捕获剂对其光催化性能的影响.

摘要： 本文采用共沉淀法制备了La203/SnO2和Fe203/SnO2纳米复合半导体光催化剂，从制备过程中发现:焙烧温度、焙烧时间和活性组分配比是影响复合催化剂光催化活性的重要因素。

摘要： 本文采用共沉淀法制备了La2O3/SnO2和Fe2O3/SnO2 纳米复合半导体光催化剂，从制备过程中发现：焙烧温度、焙烧时间和活性组分配比是影响复合催化剂光催化活性的重要因素。XRD(X射线衍射)，TEM(透射电镜)，BET(比表面积)和UV-Vis(紫外-可见光分光光度计)漫反射等的表征结果表明热处理温度对样品的晶型、晶粒大小、比表面积和光吸收性能等的影响比较显著。实验表明两种催化剂的最佳热处理温度均为400°C，该温度下焙烧制得的样品颗粒粒径较小、分布相对比较均匀，对400nm以上的可见光均有一定的吸收。经400°C热处理后，La2O3/SnO2和Fe2O3/SnO2纳米复合光催化剂的平均晶粒大小分别为8.5和15nm，比表面积分别为155.29和110.86m2/g。随着热处理温度的升高，样品的晶粒尺寸逐渐增大，孔径逐渐扩大，而BET比表面积却以相反的趋势变化。

摘要： 本工作针对烷烃光催化氧化合成含氧化合物的反应,采用表面改性法制备出负载型复合半导体VO-TiO/SiO催化剂,利用X射线衍射、比表面测定、激光拉曼光谱、程序升温还原、紫外可见漫反射等技术对固体材料的结构和光响应性能进行了表征,并对VO和TiO两种半导体在VO-TiO/SiO催化剂表面上的相互修饰作用进行了深入地探讨.

摘要： 本研究采用溶胶—凝胶法制备的复合半导体WO/TiO催化剂,对氯乙酸水溶液进行了光催化氧化降解实验研究.结果表明,WO/TiO复合半导体的催化活性显著高于纯TiO半导体,在紫外光照射下对水中一氯乙酸催化降解的脱氯速率前者是后者的5倍左右,复合半导体的组成、用量、pH等因素对氯乙酸光催化降解效果均有较大的影响.

摘要： 介绍一些光催化剂的制备方法，并探讨了光催化剂的研究及其发展方向。进一步提高光解水催化剂的光催化活性，利用一种或多种金属和非金属共同掺杂半导体，以及在二元甚至多元复合半导体表面上负载贵金属或稀土元素提高光催化活性将成为未来研究的重点;开展新型可见光响应多元金属氧化物光催化剂的设计，探索新型高效的可见光响应光催化材料。

摘要： 采用微波辐射法制备了复合型半导体光催化材料TiO2/ZnO,利用X射线衍射(XRD)测试技术对TiO2/ZnO复合型半导体光催化材料进行了表征.用甲基橙模拟有机废水,在高压汞灯模拟日光光照的条件下,研究了复合型半导体光催化材料TiO2/ZnO光催化降解有机废水的过程.研究结果表明,微波辐射法制备的复合型半导体光催化材料TiO2/ZnO具有很好的光催化性能,对甲基橙的光降解效率可以达到100％.

摘要： 本文从提高可见光利用率入手,首先制备了InVO/TiO复合半导体,为降低光生电子—空穴的复合率,在InVO/TiO复合半导体上又负载了Pt(IV),经低温煅烧形成Pt(IV)/InVO/TiO光催化剂.

摘要： 光催化剂在抗菌防霉以及环境净化等方面有着广泛应用,但光催化剂的催化作用需要在光照条件下才能实现.因此,近年对具有储能功能、在无光条件下也可持续催化作用的新型光催化材料的研究已成为研究者极为关注的热点.本文综述了近年来储能型光催化的研究进展,介绍了储能原理、性能评价以及存在问题和展望.

摘要： 本发明是一种密封材料积层复合体，其特征在于，用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面；并且，包括支持晶片、及由被形成于该支持晶片的一面上的未固化的热固化性树脂所构成的未固化树脂层。这样一来，可以提供一种密封材料积层复合体，所述密封材料积层复合体即使在密封通用性非常高、大直径或薄型的基板/晶片的情况，也能够抑制基板/晶片的翘曲、及半导体元件的剥离，并能够以晶片级总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面，且密封后的耐热性和耐湿性等优异。

摘要： 提出一种用于半导体芯片的壳体(1)，所述壳体具有前侧(2)和与前侧相对置的后侧(3)，其中‑前侧具有用于半导体芯片的固定面(21)；‑后侧具有用于安装壳体的安装面(31)，其中安装面倾斜于固定面伸展；并且‑后侧具有支承面(35)，所述支承面平行于固定面伸展。此外，提出一种具有多个这种壳体的壳体复合件、一种具有这种壳体的半导体器件、一种器件装置和一种用于制造半导体器件的方法。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体是包含有机基团和配位性基团的有机配体，所述配体I是下述通式(1)表示的巯基羧酸，所述配体I在所述配体中所占的摩尔分数为0.2mol％～35.0mol％，通式(1)：HS‑X‑(COOH)n(1)通式(1)中，X表示(n+1)价的烃基，n表示1～3的自然数。根据本发明，能够提供：能够在保持半导体纳米粒子的较高的荧光量子效率(QY)的同时，以高质量分数分散在具有极性的分散介质中的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子是具有含有In和P的芯和1层以上的壳的芯/壳型半导体纳米粒子，所述半导体纳米粒子还包含卤素，在所述半导体纳米粒子中，以原子计，卤素相对于In的摩尔比为0.80～15.00，所述配体包含1种以上的下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，HS‑R1‑COO‑R2(1)，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.20以上，所述巯基脂肪酸酯的分子量为700以下，并且所述配体整体的平均SP值为9.10～11.00。根据本发明，可提供：在保持半导体纳米粒子的较高的荧光量子效率(QY)的同时，能够以高质量分数分散在具有极性的分散介质中的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 本发明提供以高浓度分散有半导体纳米粒子复合体，并且具有较高的荧光量子效率的半导体纳米粒子复合体组合物。本发明的实施方式的半导体纳米粒子复合体组合物是将半导体纳米粒子复合体分散在分散介质中而得到的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子复合体具有半导体纳米粒子和配位至所述半导体纳米粒子的表面的配体，所述配体包含有机基团，所述分散介质为单体或预聚物，所述半导体纳米粒子复合体组合物还包含交联剂，所述半导体纳米粒子复合体组合物中的所述半导体纳米粒子的质量分数为30质量％以上。

摘要： 本发明提供：使半导体纳米粒子在保持较高的荧光量子效率(QY)的情况下，以高质量分数分散在具有极性的分散介质中而得到的半导体纳米粒子复合体分散液。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体分散液为将半导体纳米粒子复合体分散至有机分散介质中而得到的分散液，其中，所述半导体纳米粒子复合体包含：包含脂肪族硫醇配体和极性配体的2种以上的配体；和在表面配位有所述配体的半导体纳米粒子，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述极性配体在所述有机基团中包含亲水性官能团，所述有机分散介质的SP值为8.5以上。

摘要： 本发明提供一种能够抑制贴合界面的空隙等发生的IIIA族氮化物半导体复合基板、IIIA族氮化物半导体基板和IIIA族氮化物半导体复合基板的制造方法。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体复合基板包括由具有导电性且熔点为1100°C以上的导电性材料形成的基材(10)、设置在基材(10)上的IIIA族氮化物层(20)和设置在IIIA族氮化物层(20)上的IIIA族氮化物单晶膜(30)，IIIA族氮化物层(20)在IIIA族氮化物层(20)的与IIIA族氮化物单晶膜(30)相接的面上，具有由凹凸形成的波纹，该波纹的0.1(/μm)以上但小于1(/μm)的空间波长区域内的一元功率谱密度为小于500nm

摘要： 说明一种具有载体(2)和有用层(5)的复合衬底(1)，其中所述有用层借助介电连接层(3)固定在所述载体(2)上并且所述载体(2)包含辐射转换材料。此外，说明一种具有这样的复合衬底的半导体芯片(10)、一种用于制造复合衬底的方法以及一种用于制造具有复合衬底的半导体芯片的方法。