增长级
增长级的相关文献在1990年到2022年内共计233篇,主要集中在数学、世界各国经济概况、经济史、经济地理、经济计划与管理
等领域,其中期刊论文233篇、专利文献87357篇;相关期刊104种,包括广东广播电视大学学报、贵州师范大学学报(自然科学版)、湖北大学学报(自然科学版)等;
增长级的相关文献由206位作者贡献,包括陈宗煊、袁文俊、刘慧芳等。
增长级—发文量
专利文献>
论文:87357篇
占比:99.73%
总计:87590篇
增长级
-研究学者
- 陈宗煊
- 袁文俊
- 刘慧芳
- 易才凤
- 龙见仁
- 蔡惠京
- 周鉴
- 张建军
- 王珺
- 金瑾
- 周红霞
- 孙道椿
- 毛志强
- 田宏根
- 黄志刚
- 伍鹏程
- 吕巍然
- 陆万春
- 刘莉
- 孙桂荣
- 戚建明
- 曹月波
- 甘会林
- 高凌云
- 刘名生
- 刘玉成
- 徐洪焱
- 晁志英
- 曹廷彬
- 李云霞
- 李叶舟
- 李春生
- 李纯红
- 杨丛丽
- 涂金
- 田范基
- 肖丽鹏
- 胡梦薇
- 郑少薇
- 郑秀敏
- 陶磊
- 龙芳
- 万成高
- 余军扬
- 冯斌
- 刘素红
- 吴秀碧
- 张于
- 张石梅
- 彭娟
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邱迪;
蒋业阳
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摘要:
研究差分Painlevé方程组{x(z+1)+x(z)=(a_(1)z+b_(1))y(z)+c_(1)y(z)^(2)/y(z)^(2)-1 y(z)+y(z-1)=(a_(2)z+b_(2))x(z)+c_(2)x(z)^(2)/x(z)^(2)-1的有理函数解的存在性,并给出例子说明我们结果是精确的。进而,我们还研究了此方程组的超越亚纯解的增长级下界的精确估计:在一些条件下,其超越亚纯解(x(z),y(z))的增长级满足ρ(x)=ρ(y)≥1。
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谭晖;
肖丽鹏
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摘要:
该文研究了一类高阶线性微分方程f~((k))+A_(k-1)f~((k-1))+…+A_(1)f′+A_(0)f=F(z)解的增长性,其中A_(0),A_(1),…,A_(k-1),F(z)是整函数,并且A_(0)、A_(1)是另一个2阶线性方程的非平凡解.推广了龙见仁等得到的结果.
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刘曼莉;
高凌云
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摘要:
该文致力于研究两个问题.首先,考虑了如下一类复合函数-微分方程(w')nw(n)=awn+1(g)+bw+d亚纯解的存在性问题,得到了当a≠0,6,d是复常数且w是一个超越亚纯函数时,则g必为线性的.其次,鉴于方程和方程组之间的本质区别,研究复合函数方程组是有意义的.该文也考虑了一类复合函数方程组,在适当限制条件下,得到了其亚纯解的存在形式.有例子表明文中的结论是成立的.
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卫玉明;
刘凯;
高迎春
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摘要:
研究函数型微分方程f(z1+z2)=f(z1)f(z2)-f′(z1)f′(z2)的亚纯函数解,得到此方程的亚纯函数解f(z)必为整函数,且必为下列形式之一:(ⅰ)f1(z)≡0,(ⅱ)f2(z)≡1,(ⅲ)f3(z)=11-a2eaz,a是常数,(ⅳ)f4(z)=C1eλ1z+C2eλ2z,其中λ1,λ2为λ2-Cλ+1=0的两个根,C1(1-λ21)=1,C2(1-λ22)=1,C为任意常数.
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龙芳
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摘要:
利用Nevanlinna理论研究了亚纯函数的Borel方向和超越方向之间的关系以及函数与其导数的公共超越方向.当亚纯函数具有正增长级时,其Borel方向必然是该函数的超越方向.对于有穷正级ρ的整函数,含有Borel方向的超越方向集合分支的Lebesgue测度至少为min{2π,π/ρ},且其导数的超越方向必然也是该函数的超越方向.
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张晓梅;
孙道椿;
柴富杰
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摘要:
研究了复平面上和单位圆内的不可约的有限正级代数体函数的Borel方向和确定该代数体函数的系数函数的Borel方向间的关系:通过巧妙构造扇形和单位圆之间的保形变换,应用Nevanlinna基本定理,结合涉及系数函数的Valiron特征,在考察代数体函数与其系数函数的增长性的基础上,得到了2个有趣的定理;证明了复平面上的有限正级的整代数体函数的系数函数的p级Borel方向必然是代数体函数本身的至少p级的Borel方向,而单位圆内的有限正级的代数体函数的p级Borel点必然是某个系数函数的至少p级的Borel方向.
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- 苹果公司
- 公开公告日期:2018-01-02
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摘要:
本发明描述了一种竖直堆叠的系统级封装结构。一种封装包括第一级(125)模制(122)和扇出结构(130)、第三级(185)模制(182)和扇出结构(190)以及在所述第一级(125)和第三级(185)之间的第二级(155)模制(152)和扇出结构(160)。所述第一级(125)模制(122)和扇出结构(130)包括第一级裸片(110),所述第二级(155)模制(152)和扇出结构(160)包括背对背面向的裸片(142),其中每个裸片(142)的正表面粘结到再分配层(130,160),并且所述第三级(185)模制(182)包括第三级裸片(172)。可使用多个第一级模制裸片(110)。所述第一级裸片(110)可为易失性存储器裸片,所述第二级裸片(142)可为非易失性存储器裸片,并且所述第三级裸片(172)可为活动裸片。在形成所述竖直堆叠系统级封装的方法中,可使用承载衬底,随后除去。
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