填充因子

摘要： 为了充分发挥太阳能电池供电作用,以光照强度作为干扰因素,探究不同光照条件下电池性能特征。实验以转动电池角度方式模拟光照强度变化环境,测量短路电流、开路电压,并计算不同条件下的电池最大输出功率、填充因子,记录负载电阻阻值。实验结果表明,光照逐渐减弱过程中,填充因子、最佳负载电阻随之增加,最大输出功率随之减小,该实验结果与理论特性结论相符。

摘要： 根据对65种芳胺类染料的研究,建立了染料敏化太阳能电池填充因子(FF)的全息定量构效关系(HQSAR)模型。模型参数fragment distinction、fragment size和holograms length分别选择为“A,B,C,H,DA”、“4~7”和“307”时可建立最佳HQSAR模型。采用外部测试集验证和留一交叉验证两种方法对所建立模型进行了验证,外部测试集验证中的RMSRE和RMSEP分别为6.09和0.04,留一交叉验证中的RMSRE和RMSECV分别为2.73和0.02。两种验证结果表明建立的HQSAR模型预测能力良好。此外,通过所得HQSAR模型的分子贡献图可知,芳胺环上长烷基链和咔唑基团的存在会使FF值有降低的趋势。

摘要： 光伏阵列故障诊断过程中传统的故障特征量难以区分特征相似的单故障和多重故障情况,而实际诊断中外场实验采集到的数据也含有较强的噪声,从而导致故障诊断准确率下降.针对这一问题,提出由一个新的特征向量对不同故障进行表征,该特征向量包含:归一化电压Vnorm、归一化电流Inorm、填充因子FF共3个特征量,并利用这3个特征量采用高斯核模糊C均值聚类(GKFCM)方法对光伏阵列中8种故障进行故障识别的方法.这3种故障特征量的结合可有效减少外界气象条件对故障识别的影响;由于GKFCM对复杂数据集具有良好的聚类性能,在复杂环境下不同故障类的识别过程中可有效提高识别准确率.该算法分为训练和测试阶段,在训练阶段对训练集中故障数据利用3个特征量构成的特征向量进行表征并聚类获取类心,在故障识别阶段新故障数据利用同样的方法获得聚类类心并与训练阶段获得的各类故障类心进行相似度计算,从而实现故障分类和新故障的识别.该方法不仅可诊断单故障情况,也可识别多重故障情况,具有较强的抗干扰能力.最后通过仿真及实验证明该方法可有效诊断光伏阵列中的常见故障.

摘要： 设计了一种基于STM32的太阳能电池参数测量仪,利用LM358制作的A/D前端电路用于控制输入信号能够在A/D模块检测范围内;利用模拟开关制作的可编程电阻充当A/D前端电路的负载,连续线性的变化从而精准测量参数;TFTLCD屏幕显示太阳能电池的参数以及触屏控制单片机工作模式;在STM32F407芯片里完成电压电流的测量,实时计算太阳能电池在不同负载情况下的输出功率,绘制出电流-电压曲线和功率-电压曲线、获得最大功率点的同时计算得到填充因子.该测量仪利用现代电子技术和先进单片机技术实现太阳能电池输出功率的智能化计算及最大功率点的自动化搜寻,具有测量精度高、测速快、结果直观、成本低、实验效率高等优点.

摘要： 量子点敏化太阳能电池具有重要的潜在应用,但仍存在界面输运、稳定性和效率改善的挑战.本文采用等离子增强原子层沉积技术在低温下(170—230°C)制备了InN,并将其插入至CdSeTe基量子点太阳能电池光阳极的FTO/TiO2界面处,进行了原子层沉积窗口和电池性能改善的物理机理研究.结果表明,引入InN超薄层后的电池效率整体有明显提升,并且促进了电子的输运,填充因子明显增加.同时,加速了电子抽取、转移和分离,降低了电荷复合的可能性.对插入的InN沉积温度和厚度对电池性能的影响进行了深入分析,并对背后的物理机理进行了讨论.

摘要： 对以PTB7∶PC70BM为体系的聚合物太阳电池(BHJ)的阳极修饰层PEDOT∶PSS中掺杂聚乙二醇(PEG)的方法进行研究,发现阳极修饰层中掺杂不同浓度的PEG后,器件的各项性能均有所提升.通过电流电压(I-V)测试、电容-电压(C-V)测试、外量子效率(EQE)测试、及不同浓度PEG下PEDOT∶PSS的电导率的测量发现,在PEDOT∶PSS中掺杂体积比为1％的PEG时,太阳电池器件的填充因子(FF)、短路电流(Jsc)等有明显提升.其光电转换效率从5.88％升至6.48％,比基础器件提高10％.

摘要： 介绍了研究背景与意义，存在的问题与解决途径，提高FF的途径，实验结果与理论分析，提高效率、降低成本已成为光伏前沿研究和产业发展的重要趋势晶体硅效率持续提高,成本持续下降,未来较长一段时间还是市场的主流。发现了一种提高晶体硅太阳电池填充因子的方法，在硅太阳电池的发射层和金属电极之间生长一层氧化层，再通过高温快速退火过程，可形成与硅太阳电池pn结内建电场方向相反的MOS结。通过理论模拟，当电池中pn结与MOS结反向连接（指内建电场的方向），且MOS结势垒高度/e和电池开路电压接近时,就有可能获得很高的填充因子。

摘要： 本文采用常规的工艺在40mm×40mm的P 型单晶硅衬底上制备了太阳电池.由于我们的烧结炉的不稳定性而导致得到的填充因子参差不齐.这些电池的填充因子大致可以分为两组,他们分别对应于高填充因子和低填充因子.在光诱导镀之后,两组电池的填充因子达到了几乎一样的水平.测试结果表明高低填充因子与高低串联电阻一一对应,在光诱导镀之后两组电池的串联电阻都达到了很低的水平.利用扫描电镜(SEM)观测了电极下的微观结构,解释了光诱导镀改善填充因子的原因.最后,文中还根据实验结果和文献报道对光诱导镀的优势及其应用前景作出了分析.

摘要： 对不同填充因子的太阳能电池进行光诱导镀实验，发现原本填充因子差别很大的电池在光诱导镀之后填充因子达到了几乎相同的水平.文中结合文献和实验数据对这种现象产生的原因及其可能的应用前景进行了探讨.

摘要： 制作六角形孔径的微透镜元是提高微透镜阵列填充因子的有效途径.采用高温熔盐离子交换工艺,以铊型玻璃为原料,研制出了横截面对边距为1mm的六角形自聚焦微透镜.测试表明,此六角形自聚焦微透镜成像质量良好,近场光斑尺寸达2.6μm;其畸变、数值孔径和折射率分布均与六角形对边的中垂线成轴对称渐变;折射率分布轮廓自中心向边沿由圆形渐变为六角形,制作的微透镜阵列填充因子达到96.1％.

摘要： 通过旋涂法在CdTe表面制备了高纯半导体性单壁碳纳米管薄膜，得到了效率为9.71%的电池。并将S-SWNT/Au作背电极的CdS/CdTe电池与传统Cu/Au背电极的电池进行了比较。实验发现，采用95%S-SWNT/Au作背电极的CdS/CdTe电池，Jsc有明显的提升，而Voc和FF则与Cu/Au作背电极电池保持相当的水平。而其它的表征，如SWNT功函数以及电池的暗电流特性将会继续补充。研究表明，半导体性的碳纳米管是潜在的碲化镉电池背电极的替代材料，进一步优化能提升电池的填充因子，有望得到高效稳定的碲化镉太阳能电池。

摘要： CdTe/CdS 异质结太阳能电池是非常具有应用前景的第二代低成本薄膜太阳能电池.高质量的CdS 与CdTe 薄膜制备是获得高转化效率薄膜电池的关键.目前高转换效率的CdTe太阳能电池的CdS 层大都为水浴方法制备,但是水浴方法制备的CdS 层中常存在微结构和电学性能不均匀等现象,是影响电池性能以及制备重复性的重要因素.本研究通过适当提高CdS的厚度,有效减少CdS 薄膜中的孔洞,并独创采用CdCl2 蒸气对CdS 预制膜进行处理,得到了单层大晶粒均匀致密的高质量CdS 薄膜,有效提高了电池的并联电阻以.本研究还通过采用细小CdTe 粉末作为进空间升华源,制备了较均匀平整的CdTe 薄膜,降低了CdTe 薄膜电池的所需的吸收层CdTe 厚度,有效降低了电池的串联电阻.通过一系列提高,我们制备了转化效率高达14.6%的CdTe 薄膜太阳能电池,其中开路电压为822mV,短路电流为25.1mA/cm2,填充因子70.46%,面积5*5mm2.

摘要： 传统的染料敏化太阳电池采用单结方式用染料敏化n 型半导体光阳极与对电极(通常用Pt电极)组成.本文利用染料敏化TiO2 光阳极与聚三乙基噻吩(P3HT)作为光敏材料制成光阴极组成染料敏化-聚合物(DSC-OPV)叠层太阳电池.并研究了空穴传输材料苯磺酸掺杂的聚乙烯二氧噻吩(PEDOT：PSS)对光阴极的影响,发现在P3HT 与导电玻璃之间引入一层空穴传输层可显著提高电池的填充因子.

摘要： 本文采用HMI 开发的AFORS-HET软件模拟研究了AM1.5条件下双层发射极(a-Si(heavy doped)/a-Si(light doped)/i-a-Si:H/c-Si,D-emitter)结构对于HIT 太阳电池性能的改善.结果表明：D-emitter 结构的HIT 太阳电池的开路电压,短路电流及填充因子相比于单层发射极结构(a-Si(doped)/i-a-Si:H/c-Si, S-emitter)的HIT 太阳电池均有所提升,可获得更高的转换效率.对于n 型c-Si 片太阳电池,S-emitter结构(a-Si(p)/i-a-Si:H/c-Si(n)) 最优转换效率为25.19% , D-emitter 结构(a-Si(p+)/a-Si(p-)/i-a-Si:H/c-Si(n))最优转换效率为25.98%.对于p 型c-Si 片太阳电池,S-emitter 结构(a-Si(n)/i-a-Si:H/c-Si(p))的最优转换效率为22.02%,D-emitter 结构(a-Si(n+)/a-Si(n-)/i-a-Si:H/c-Si(p))的最优转换效率为24.29%.

摘要： 本文通过与传统晶体硅太阳电池的测试方法相比较,提出了一种III-V 族多结聚光太阳电池的测试方法和流程.利用实验室拥有的三结聚光太阳电池样品进行测试实验,实验结果表明,III-V 族三结聚光太阳电池的开路电压与短路电流均随聚光比的增大而增大,填充因子随聚光比的增大而减小,短路电流随着多结聚光太阳电池温度的升高而增大,开路电压随温度的升高而减小.

摘要： 基于等效媒质理论设计了NiCr四层渐变膜系。以4:1的NiCr合金靶材，氧气和氮气为反应气体，氩气为工作气体，用磁控反应溅射法制备蓝色NiCr系太阳能光谱选择性吸收薄膜。测试分析薄膜成分、微观结构、厚度、吸收比和发射率对薄膜性能的影响。测试结果表明两层吸收膜的吸收比大于单层吸收膜;单层吸收膜的吸收比随填充因子的增大而增大;当单层吸收膜的填充因子在两层吸收膜的填充因子之间时，两层吸收膜的发射率小于单层吸收膜;两层吸收膜的吸收比随减反射层厚度的增大先增大后减小，发射率则一直增大。为多层铜基NiCr系阳光吸收膜磁控溅射沉积制备工艺提供了理论依据。

摘要： 本发明涉及一种用于优化机动车中的低温压力罐(2)、尤其是机动车中的低温压力罐(2)在重新填充时可达到的填充度的方法，其中，用于加热压力罐(2)中的气体的加热装置(3)具有至少两种模式、即正常运行模式和连续运行模式，在正常运行模式下，加热装置(3)这样加热压力罐(2)中的气体，使得达到压力罐(2)中的气体预定压力，而在连续运行模式下，加热装置(3)这样持续加热压力罐(2)中的气体，使得压力罐(2)中的气体压力提高超过预定压力，该方法包括下述步骤：检测压力罐(2)中的气体密度；将检测到的压力罐(2)中的气体密度与预定密度值进行比较；并且如果在比较时确定检测到的密度低于预定的密度值，则根据机动车的至少一个路线信息、尤其是根据机动车前往目的地的特定路径和位于前往目的地特定路径上的用于以气体重新填充压力罐(2)的加燃料站使加热装置(3)在正常运行模式下运行或使加热装置(3)从正常运行模式切换到连续运行模式。

摘要： 本发明公开了一种基于骨料填充和效率因子的SCC配合比设计方法，包括以下步骤：根据自密实混凝土的设计抗压强度确定胶凝材料的用量，以及根据胶凝材料的用量和非水泥胶凝材料的替换比例确定非水泥胶凝材料的用量，并通过胶凝材料的用量和非水泥胶凝材料的用量计算出水泥的用量；根据水灰比‑强度曲线确定水灰比，并通过水灰比和胶凝材料的用量确定水的用量；根据骨料堆积因子确定骨料的用量；根据经验确定外加剂的用量，并通过外加剂的用量对水的用量进行调整。本发明的优点是：将骨料填充与强度模型相结合，以期SCC能获得所需强度、工作性能和最少胶凝材料用量；通过效率因子将非水泥胶凝材料等效为水泥，可根据已有文献成果，快速进行配合比设计。

摘要： 本发明公开了一种高填充因子的CMOS成像传感器，包括设于SOI衬底的外延硅层上的电路器件区域和设于衬底硅层上的感光区域；电路器件区域与感光区域之间通过穿过埋氧层的通孔相电连接；像元之间通过浅沟槽隔离结构相隔离。本发明可同时增加感光区域的填充因子，并可使用更加优化的设计方案来提升读取电路的性能，从而提升了整体芯片的性能。本发明还公开了一种高填充因子的CMOS成像传感器的制作方法。

摘要： 本发明公开了一种基于高分子纳米填充因子的透明导电功能涂料，其组分和质量百分比分别为：羟基丙烯酸酯树脂10‑30％；高分子纳米填充因子10‑30％；金属纳米粒子5‑15％；流平剂0.5‑1％；偶联剂0.5‑1％；溶剂30‑70％。本发明通过诱导原位聚合，将聚吡咯包覆在修饰后的碳纳米管外层，形成高分子纳米填充因子；将其与羟基丙烯酸树脂、金属纳米粒子、流平剂及偶联剂在溶剂中均匀混合，以制得透明导电功能涂料。该导电涂料具备较好的透明性，优异的附着力和优良的导电性能。与现有方法相比，该导电涂料制备简便，结构稳定，性能出众，适用性广，在电路电极等导电材料领域具有很好的应用价值。本发明还公开了透明导电功能涂料的制备方法。

摘要： 本发明公开了一种高填充因子的红外探测器结构，包括设于衬底之上的微桥结构，微桥结构包括微桥桥面及支撑和电连接孔，微桥桥面自下而上依次设有第一释放保护层、红外敏感层、第一金属电极层和第二释放保护层，支撑和电连接孔的内壁表面上依次设有第二金属电极层、第三释放保护层，第二金属电极层自支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出，并与第一金属电极层相连，第二金属电极层通过支撑和电连接孔的底部开口与衬底实现电性连接，第三释放保护层自支撑和电连接孔的内壁上端开口部引出，并与第二释放保护层相连。本发明能够在提高填充因子的同时，进一步提升产品性能。本发明还公开了一种高填充因子的红外探测器结构的制作方法。

摘要： 本发明提供了一种用于提升太阳能电池填充因子的制备方法及系统。该方案包括加入氢氧化钾、双氧水、去离子水生产第一溶液，对硅片进行冲洗；加入去离子水后，依次加入氢氧化钾、制绒添加剂，搅拌均匀；将洗后硅片利用第一溶液进行冲洗；将冲洗后硅片放入第三溶液；将冲洗后硅片放入第四溶液；将冲洗后硅片放入第五溶液；将冲洗后硅片放入第六溶液；对冲洗后硅片利用第四溶液冲洗1‑2分钟，沉积非晶硅薄膜和磁控沉积透明导电薄膜，制备成品电池片。该方案通过自动控制制绒清洗浓度、时间、工艺方法，使绒面结构更均匀，提升浆料填充效果，降低栅线接触硅衬底时的串联电阻，提高电池的填充因子，提高异质结电池转换效率。

摘要： 本发明公开了一种基于高分子纳米填充因子的透明导电功能涂料，其组分和质量百分比分别为：羟基丙烯酸酯树脂10‑30％；高分子纳米填充因子10‑30％；金属纳米粒子5‑15％；流平剂0.5‑1％；偶联剂0.5‑1％；溶剂30‑70％。本发明通过诱导原位聚合，将聚吡咯包覆在修饰后的碳纳米管外层，形成高分子纳米填充因子；将其与羟基丙烯酸树脂、金属纳米粒子、流平剂及偶联剂在溶剂中均匀混合，以制得透明导电功能涂料。该导电涂料具备较好的透明性，优异的附着力和优良的导电性能。与现有方法相比，该导电涂料制备简便，结构稳定，性能出众，适用性广，在电路电极等导电材料领域具有很好的应用价值。本发明还公开了透明导电功能涂料的制备方法。

摘要： 本发明公开的硅光电倍增管光敏区有效填充因子的测量方法，包括将硅光电倍增管放在电磁屏蔽盒内，装在精密位移台上；通过显微镜中针孔透光片使皮秒激光束在硅光电倍增管的表面聚焦成光斑；通过稳压电源向硅光电倍增管供电，输出的雪崩脉冲信号先经过高速低噪声放大器进行信号放大，再输入数字示波器来观察雪崩脉冲波形；控制精密位移台移动，通过0.5倍光子等效脉冲的计数率随光斑位置的变化，得到G‑APD单元每个位置的脉冲计数率，根据随位置变化的脉冲计数率的二维数据，采用判据算法计算得到硅光电倍增管的有效填充因子。本发明为SiPM的PDE的限制因素提供了一种测量判据，有利于促进SiPM的PDE参数的提升。

摘要： 本发明公开了一种提高硅光电倍增器几何填充因子的凹凸复合微透镜。所述凹凸复合微透镜阵列包括呈阵列布置的基础结构；基础结构的上部设有向外的凸透镜，相邻所述基础结构之间设有向内凹陷的凹透镜；基础结构、凸透镜和凹透镜均由光刻胶制成。本发明复合凸凹透镜材料的折射率为1.57～1.65，能够将入射到SiPM APD微单元上的光汇聚到所述微单元的中心，使入射到APD微单元之间的光折射、发散进入到APD微单元，从而提高SiPM的几何填充因子和探测效率。本发明制作凹凸复合微透镜阵列的材料兼具钝化保护SiPM的作用；并且，本发明制作凹凸复合微透镜阵列的方法与SiPM封装工艺兼容，使得凹凸复合微透镜阵列的制备可以在封装SiPM的过程中一次性完成。

摘要： 本发明公开了一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜及其制备方法，涉及电源设备技术领域。所述带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜材料的化学通式为：Zn0.92‑xCux(Fe0.04Li0.04)O；其中x＝0～0.07。本发明提供一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜(ZCFLO薄膜材料)，薄膜的光伏性能得到大幅度提高。最佳掺杂含量的薄膜经过电场极化后的填充因子为83.4％，光电转换效率为14.4％，禁带宽度降低至1.93eV，具有优异的光伏性能。