塔塔尔族

摘要： 作为新疆13个世居民族之一的塔塔尔族,它的民族服饰具有明显的风格特征,除了直观、形象的服饰形制、色彩、装饰、工艺等方面,还体现了人们的生活、生产等方面的许多内容,具有很强的文化内涵。文章就塔塔尔族服饰的基本特征作了粗略的论述。

摘要： 为探讨塔塔尔族成人的习惯行为特征,在知情同意的情况下,随机抽取新疆奇台县163例(男104例,女59例)塔塔尔族健康成人为研究对象,按照人体测量方法,对扣手、利手等7项习惯行为特征进行观察。7项行为习惯特征无性别差异。扣手右型出现率为52.1%,利手右型出现率为93.3%,在中国族群中处于高水平,与蒙古族接近。交叉臂右型出现率为67.5%,在中国族群处于高水平,与海南苗族接近。尖舌出现率为56.4%,在中国族群中处于低水平,与布依族接近。卷舌出现率为52.8%,在中国族群中处于低水平,与仫佬族接近。翻舌出现率为41.1%,在中国族群中处于高水平,与朝鲜族接近。

摘要： "不用扬鞭自奋蹄。"李涛用坚定的理想信念和踏实的工作作风,践行着一名共产党员的神圣使命,用实际行动诠释着一名新时代"访惠聚"工作队长的初心、责任和担当。现在的他,正昂首阔步地向着崭新的目标奋斗、前进、再前进!大泉湖村,国网新疆昌吉供电公司的帮扶村,是全国唯一的塔塔尔族乡——新疆昌吉州奇台县大泉塔塔尔族乡下辖的一个村落,由烧房沟、大沟、黑沟、大泉湖四个自然村合并而成,全村共1037户、3545人。

摘要： 为了解新疆塔吉克族和塔塔尔族成人7项关节活动度的年龄与性别特征,采集了新疆557例塔吉克族(男性267例,女性290例)和415例塔塔尔族(男性202例,女性213例)19岁以上成年人的关节活动度基础数据,并进行统计学分析.结果 显示:(1)2个族群7项关节活动度的年龄差异均具有统计学意义(P<0.05),老年人的关节活动度下降明显.(2)塔吉克族成人在腕关节伸和髋关节伸方面的性别差异具有统计学意义(P<0.05),塔塔尔族成人在髋关节伸和踝关节伸方面的性别差异具有统计学意义(P<0.05),多数指标女性大于男性.(3)2个族群相比较,男性在髋关节伸和踝关节伸方面的差异具有统计学意义(P<0.05),女性在膝关节屈和踝关节屈方面的差异具有统计学意义(P<0.05),多数指标表现为塔塔尔族大于塔吉克族.2个族群关节活动度的差异主要表现在下肢,可能与运动方式及生活环境有关.

摘要： 新疆塔塔尔族因为历史、民族自身特点以及生存环境等情况的影响，在文化交融的过程中出现了文化多元性的趋势，特别是在都市文化多化性趋势的不断推动下，让我国各个民族的文化得到了快速的发展。因此，本文主要是对新疆塔塔尔族舞蹈的生态现状进行研究，希望能够帮助新疆塔塔尔族的舞蹈更好的发展下去。

摘要： 源远流长的塔塔尔族传统民间舞蹈,是由塔塔尔族群众直接创作,充分展示出原汁原味的塔塔尔族传统民间民俗风情,是塔塔尔族传统文化的重要组成部分,是塔塔尔族舞蹈延续和发展的前提条件,蕴含着极其重要的地位.从艺术人类学的视角,运用田野调查、文献分析等方法,通过对新疆塔塔尔族历史人文环境、民间舞蹈分类、舞蹈表演场所、民间舞蹈形态等进行解读,可探索塔塔尔族民间舞蹈现存分析及表现形式,为塔塔尔族民间舞蹈传承、延续、发展提供多元渠道.

摘要： 在长期的历史发展中,独特的塔塔尔人依靠自己的勤劳智慧,形成了本民族颇具特色、绚丽多彩的传统民间服饰与刺绣纹样,民间艺人的精心演绎也完美诠释了塔塔尔族传统服饰刺绣的精美绝伦。通过对传统服饰刺绣与民间艺人的研究,正确认识民间艺人对传统服饰刺绣的影响作用,进一步为保护与传承传统服饰刺绣提供理论支持,对传统服饰刺绣的发展与传承具有一定的推动意义。

摘要： 2008年塔塔尔族民俗节日"撒班节"被列为第二批国家非物质文化遗产,传统民俗节日为仪式舞蹈"撒班托依""艾皮帕"等保留节日性民间舞蹈提供了广阔的传承空间,为民间舞蹈的表演内容提供了特定的社会文化背景.中国艺术研究院马盛德研究员曾提到:民俗是民间舞蹈依存的土壤,民间舞蹈在民俗活动中产生、 传承和发展.如今,由于诸多因素的影响,传统塔塔尔族仪式舞蹈不断受到地域多元文化、 现代多元文化、 舞蹈传播与舞蹈重视程度不足等冲击,面临生存的困境,使传统塔塔尔族民间舞蹈处于口渐式微的境遇之下,令人堪忧.通过田野调查、 文本口述资料的收集整理,试图分析塔塔尔族传统民俗节日"撒班节"中仪式舞蹈的现状与保护、 传承可行之策,力争运用交叉学科的理论与方法对塔塔尔族节日仪式舞蹈进行全方位探究,为民族舞蹈文化提供一些新视野、 研究视角,为今后研究者对其的进一步研究有所促进.

摘要： 主要通过田野调查,以问卷调查为主,以观察法和访谈法为辅,对新疆昌吉州奇台县塔塔尔族双语情况进行调查.调查发现其双语情况呈现如下特点:该地区塔塔尔族呈现出:语言类型为特殊双语型,即哈萨克语—汉语—维吾尔语;各语言的地位、功能不平衡,表现为哈萨克语为其主要家庭交际用语,同时也是主要的族际交际用语;随着交际圈的不断扩大,汉语的交际功能占据重要的地位.

摘要： 文章在加快新疆少数民族地区旅游开发新的时代背景下,浅析开发原则与开发重点.以《新疆大泉塔塔尔民族风情村规划》为例,详细研究塔塔尔族的历史、特色、旅游发展现状及优势,提出规划策略,进行规划设计及旅游规划.

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al