BCD

摘要： 目的:探讨BCD治疗多发性骨髓瘤的临床疗效及安全性。方法:选取我院2013年9月—2019年2月收治的80例多发性骨髓瘤患者,将其随机分为研究组和对照组,每组40例,对照组采取TCD方案(沙利度胺+环磷酰胺+地塞米松)治疗,研究组采取BCD方案(硼替佐米+环磷酰胺+地塞米松)治疗,对比两组的临床疗效及安全性。结果:两组CR、PR、SD、PD对比无统计学差异(P>0.05),研究组VGPR率及总有效率明显高于对照组(P0.05)。结论:对于多发性骨髓瘤患者,采取BCD方案治疗效果在VGPR率及总有效率上优势明显,缓解率高,具有高效性和安全性,可将BCD方案广泛用于多发性骨髓瘤治疗中。

摘要： 1.熔断器故障故障现象:一台BCD430WUP9B型冰箱蒸发器化霜不尽,导致冷藏不制冷或风扇电机噪音大的现象。故障原因:(1)由于蒸发器左侧线束太多,把化霜传感器包裹在里面,影响了传感器接收化霜温度,导致熔断器在传感器前动作;又因右侧熔断器下部无有效阻挡,加热器工作时右侧温度回升过快,右侧熔断器提前动作熔断开路,使化霜工作失效。

摘要： 在新教材配套辅导资料(文[1])中遇到这样一道习题:在三棱锥A-BCD中,AB=AC,DB=DC,AB+DB=4,AB丄BD,则三棱锥A-BCD外接球的体积的最小值为________.经网络检索发现该题是2020届全国大联考的填空题最后一题,文[1]给出的解析如下:如图1所示,三棱锥A-BCD的外接球即为长方体的外接球,外接球的直径为长方体的体对角线AD,于是,要使外接球体积最小,需且只需AD最小.

摘要： 近几年中考数学试题中的测距问题中(如测量旗杆、铁塔、河宽等长度),存在一类具有一条公共直角边的两个直角三角形问题,根据这类问题可以进一步提炼出"双直角三角形"模型,从而快速求出距离.例1.(2019·天津)如图1,海面上一艘船由西向东航行,在A处测得正东方向上一座灯塔的最高点C的仰角为31°,再向东继续航行30m到达B处,测得该灯塔最高点C的仰角为45°.根据测得的数据,计算这座灯塔的高度CD(结果取整数).

摘要： 笔者所在的区在四月份进行了一次模拟考试,本次考试的压轴题引起了笔者的兴趣.经过笔者的考证发现此题与2021年上海宝山区一模试题类似.通过试卷的批改发现:第(3)的得分率不高,于是笔者对这道题的第(3)问解法进行了探究.现将解法呈现如下,不妥之处恳请大家批评指正.

摘要： ?中学生数学?2019年8月下课外练习初三年级第3题:如图1,四边形ABCD中,AB⊥BC,AB=BC=5,CD=7,AD=1.求△ABD与△BCD的面积之比.图1本题是这期练习题的压轴题,从原解答看出具有一定的难度,但是,知道它的来源之后,就转化为与一道比较简单的问题.

摘要： 折叠问题是考试中的常见题型,主要考查同学们的逻辑推理能力、空间想象能力,以及灵活运用所学知识解题的能力.一般在折叠问题中,图形经过折叠后往往会出现直角三角形,此时,同学们若能灵活运用勾股定理,则可使问题迎刃而解.

摘要： 本发明提供了一种超高压BCD工艺，该超高压BCD工艺可实现多种半导体器件的集成，超高压BCD器件包括：做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS，该工艺具有N型埋层，N型埋层贯穿P型衬底以及N型外延，高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构。本发明提供的高压BCD工艺集成了多种电压水平的器件，并且其中的高压浮动盆结构，能够为桥式电路的应用提供工艺平台支持。

摘要： 本发明提供一种垂直DMOSFET及其制备方法、BCD器件，主要解决现有LDMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题，该垂直DMOSFET包括，P型衬底；在P型衬底上表面形成的NBL埋藏层；在NBL埋藏层上表面形成的N型外延层；在N型外延层上表面形成的氧化层；N型外延层内依次设有N‑Well区和P‑Body区；N‑Well区的上表面设置有N+接触区，形成漏极，N‑Well区的底端与NBL埋藏层相连通；P‑Body区的上表面设置有N+接触区，形成源极；N型外延层的上表面自下至上依次设置有栅氧化层和多晶硅层，形成栅极。

摘要： 本发明提供一种纵向BCD器件及其制备方法，主要解决现有LDMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题。本发明纵向BCD器件在CMOS器件区域增加深P阱HVPW，使得HVPW与N型外延层N‑EPI之间形成二极管。当VDMOSFET器件正常工作时，使得N‑EPI与HVPW之间形成的二极管反向截止，不能出现反向击穿。该种设置避免了VDMOSFET的漏极加电压时对BCD中的CMOS器件造成的影响。

摘要： 本发明提供一种能够抑制寄生的纵向BCD器件及其制备方法。主要解决现有DMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题。该纵向BCD器件在CMOS器件区域增加深P阱HVPW和P型埋层PBL，使得HVPW、PBL与N型外延层N‑EPI之间形成二极管，当VDMOSFET器件正常工作时，使得N‑EPI与HVPW、PBL之间形成的二极管反向截止，不能出现反向击穿，该种设置避免了VDMOSFET的漏极加电压时对BCD器件中的CMOS器件造成的影响，同时PBL埋层作为BCD器件中寄生管NPN晶体管的基区，可通过调节其浓度来抑制寄生管NPN晶体管的导通。

摘要： 本发明涉及一种BCD器件的沟槽的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩膜；光刻并刻蚀硬掩膜和衬底，形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成氧化阻挡层；以硬掩膜和氧化阻挡层为刻蚀阻挡层对第一沟槽向下进行各向异性刻蚀，形成从第一沟槽底部向下延伸的第二沟槽；通过热氧化工艺在第二沟槽的内表面热生长绝缘氧化层；去除氧化阻挡层；向第一沟槽内填充绝缘氧化物，使第一沟槽被绝缘氧化物填满，第二沟槽的顶部被绝缘氧化物封口。本发明通过两步刻蚀形成深沟槽，将深沟槽的空洞高度控制在STI下方，能够避免后续工艺的腐蚀液将空洞上方的绝缘氧化物蚀穿而倒灌进空洞的现象，保持沟槽优异的绝缘性能。且与BCD器件兼容性好，能够适用于深宽比非常大的深沟槽。

摘要： 本发明提供了一种超高压BCD工艺，该超高压BCD工艺可实现多种半导体器件的集成，超高压BCD器件包括：做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS，该工艺具有N型埋层，N型埋层贯穿P型衬底以及N型外延，高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构。本发明提供的高压BCD工艺集成了多种电压水平的器件，并且其中的高压浮动盆结构，能够为桥式电路的应用提供工艺平台支持。

摘要： 本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤：(1)准备温度控片；(2)反应腔升温并进行HCL清洁；(3)冷却至室温，装入温度控片；(4)以恒定的升温速率升温至1150‑1200°C进行烘烤；(5)取出温度控片进行化学处理；(6)对温度控片进行电阻率测试，获得温度控片各区域温度并进行温度补偿；(7)清洗待外延的硅片并重复步(2)的操作后，将待外延的硅片放入反应腔；以步骤(4)中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤(6)中的温度补偿，进行烘烤；调整反应腔温度至生长温度，通入SiHCl3、H2并掺杂，外延生长至目标厚度和目标电阻率。本发明能够有效控制外延过程中硅片表面的温度分布，更好控制滑移线的产生。

摘要： 本申请公开了一种高压BCD结构中环形隔离结构及其制作方法，涉及半导体制造领域。该高压BCD结构中环形隔离结构的制作方法包括：在高压电路区域和低压电路区域之间形成环形隔离结构，所述环形隔离结构由第一类阱区和第一类埋层构成；通过光刻工艺在所述环形隔离结构的两侧定义第二类埋层图案，所述环形隔离结构左侧包括至少2个宽度不相同的第二类埋层图案；通过离子注入工艺在所述第二类埋层图案对应的衬底中形成第二类埋层；解决了目前环形隔离结构左侧的埋层容易发生击穿的问题；达到了改善环形隔离结构两侧埋层的浓度分布，提升环形隔离结构的击穿电压的效果。

摘要： 本发明公开了一种基于通用BCD工艺的VDMOS的结构，包括N+衬底，位于N+衬底上层为NBL埋层，NBL埋层的上方为外延层，所述外延层的上层为JFET区，JFET区的上方设有两个Pbody区，在Pody区内部，扩散形成源极，在外延层的一端经JFET区的nsink区中引出漏极，位于两个源级之间的金属层为栅极，栅极下方为沟道。可兼顾各种器件之间的兼容性，提高了耐压性能，使得耐压大于80V,导通电阻下降超过30%。

摘要： 本实用新型公开了一种浮点数BCD显示装置用网关，包括固定板，所述固定板一侧的外壁设置有第一固定杆，所述固定板一侧的内部开设有滑槽，所述滑槽内部设置有复位弹簧，所述复位弹簧一端设置有第二固定杆，所述固定板与密封盖转动连接，所述密封盖内部开设有散热孔，所述固定板内壁的中间设置有散热扇。本实用新型通过第一固定杆，当需要将网关装置与BCD显示装置进行连接时，将第一固定杆与BCD显示装置的上部贴合，然后向下拉动第二固定杆，使第二固定杆与BCD显示装置的底部贴合，复位弹簧拉动第二固定杆复位，从而可以对网关装置进行固定，第一固定杆和第二固定杆可以调整固定的范围，对不同面积的BCD显示装置进行固定网关装置。