国族

摘要： 要从理论上厘清中华民族与各民族、中华民族与国家、民族与国家的关系,有必要引入中国原生的“国族”概念。从词形看,“国族”一词最早见于《礼记》;但就词义论,当溯及《诗经》中“邦族”一词。中国国族形态的历史发展可分四个历史阶段,分别是氏族型国族、邦国型国族、中国人和中华民族。“中华民族”概念的内涵有狭义和广义之分。狭义中华民族是中国国族,包括中国全体公民,指代国家整体。广义中华民族是文化民族,包括中国全体公民以及海外所有认同于中国国家或中华文明的人,指代中华文明共同体。作为国族的中华民族在成员和覆盖范围方面与中国国家重合,与主权国家互为表里,与国内各民族之间是双重的整体与局部关系。国家在政治和法理上高于国内各民族,作为国族的中华民族亦然。政治一体和文化多元是狭义中华民族与国内各民族关系的底线。狭义中华民族是中国在世界民族之林的唯一代表,其实体性、统一性和整体性以国家主权为依据和保障。广义中华民族之海外成员的身份主要取决于成员对中华文明和中国国家的归属意识与认同。

摘要： 从后金开始,努尔哈赤就接受明朝统治,认同“大中国”的框架。皇太极建立清朝,便已经明确了“大中国”意识。后继者顺治、康熙、雍正、乾隆等诸位清朝皇帝建构了“大中国”概念,发展了“中国”认同意识。在清代,历史上以中原王朝统治区域为主的“中国”概念得到延展,使中国历史上统一多民族国家最终定型,“中华民族”实体在乾隆时期已经形成。

摘要： “国族”是现代民族国家的基础。“国族”的“民族性”与“国民性”是现代民族国家建构的产物。中华民族作为现代中国的国族,也具有民族性和国民性双重特性。中华民族的国民性是近代以来中国民族、民主革命进程中,通过人口国民化、国民整体化、中华民族观念政治社会化和国民身份法治化过程形成的。忽视中华民族的国民性,就难以准确理解中华民族的内涵,无法制定正确的民族政策,不利于中华民族共同体建设。中华民族国民性的建设路径包括培育国民意识、强化国民身份,以及推进民族事务治理理念与方式的法治化等方面。

摘要： 多民族国家无法复制西欧初创民族国家的"一个民族、一个国家"范式,其民族国家建构内在包含国家民族塑造任务.中国民族国家建构所要塑造的国家民族是"中华民族".中国语境中的民族国家建构,其实是建构中华民族国家.中华人民共和国成立以来,中国的民族国家建构可以分为四个阶段:1949至1956年是过渡时期中国民族国家的基础布局阶段,1956至1978年是社会主义建设与民族国家建构的曲折前行阶段,1978至2012年是改革开放与民族国家建构的全面推进阶段,2012年至今是民族复兴与民族国家建构的国族整合阶段.当代中国的民族国家建构走出了一条有别于西方的独特道路,为世界范围内的民族国家建构提供了一套中国方案.

摘要： 多民族国家无法复制西欧初创民族国家的“一个民族、一个国家”范式,其民族国家建构内在包含国家民族塑造任务。中国民族国家建构所要塑造的国家民族是“中华民族”。中国语境中的民族国家建构,其实是建构中华民族国家。中华人民共和国成立以来,中国的民族国家建构可以分为四个阶段:1949至1956年是过渡时期中国民族国家的基础布局阶段,1956至1978年是社会主义建设与民族国家建构的曲折前行阶段,1978至2012年是改革开放与民族国家建构的全面推进阶段,2012年至今是民族复兴与民族国家建构的国族整合阶段。当代中国的民族国家建构走出了一条有别于西方的独特道路,为世界范围内的民族国家建构提供了一套中国方案。

摘要： 悲旦起源于一个多世纪前的新剧,呈现为逆来顺受、楚楚可怜的女性形象,折射了男性精英丧失主体性身份的焦虑,隐喻当时落后的国家形象。在京剧中,悲旦的国族寓意进一步得到强化。因五四新文化运动对女性解放的推动,女演员饰演的电影悲旦具有了新女性的意味。抗战爆发以后,文艺界弥漫着浓厚的悲情意识,越剧女演员通过悲旦艺术的变革,在舞台上下展现了女性的主体性成长。社会主义建设"十七年"期间,由于国家力量的深度介入,越剧悲旦既体现女性的自我言说,又具有反封建的政治寓意。

摘要： "麻风女"形象及其疾病污名起源于南宋文人笔记中的一则"过癞"轶事。经过名教话语的改造,这一"红颜祸水"形象转变为富于道德意味的"贞洁烈女"形象,其中尤以清末笔记小说《麻疯女邱丽玉》中的主人公邱丽玉为典型。在清末民初以来的国族危机语境中,麻风病与传统妇德成为具有强烈民族意识的知识分子迫切需要祛除的种族污名,"麻风女"邱丽玉的形象也因此成为女性解放与国族革命合法性叙事的重要象征符码,被赋予多重进步特质。本文通过对不同历史时期不同版本中邱丽玉形象的比较分析指出,从"祸水"到"节妇",再到"国民母"和"新女性","麻风女"形象的嬗变说明,性别与疾病是其始终如一的双重身份,在名为"进步"的历史演进中,邱丽玉被"他者化"的身份本质仍未改变,来自性别与疾病的多重污名也从未得到历史的检视与反省。

摘要： 中华民族复兴是中华民族在不同历史时期实现自我延续和发展的核心意志和恒定目标.回归"国族"是中华民族复兴的基础和要求,也是20世纪三四十年代提出,并在不同时期不断加强和凝练的中华民族复兴事业的精神和力量来源.本文追述了中华民族复兴的历史、人口和文化基础,从边界、认同与价值几个方面分析了中华民族复兴所面临和需要应对的挑战,提出通过制度、文化和日常生活中的交往交流交融,克服和超越挑战及困难.

摘要： 通过将动画电影《未来的未来》放回作为“电影作者”的细田守作話序列以及日本当代大众文化重讲战后历史的双重语境中,本文试图重新理解细田守影片叙事中从“家族”到“国族”的转喻修辞,并反思这种历史书写的限度与可能。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al