器件技术

摘要： 自1960年梅曼发明人类历史上第一台激光器以来,激光技术在经济、科技、军事等领域发挥着越来越重要的作用。半导体激光科学与技术以半导体激光器件为核心,涵盖研究光的受激辐射放大的规律、产生方法、器件技术、调控手段和应用技术,历经六十余年发展,不仅在基础科学领域不断研究深化,科学技术水平不断提升,而且在应用领域上不断拓展和创新。半导体激光材料及器件的研究是当前激光技术研究领域的热点。

摘要： 当今社会科技的进展已是日新月异 , 电子产品的创新替代周期愈来愈短 , 但这所有的技术进展与电子元器件的开发紧密相关。电子元器件作为现代电子产品和信息网络系统开发的主要基础之一 ,其进展快慢、技术高低以及制造规格等,不但直接影响到电子设备互联网信息产业的发展趋势,而且对于改善传统产业,推动高新技术发展,促进工业装备现代化水平都有着巨大的现实意义。所以 ,密切注视电子元器件的新变化 ,认真总结电子元器件的历史演变 , 寻找世界电子元器件演变的新特征 , 密切关心世界电子元器件应用领域的新材料等 , 对于推动中国电子元器件的开发、提高世界电子元器件总体技术、促进世界电子信息产业发展等 , 都有着重大的理论价值与现实意义。新材料与器件是未来智能电网发展的关键组成部分。本文首次对新材料与器件技术发展的国内外状况做出了系统分析 ,并在此基础上 , 对新材料与器件技术的发展方向做出了预言 , 从而确定了该领域的发展重点 , 对推动电力系统快速高效的发展有着重要意义。

摘要： TDK致力于开发各种各样的传感器,并将其作为"吸引未来(Attracting Tomorrow)"技术之一。可测量微弱生物磁场的高灵敏度磁性传感器也是其中一种。其有望为当前心电图仪所无法发现的腹中胎儿心脏病、难以早期发现的缺血性心脏病等疑难杂症带来解决方案。TDK在HDD磁头制造过程中积累了自旋电子学技术,并通过该技术开发了MR(磁阻效应)器件技术。

摘要： 虽然有政策的支持,有企业的努力,有市场的包容,但是中国新能源汽车核心技术瓶颈、配套设施不完善、后补贴时代竞争力不足等问题日益凸显。然而,这种技术不足的问题在电子变压器、电感等新能源汽车关键零部件上反映十分明显。在此发展的关键时刻,新能源汽车市场与其相关元器件技术成反比增长,着实令企业担忧。

摘要： 位于美国伊利诺伊州芝加哥市的Littelfuse公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith Semiconductor Inc的收购,该公司主要是对碳化硅(SiC)功率器件技术进行开发研究。Littelfuse于2015年便开始与Monolith合作,过去三年中在开发了一系列技术和商业产品的同时,逐步增加了对Monolith公司的所有权。

摘要： 作为光纤通信技术的基础与核心,“里程碑”式的器件技术对光纤通信的发展应用产生深远影响和巨大变革,而推动技术变革的则是企业不断创新的精神。

摘要： 由北京自动化控制设备研究所主办的'2018年中国航天自动驾驶仪与控制情报网(中国航天第四专业信息网)学术交流会'拟于2018年第四季度召开,现面向国内征集会议学术论文。一、征文内容1.导航定位与授时体系研究,如天基/地基PNT、通信网络辅助PNT、多传感器辅助PNT,自主PNT体系应用需求及其研究现状、发展趋势分析等;2.微PNT术,如微惯性器件技术、时钟技术、微系统集成技术、微系统测试与评估技术等;3.导航定位技术,如惯性导航、卫星导航、天文导航、地磁导航、重力导航、景象匹配、地形匹配。

摘要： 一种控制现场器件的方法、控制器件、技术系统及存储介质，现场器件耦合到自动化网络，其中现场器件具有从预定的工具器件的群组选择的相关联的工具器件，所述方法包括以下步骤：将所选择的工具器件耦合到具有物理端口器件的控制器件；根据所选择的工具器件从控制器件中所包括的虚拟链路单元的群组选取虚拟链路单元，其中虚拟链路单元中的每一者对应于预定的工具器件中的一者；以及使用所选取的虚拟链路单元中所包括的控制数据经由物理端口器件在所选取的控制器件与和现场器件相关联的所选择的工具器件之间建立控制链路。

摘要： 一些实施例涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。该单元包括底电极，该底电极具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分。导电底电极的阶梯区域将中心和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。磁隧道结(MTJ)具有设置在中心的底电极部分上方和布置在阶梯区域之间的MTJ外侧壁。顶电极设置在MTJ的上表面上方。还公开了其他器件和方法。本发明的其它实施例涉及一种用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法以及一种集成电路。

摘要： 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO

摘要： 公开了一种显示可视图像的发射系统。该发射系统典型地含有淀积于基片上并与之接触的第一电极(90)。然后,在第一电极上淀积一个或多个共轭有机缓冲层(40),并使之与第一电极接触,然后,在共轭有机缓冲层上,淀积第二电极(22)。共轭缓冲层(40)调节第一电极(90)和第二电极(22)间的电流。在淀积每个共轭有机缓冲层(40)之前或之后,但在淀积第二电极(22)之前,喷墨印刷共轭有机淀积物(34、36和38),使它们与至少一个共轭有机缓冲层接触。在电压激励源加于第一电极(90)和第二电极(22)上时,共轭有机淀积物(34、36和38)促进指示项的产生。根据共轭有机淀积物(34、36和38)的材料,指示项可以是发光、发荧光和导电等。电压源用于在第一电极(90)和第二电极(22)上选择性加电压激励源。

摘要： 本发明公开一种基于高温退火技术的氧化镓器件制备方法及氧化镓器件，涉及半导体制备技术领域，包括以下步骤：在氧化镓晶圆表面制备第一阻挡层，所述阻挡层起在高温氧退火过程中阻挡高温氧氛围环境的作用；对阻挡层实施以氧化镓晶圆杂质调控目的的图形化工艺，所述图形化工艺的工艺深度不超过所述阻挡层厚度；对经上述处理后的氧化镓晶圆在氧氛围退火处理；去除退火处理后的氧化镓晶圆的阻挡层；去除已剥离所述阻挡层的氧化镓晶圆的表面层。通过退火技术加上图形化工艺的设计解决了氧氛围高温退火技术下无法只针对氧化镓材料局部区域处理，无法对氧化镓材料选择性区域净载流子浓度调控的问题。

摘要： 本申请公开一种有机透明器件表面增硬技术及有机透明器件表面结构，有机透明器件表面增硬技术的步骤包括取出有机透明器件；将含有有机硅氧烷的树脂加工于有机透明器件的表面上，形成第一薄膜层；以及磁控溅射有机透明器件的第一薄膜层上，形成第二薄膜层，其中第二薄膜层填补于第一薄膜层的微孔结构，第一薄膜层与第二薄膜层间互相固定连结，且第一薄膜层与第二薄膜层间形成化学键结。本申请通过含有有机硅氧烷的树脂加工增硬有机透明器件表面的步骤后，再配合磁控溅射加工增硬于通过上述步骤增硬过的有机透明器件表面，可有效提高有机透明器件表面硬度。

摘要： 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入(PAI)工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。

摘要： 一些实施例涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。该单元包括底电极，该底电极具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分。导电底电极的阶梯区域将中心和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。磁隧道结(MTJ)具有设置在中心的底电极部分上方和布置在阶梯区域之间的MTJ外侧壁。顶电极设置在MTJ的上表面上方。还公开了其他器件和方法。本发明的其它实施例涉及一种用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法以及一种集成电路。

摘要： 本公开涉及用无边界接触技术制造集成电子器件尤其是CMOS器件的方法。为了制造集成电子器件(5)，第一材料的保护层(20)形成在具有不平坦表面(6)的主体(3,6)上方；第二材料的介电层(22)形成在保护层上方，第二材料相对于第一材料可被选择性地蚀刻；第三材料的中间层(23)形成在第一介电层上方，第三材料相对于第二材料可被选择性地蚀刻；第四材料的第二介电层(24)形成在中间层上方，第四材料相对于第三材料可被选择性地蚀刻；通孔(35)形成为穿过第二介电层、中间层、第一介电层和保护层；以及导电材料的电接触件(4)形成在通孔中。

摘要： 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO