商族

摘要： 一、商汤兴邦夏朝的最后一位君主桀在位时,穷兵黩武,暴虐非常,激起了国民的强烈不满。原属夏之方国之一的商族首领汤有了取而代之的思想,他以德立威,推行仁政,采用伊尹的计策,国力迅速发展,终于在发布《汤誓》以后,帅兵而起,矛头直指夏桀,在鸣条山(山西夏县)将其击败,从而建立了新的王朝。

摘要： 夏族、商族和东夷族是夏商时期关系最为密切的三大族团.目前,商代后期文化因甲骨文的发现和殷墟的发掘而大白于天下,东夷文化也因特殊的地理位置而被认定,两者成为探索夏文化的两个重要基点.根据商代后期殷墟文化的特征可以认定二里冈文化和下七垣文化是比殷墟文化更早的商系文化.根据特殊的地理位置,也可以确定岳石文化为夏商时期的东夷文化.二里头文化分布于中原地区的南部,它与北部的下七垣文化和东部的岳石文化相互毗邻,呈鼎足之势,存在着密切的文化交流与联系.在夏代,商族有些首领曾在夏朝为官,这种“夏为君、商为臣”的历史与二里头文化的社会地位高于下七垣文化的情况相符;东夷族对夏朝时战时和的关系,与二里头文化和岳石文化你中有我、我中有你的情况也非常符合.夏末,商汤联合东夷伐夏,与下七垣文化和岳石文化融合共生的现象相合.通过战争,商族最终推翻了夏朝的统治而成为统治者,也与二里冈文化取代二里头文化,商系文化的社会地位在二里冈文化时期根本性转变的情况相符.夏、夷、商三族的关系表明二里头文化是夏文化.

摘要： 有关商族的起源,目前学术界有多种说法.其中主要代表说法有:西方说或陕西说、晋南说、豫北冀南说、豫东说等.结合文献资料和考古材料以及相关学者研究综合分析,商族起源于豫东地区更加可信.

摘要： 《山海经》中凡涉及炎帝后裔的记载必有商族先公出现，《路史·炎帝纪》的炎帝世系中记载的大部分人名属于商族的先公先王，这说明古史中存在着一位不同于姜姓炎帝的子姓（商族）炎帝。《路史》明确载有“炎帝魁(夔)”，很多文献记载夔为黄帝所杀，这些材料很大程度上可以证明炎黄之战中的炎帝即商族的高祖夔。涿鹿附近、桑干河南岸有潘县故城，正是“契居番”之番地，其地的“潘泉”即为“阪泉”。由此可证明，商族始居于今涿鹿县西南，因桑干河而得名商都、商族。易水、漳河流域诸多以桑、昌为名的地点往往伴随着与“亳”音相近的地名，它们极有可能都是商族的迁居地，相土之东都应该在距渤海甚近的东昌附近。%The ancestor of Shangs Clan exists in any records of Emperor Yans descendants in Shan Hai Jing. Most names of Yans genealogy recorded in Emperor Yan Biography of Lu History belong to ancestors and ancestral kings of Shangs Clan. It means that there is an Emperor Yan surnamed Zi (Shangs Clan), which is different from the Emperor Yan surnamed Jiang in ancient books. It’s clearly written in Lu History that the Emperor Yan, Kui, indeed existed. According to quite a lot of literatures, Kui was killed by Emperor Huang, which is exactly the evidence to show that Emperor Yan in the war between Emperor Yan and Emperor Huang is just the ancestor of Shangs Clan, Kui. There is an old city of Town Pan near Zhuolu and in the south of Sanggan River, which is the living address of Xie, where the“Pan Quan”is in fact the“Ban Quan”. As a result, it proves that Shangs Clan originally lived in the southwest of Town Zhuolu. Shangs capital and Shangs Clan got their names from the Sanggan River. Many places called Sang and Chang in the basins of Yi River and Zhang River usually are accompanied with names that pronouncing similarly to“Bo”. Its most possible that these places are the migration locations of Shangs Clan. East capital of Xiang Tu should be quite close Bo Hai, near Dongchang.

摘要： 《左传·僖公十九年》：“秋,卫人伐邢,以报菟圃之役,于是卫大旱,卜有事于山川,不吉,宁庄子曰：‘昔周饥,克殷而年丰,今邢方无道,诸侯无伯,天其或者,欲使卫讨邢乎？’从之,师兴而雨。”《左传》里的这段话非常珍贵,因为它记录了武王伐纣时“天气大旱”的自然情况。武王伐纣,后世亦谓之“翦商”,即周人周族降服了商人商族。商人至少兴盛了两百多年,周人才逐步强大起来。

摘要： 王亥（公元前1854~1803年）,子姓,又名振,河南商丘人,华夏商人,商品、商业的缔造者,华商始祖、商族先公之一。阏伯的六世孙,契之后,冥之长子,商部落族的第七任首领。王亥不仅帮助父亲冥在治水中立了大功,而且还发明了牛车,开始驯牛,促使农牧业迅速发展,使商部落得以强大。

摘要： 一、认读乐谱在第二课已经讲过,＂d、r、m、s、l＂五声在中国音乐中分别有＂宫、商、角、徵、羽＂五爪＂阶名＂。那么,这五声为什么叫＂宫、商、角、徵、羽＂呢？这是一个很有意思的问题。《史记·乐书》中讲＂故‘商＇者,五帝之遗声也,商人志之,故谓之商。＂司马迁这段话的意思是：＂‘商＇是从五帝时代留下来的声,而商族人认识到这一点,便用他们的族称命名了这一声。＂

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al