PMO

摘要： 为了改善220 mm×260 mm矩形GCr15轴承钢铸坯心部组织,提高元素分布均匀性,以稳定轴承产品质量,在凝固过程中利用脉冲磁致振荡(简称PMO)技术对铸坯进行处理。取样检测结果表明,相比未经过PMO技术处理的铸坯(对比坯),PMO处理坯的中心缩孔明显减小,凝固组织的初生相占比波动显著降低,C、Cr、Mn、Si元素含量的分布更加均匀。

摘要： 大标段地铁施工总承包模式在我国城市轨道交通建设行业得到广泛应用,文中从施工总承包商视角出发,以施工总承包管理职能部门组织界面为研究对象,立足组织结构设计角度,提出以项目管理办公室(PMO)为原型的管理协调组织设计,以南京地铁X号线施工总承包管理项目为案例进行了实证设计。

摘要： 当前,中国石化胜利油田勘探开发研究院承载着中国石化、胜利油田以及我国油气上游行业发展的历史重任,打造“创新、活力、智慧、和谐”研究是院立足当前、着眼未来的战略发展目标,高效的管理模式是推进研究院建设的重要组成部分。

摘要： PMO仅仅被看成行政部门;高层不支持PMO;PMO在战略方面没有发言权;员工不遵守PMO流程;PMO被迫不断证明自己的存在价值……你的PMO还好吗?你的PMO存在上述问题吗?你对最新PMO定位和相关知识有了解吗?你知道未来PMO将如何转型与发展吗?请带着以上问题,跟随《项目管理评论》杂志踏上PMO解惑之旅吧!

摘要： 面向市场的项目是联结动态的、独特的价值需求和稳定的企业部门之间的管道,部门为项目供给专业资源、项目向客户交付成果并为企业赢回利益。这种逻辑关系看起来很简单,但实现起来却很不容易:市场和客户的需求是模糊的、变动的;企业的资源是有限的,是需要在多个项目中合理分配的;企业的资源能力并不总是胜任项目的工作需求的。

摘要： 目的:探究B族维生素对反义寡核苷酸药物磷酸二胺吗啉代寡核苷酸(PMO)在DMD治疗中运输效率的影响以及药物安全性评价.方法:通过对成年的杜兴肌肉萎缩症(DMD)模型mdx小鼠胫骨前肌分别局部注射PMO和各种维生素的混合液,利用免疫荧光(IF)和Western印迹检测dystrophin蛋白表达情况,评估各维生素对PMO作用效果的影响;通过尾静脉注射PMO和维生素B12的混合液,相同方法检测维生素B12对PMO治疗效果的影响,同时利用苏木素-伊红组织染色(HE)技术检测组织病理情况,评估维生素B12联合PMO治疗的安全性.结果:在mdx小鼠局部给药实验中,比较不同的B族维生素对PMO药效影响时,发现维生素B12对PMO的促进效果最佳(t=8.015,P＜0.01);随后选择维生素B12与PMO混合对mdx小鼠进行系统治疗时,相比于PMO生理盐水组,发现维生素B12能够在胫骨前肌(t=9.631,P＜0.01)和股四头肌(t=8.452,P＜0.01)上明显提高PMO的系统治疗效果,同时对mdx小鼠不产生肌肉不良反应.结论:维生素B12作为营养补充剂能够显著提高PMO在mdx小鼠上的局部治疗效果,但系统治疗效果有限,且对小鼠肌肉组织无损伤.

摘要： 针对公司系列潜水支持船项目修改率较高,导致现场返工多,修改成本高的问题.通过运用麦肯锡PMO质效提升方法,主要以公司船舶及平台建造项目为举措实操项目,按L0-L4五步实行,建立8个里程碑,经持续推动、验证、复盘、改进,现即将进入L5全面实现阶段,取得阶段成果,管电舾三个专业修改率大幅下降,另一方面不断加强创新研究开发投入和注重形成企业核心自主知识产权,在专利论文方面成果丰硕,麦肯锡项目管理办公室(PMO)方法论的成果表明,通过软件升级、人员培训、管理精细化、合理运用设计奖惩细则、建立重大修改教训案例库、推进设计创新、R&D投入、物质奖励创新等一系列举措,并按多步执行和验收,是有效的质效提升方法.

摘要： 得益于强大的数据运算能力,云计算技术与越来越多的化工建设工程产业、企业等进行了融合.文章基于PMO信息云架构对化工建设工程信息化进行了深入研究.首先对化工建设工程中的云计算相关理念和技术种类进行了综述;其次对未来我国化工建设工程领域运用云计算技术的可行性进行了展望;最后通过专业化、体系化、规范化等手段构建了基于云计算的化工建设工程信息化平台,从总体架构、标准体系设计、基础设施建设、基础平台建设、业务系统实现以及继承规范等角度进行了详细论证.

摘要： 分析重大工程项目在立项、准备、实施阶段所面临的问题,设立重大工程项目管理办公室(PMO),通过管理体系、人员配置、技术支持等架构的建立,探索重大任务性工程项目全流程标准化管理.基于通用的项目管理成熟度模型,建立重大工程项目管理成熟度模型,对国家重大任务性工程项目的立项实施、推进、能效管理等过程实施精细化管理,保障重大工程项目的顺利实施.

摘要： 随着数字化时代的到来,技术跨界和多部门合作越来越普遍,且合作方式与管理方式也发生了转变,项目管理界面日趋复杂,高效的项目管理模式已成为众多工程公司项目管理的关注点.项目管理办公室(Project Management Office,PMO)对于改善公司资源设置、 整合项目管理流程、 确保经营项目符合公司战略目标具有不可替代的作用.PMO作为优秀的预防性控制和项目管理服务组织,对提升公司协同管理水平的重要作用越来越突显.以E公司多项目管理体系为例,探讨PMO的应用模式及其作用.

摘要： 本发明提供了一种制造用于p型金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管(FET)的源极结构的方法。在该方法中，在FET的源极区上形成包括Si1‑xGex的第一外延层，在第一外延层上形成包括Si1‑yGey的第二外延层，在第二外延层上形成包括Si1‑zGez的第三外延层。z小于y。本发明的实施例还提供了半导体器件以及制造PMOS FinFET的方法。

摘要： 本发明提供了PMOS源漏区离子注入方法，其包括：首先，对半导体衬底中的源漏区进行硼注入；然后，对源漏区进行氟注入。本发明还提供了PMOS器件的制备方法。本发明的PMOS源漏区的离子注入方法和PMOS器件的制备方法，通过用硼注入代替现有的二氟化硼注入，减少了后续氟注入的剂量，从而有效缓解了衬底中的氟析出，减少了对光刻胶的腐蚀，提高了器件的质量。

摘要： 一种非易失性存储器（NVM）单元结构，其包括PMOS编程晶体管、NMOS控制晶体管、PMOS擦除晶体管和NMOS读晶体管，其中，PMOS编程晶体管具有源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；NMOS控制晶体管具有公共连接以接收控制电压的源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；PMOS擦除晶体管具有公共连接以接收擦除电压的源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；以及NMOS读晶体管具有源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极。

摘要： 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种PMOS器件及PMOS器件的制备方法，PMOS器件包括衬底、SiGe层、源区、漏区、栅极以及侧壁间隔物，SiGe层设置在衬底上；源区和漏区间隔地设置在SiGe层内；栅极设置在SiGe层上；侧壁间隔物设置在栅极的外侧。本发明的PMOS器件将源区和漏区与SiGe层相结合，且兼容HKMG集成，具有空穴迁移率高，器件工作速度高，频率特性好等优点。其制备方法集成度高，可以低制造成本。

摘要： 本发明公开了一种PMOS晶体管，包括：衬底，依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，围绕在沟道区外围形成有栅堆叠；其中，在第一源/漏区和第二源/漏区上叠置有金属硅化物层，在金属硅化物层上叠置有金属层；金属硅化物层与第一源/漏区、第二源/漏区之间形成的肖特基势垒低于金属层与第一源/漏区、第二源/漏区之间形成的肖特基势垒。本发明所述PMOS晶体管，在金属层与第一源/漏区、第二源/漏区之间，分别插入一层金属硅化物层，相比现有PMOS晶体管中形成的金属层与第一源/漏区、第二源/漏区接触，能有效降低PMOS晶体管中源漏区接触电阻。同时，本发明还提供一种POMS晶体管的制备方法，以及一种电子设备。

摘要： 本发明提供了一种制造用于p型金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管(FET)的源极结构的方法。在该方法中，在FET的源极区上形成包括Si

摘要： 本发明提供了PMOS源漏区离子注入方法，其包括：首先，对半导体衬底中的源漏区进行硼注入；然后，对源漏区进行氟注入。本发明还提供了PMOS器件的制备方法。本发明的PMOS源漏区的离子注入方法和PMOS器件的制备方法，通过用硼注入代替现有的二氟化硼注入，减少了后续氟注入的剂量，从而有效缓解了衬底中的氟析出，减少了对光刻胶的腐蚀，提高了器件的质量。

摘要： 本发明提供一种PMOS源漏区离子注入方法及PMOS器件制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧形成有侧墙；以所述侧墙为掩蔽，在所述栅极结构两侧进行PMOS源漏区离子注入，使离子注入到衬底内；所注入离子包括氟和二氟化硼，所述氟和二氟化硼的注入在-100°C～-50°C的温度环境中进行。氟和二氟化硼注入在-100°C～-50°C的温度环境中进行，-100°C～-50°C的温度环境可抑制氟和二氟化硼注入时硅片的升温效应，因而能降低氟元素逃逸的速度，抑制光刻胶腐蚀现象。

摘要： 本实用新型公开了一种用于提高功率PMOS管开关速度的PMOS管驱动电路，包括NPN型三极管Q2、NMOS管Q3、肖特基二极管D2、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，NMOS管Q3的栅极与电阻R3的一端连接，NMOS管Q3的漏极与电阻R2的一端连接；NPN型三极管Q2的基极通过电容C2与NMOS管Q3的漏极连接，NPN型三极管Q2的集电极与待驱动的PMOS管的源极连接，NPN型三极管Q2的发射极与电阻R2的另一端和待驱动的PMOS管的栅极连接。本实用新型电路结构简单，实现方便且成本低，能够有效保证PMOS管快速导通与关断，电路工作效果高，工作可靠性高，实用性强，市场前景广阔。

摘要： 本实用新型提供一种横向PMOS管及横向PMOS芯片，所述横向PMOS管包括PMOS开关管和ESD保护电路，所述PMOS开关管的源极设置于其栅极的一侧，所述PMOS开关管的漏极设置于所述栅极的另一侧，所述PMOS开关管的栅氧化层下方区域设置为沟道；所述ESD保护电路分别与所述PMOS开关管的源极和栅极相连接。本实用新型采用主流的CMOS工艺来实现横向的PMOS结构，进而提供一种新的LED显示屏行扫描驱动芯片，以达到降低成本和保证产能供应等目的；不仅能满足LED显示屏行驱动芯片的市场应用，还具有开启电压低和偏差小的优点，且通过增加的ESD保护电路实现了全面的ESD保护，以达到成本低和性能优的特点。