品德不良

摘要： 后进生通常指品德不良或学习成绩跟不上同龄人的学生。做好后进生的教育工作,不仅有利于树立良好的班风,建立良好的班级秩序,而且有利于提高教学效率与质量,培养更多的人才。根据教学实践,笔者认为教师在教育后进生时,应注意以下几点。一、兼顾品行和成绩在评价学生时,教师不应只以学习成绩为标准。有些教师认为成绩好、分数高就可以"一俊遮百丑",这种教育理念是不正确的。有些学生虽然成绩好,但品行不良,教师对待这类学生不应纵容,而应对他们加以教化,以免他们偏离正确的人生道路。

摘要： 教学实践证明,各类学校的每个班级都会存在一些成绩差和品德不良的学生,即后进生。笔者结合近年来对后进生的教育谈几点体会。一、教师要从心理理解后进生后进生不是天生的,导致他 们成为后进生的原因有很多,大部 分都掺杂着家庭、学校和社会等因 素,造成了他们有着独特的性格和一定的心理问题,他们的心理异常 脆弱,又非常渴望得到教师的赞赏 与同学的认同。

摘要： 小学生的品德不良行为与其心理倾向问题密切相关，已有的研究表明，近年来在校园中发生的一连串悲剧事件，在不同程度上都与学生的心理健康问题有关。小学生的许多品德问题，究其根源，也就是心理问题。因此，对小学生品德不良心理倾向进行分析研究是至关重要的。

摘要： “德育”是学校教育的首要工作，但近年来在学校日程安排上却备受冷落，在学校这些学生虽占少数，但必须认真对待和正确处理，否则既有碍他们自身的健全成长，又会影响班级和学校的正常活动，甚至危及社会安定。探讨了品德不良学生的成因，以及应采取的相应措施。

摘要： 品德不良学生,是指经常违反社会道德行为规范或犯有较严重道德过错的学生.形成学生不良品德有客观原因和主观心理因素,要矫正他们的不良品德,教师应当分析他们品德不良形成的原因及表现,并依据他们的心理特征采取有效的方法.感化引导,改变认知.锻炼意志,培养习惯.善于发现,掌握技巧.

摘要： 品德,又叫德行,通常是指人依据一定的社会准则和规范,表现出来的稳定的心理特征和行为.培养学生优良的品德是实施素质教育的一项极其重要的任务.从我国的教育和培养目标中,培养学生德、智、体、美、劳全面发展可以看出,培养学生良好的道德排在首位,可见其重要性.学生的良好的道德品质不是自己形成的,而是需要教育和引导的,不良品德的形成也是有原因的,对学生品德不良的原因及其矫正的探讨十分有必要.本文通过阐述学生品德不良的原因,学校、家庭和社会的影响,进而得出对学生品德不良的矫正,进一步强调培养学生良好道德品质的重要性.

摘要： 品德不良学生,是指经常违反社会道德行为规范或犯有较严重道德过错的学生。形成学生不良品德有客观原因和主观心理因素,要矫正他们的不良品德,教师应当分析他们品德不良形成的原因及表现,并依据他们的心理特征采取有效的方法。感化引导,改变认知。锻炼意志,培养习惯。善于发现,掌握技巧。

摘要： 现在的学生难管、难教育，几乎是每个教育工作者的共识，甚至有的教师感叹学生一届不如一届。未成年人的德育问题更是引起了全社会的关注。那些经常违反道德行为准则和有较严重的道德过错的学生，我们常称之为“问题学生”。对这些“问题学生”进行教育，是学校当前工作的一个难点，也是教师议论的热点。我试图从教育学、心理学的角度分析这些学生品德不良的形成原因及教育对策进行探讨。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 该面形状不良产生区域推断方法是推断将被加工材料塑性加工而得的塑性加工品的面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断方法，具备取得第一应力分布σ(T1)的第一应力分布取得工序、取得第二应力分布σ(T2)的第二应力分布取得工序、取得比较应力分布σ(T1，T2)的比较应力分布取得工序、取得分割比较应力分布σDIV(T1，T2)的分割比较应力分布取得工序、以及分别推断分割区域Dk是否是面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断工序。

摘要： 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。

摘要： 提供能够提供节省输入操作、验证操作、减少输入失误的端子压接不良检测装置的压接不良判定数据制作方法。在用于判定压接处理是否合格的压接不良判定数据制作方法中，在端子压接装置(21)中预先存储合格品用加工数据和不合格品产生用加工数据，具备：不合格品检测波形数据生成工序，根据不合格品产生用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；合格品检测波形数据生成工序，根据合格品用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；以及判定数据生成工程，根据在不合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据和在合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据的关系，计算基准波形数据和容许公差并生成合格/不合格判定用数据。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11)；取得布局信息的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)，构成不良解析装置(10)。不良解析部(13)，参照不良观察图像(P2)来设定解析区域，同时，对半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过解析区域的网路。由此，半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。

摘要： 公开了用于治疗脑白质营养不良，特别是H‑ABC的组合物和方法。

摘要： 本申请提供一种剔除芯片不良品的设备及剔除芯片不良品的方法。所述剔除芯片不良品的设备包括控制器、激光系统及摄像装置。所述控制器用于控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像，根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息，并根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息；所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品。所述激光系统用于产生激光，并根据所述切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，以将所述芯片不良品剔除。