同位旋效应

摘要： 利用量子分子动力学模型研究了中能重离子碰撞中的镜像核发射率,选取4个稳定的轻反应系统(64Ge+64Ge,64Zn+64Zn,64Ni+64Ni,64Fe+64Fe)和5个稳定的重反应系统(124Ba+124Ba,124Xe+124Xe,124Te+124Te,124Sn+124Sn,124Cd+124Cd),分别研究了它们在不同的时间、对称势、入射能量、系统中质比下的镜像核发射率的特征.研究表明,不论轻、重反应系统,发射率Y(n)/Y(p)和镜像核发射率Y(3H)/Y(3He)都随着系统中质比的增大而增大.Y(n)/Y(p)为前平衡发射中子产额与质子产额之比,Y(3H)/Y(3He)为前平衡发射3H产额与3He产额之比.相对于发射率Y(n)/Y(p),同位旋相关平均场对镜像核发射率Y(3H)/Y(3He)更为灵敏.在重反应系统、缺中子反应系统中,镜像核发射率Y(3H)/Y(3He)作为同位旋相关平均场的灵敏探针更为合适.

摘要： 利用同位旋相关的量子分子动力学模型,研究了112Sn+112Sn,124Sn+124Sn和132Sn+132Sn在能量为50,100,200 MeV/u的反应系统中,不同中子-质子有效质量劈裂对原子核阻止和中子、质子发射数的影响.结果表明:中子-质子有效质量劈裂对原子核阻止和中子、质子发射数有很明显影响,且原子核阻止和中子、质子发射数随着有效质量劈裂的增加而递减.可以通过实验测定的原子核阻止和中子、质子发射数来确定中子-质子有效质量劈裂的值.%Based on the isospin-dependent quantum molecular dynamics model,the effects of different neutron-proton effective mass splitting,on the nuclear stopping and neutron-proton emission numbers were studied respectively in the reaction systems of 112Sn + 112Sn,124Sn + 124Sn and 132Sn + 132Sn with different system energy (50,100 and 200 MeV/u).The results show that the neutron-proton effective mass splitting has obvious influence on the nuclear stopping and neutronproton emission numbers.When the neutron-proton effective mass splitting is increasing,the nuclear stopping and neutron-proton emission numbers are decreasing.The value of neutron-proton effective mass splitting can be confirmed by the nuclear stopping and neutron-proton emission numbers in experiments.

摘要： 基于采用唯象核势的结团模型研究了铕同位素的α衰变半衰期,计算结果表明结团模型比库仑势加亲和势模型更加接近铕同位素的α衰变实验数据.引入因子f来修正唯象核势,发现因子f与同位旋之间存在强烈的线性关系,根据α衰变半衰期的实验数据提取了相关系数.

摘要： 采用改进的量子分子动力学模型对质子在Sn同位素和相应的B稳定线核引起的核反应中的同位旋效应进行了系统研究。提出了一些探索对称能在低于饱和密度区的密度依赖形式的灵敏观测量。

摘要： 对两对重离子中心碰撞系统40C+40ca和60ca+40Ca以及112Sn+112Sn和124Sn+124Sn反应中就同位素标度参数n对于核子一核子碰撞截面的同位旋效应进行了研究.计算结果表明a对同位旋相关核子.核子碰撞截面amedNN(am)相对于同位旋无关核子一核子碰撞截面口aNN(am)的同位旋效应很明显,然而a对amedNN(am)相对于同化旋无关核子-核子碰撞截面a2nn(am)的同位旋效应是较小的.对以上两种条件下a同位旋效应的机理进行了仔细研究.

摘要： 报道了35MeV/u 36Ar+112,124Sn反应中用于中等质量碎片(IMF)(3≤Z≤5)关联函数测量的△E(Si)+E(BGO)望远镜阵列的测试结果.实验表明该探测器阵列的几何安排有利于提高小角关联测量中的动量分辨,可用于IMF发射时标的同位旋依赖性的研究.

摘要： 基于同位旋相关的量子分子动力学模型,采用三种不同形式的对称势,研究了124Sn+124Sn和124Ba+124Ba对心碰撞时在三种不同对称势下的径向膨胀流,发现径向膨胀流阈能与所采用的对称能形式密切相关,表现出明显同位旋效应,预示着径向膨胀流阈能的同位旋相关性可作为对称能的灵敏探针.

摘要： 粲夸克辐射的死区效应,透射法测量丰中子核8He的去中子截面,弹核碎裂反应中同位旋效应的系统研究

摘要： 35MeV／u36Ar＋112.124Sn反应中中等质量碎片关联函数的入射道依赖,139Ce的多准粒子激发态,同位旋效应对N=9同中子素能级间隙的影,热熔合反应合成超重核产生截面的同位素依赖性,

摘要： 利用同位旋相关的量子分子动力学,对中能重离子碰撞过程中的中子和质子发射的同位旋效应进行了分析.计算结果表明在有动量相关作用条件下,在很宽的能量和碰撞参数范围内,缺中子碰撞系统的中子(质子)发射数强烈的依赖于同位旋相关的核子-核子碰撞截面,而较弱的依赖于对称势.在对丰中子碰撞系统的研究中,上述规律减弱.这样我们就可以通过实验上对缺中子碰撞系统的中子(质子)发射数的探测,来提取介质中同位旋相关核子-核子碰撞截面的知识.

摘要： 耦合了轻粒子发射的随机Langevin模型被用于计算三个Bi裂变系统因核耗散效应引起的相对于标准统计模型预计的裂变截面值的变化,σdropf作为激发能的函数.发现209Bi的σdropf要大于202Bi和195Bi的σdropf,这表明高同位旋系统209Bi的裂变截面对摩擦强度有更大的敏感性.该结果建议,当实验上使用裂变激发函数来更精确地提取鞍点前摩擦强度时,应产生具有高同位旋的复合核.进而,通过Langevin计算拟合p+206Pb和p+209Bi反应的裂变激发函数数据,提取的鞍点前摩擦强度为(3～5)×1021s-1.

摘要： 耦合了轻粒子发射的随机Langevin模型被用于计算三个Bi裂变系统因核耗散效应引起的相对于标准统计模型预计的裂变截面值的变化,σdropf作为激发能的函数.发现209Bi的σdropf要大于202Bi和195Bi的σdropf,这表明高同位旋系统209Bi的裂变截面对摩擦强度有更大的敏感性.该结果建议,当实验上使用裂变激发函数来更精确地提取鞍点前摩擦强度时,应产生具有高同位旋的复合核.进而,通过Langevin计算拟合p+206Pb和p+209Bi反应的裂变激发函数数据,提取的鞍点前摩擦强度为(3～5)×1021s-1.

摘要： 耦合了轻粒子发射的随机Langevin模型被用于计算三个Bi裂变系统因核耗散效应引起的相对于标准统计模型预计的裂变截面值的变化,σdropf作为激发能的函数.发现209Bi的σdropf要大于202Bi和195Bi的σdropf,这表明高同位旋系统209Bi的裂变截面对摩擦强度有更大的敏感性.该结果建议,当实验上使用裂变激发函数来更精确地提取鞍点前摩擦强度时,应产生具有高同位旋的复合核.进而,通过Langevin计算拟合p+206Pb和p+209Bi反应的裂变激发函数数据,提取的鞍点前摩擦强度为(3～5)×1021s-1.

摘要： 耦合了轻粒子发射的随机Langevin模型被用于计算三个Bi裂变系统因核耗散效应引起的相对于标准统计模型预计的裂变截面值的变化,σdropf作为激发能的函数.发现209Bi的σdropf要大于202Bi和195Bi的σdropf,这表明高同位旋系统209Bi的裂变截面对摩擦强度有更大的敏感性.该结果建议,当实验上使用裂变激发函数来更精确地提取鞍点前摩擦强度时,应产生具有高同位旋的复合核.进而,通过Langevin计算拟合p+206Pb和p+209Bi反应的裂变激发函数数据,提取的鞍点前摩擦强度为(3～5)×1021s-1.

摘要： 耦合了轻粒子发射的随机Langevin模型被用于计算三个Bi裂变系统因核耗散效应引起的相对于标准统计模型预计的裂变截面值的变化,σdropf作为激发能的函数.发现209Bi的σdropf要大于202Bi和195Bi的σdropf,这表明高同位旋系统209Bi的裂变截面对摩擦强度有更大的敏感性.该结果建议,当实验上使用裂变激发函数来更精确地提取鞍点前摩擦强度时,应产生具有高同位旋的复合核.进而,通过Langevin计算拟合p+206Pb和p+209Bi反应的裂变激发函数数据,提取的鞍点前摩擦强度为(3～5)×1021s-1.

摘要： 本发明涉及一种洞穴现代沉积物同位素分馏效应监测装置及监测方法，属于岩溶水监测技术领域，解决了现有洞穴现代沉积物同位素分馏效应监测装置采用平板毛玻璃片无法区分沉积物成因类型，导致碳酸钙沉积物同位素分馏效应监测结果不准确，无法准确厘定洞穴现代碳酸钙沉积物的同位素分馏效应的问题。该洞穴现代沉积物同位素分馏效应监测装置包括平板，平板上设有多个凸起，凸起之间构成流水通道；凸起包括主凸起和次凸起，主凸起为滴水中心点位置，主凸起的顶端面用于接收滴水，多个次凸起设于主凸起的四周，用于接收飞溅水。本发明能够准确的解译洞穴现代碳酸钙沉积物的同位素分馏效应及影响因素。

摘要： 本发明公开了一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法，针对目前无法获得同位素电源的γ射线产生的“总剂量～年”谱的问题，通过建立的模型，根据具体封装材料、同位素核燃料质量、距离同位素核燃料中心距离，可以反推实际应用下的γ射线产生的总剂量谱(总剂量～年的关系)，从估算航天器整个任务期的总剂量效应风险；通过模型对同位素电源的估算，避免对同位素放射性燃料的试验监测，简单易行，节省了试验经费和辐射风险，具有一定的经济意义以及工程设计的指导意义；本发明方法除了涉及核衰变的同位素电源，也适用于核裂变的核反应堆电源，能够解决空间核动力航天器中核电源产生总剂量效应的评估，具有一定的普适性。

摘要： 本发明涉及一种消减MC‑ICP‑MS测定硼同位素记忆效应的方法，包括以下步骤：采用NH4NO3溶液对MC‑ICP‑MS测定中的管路进行清洗；在样品测试阶段时，采用NH4NO3溶液作为标准溶液和待测试样品的介质，本发明采用NH4NO3溶液消减MC‑ICP‑MS测定硼记忆效应，具有清洗时间短、清洗效率高、对测试结果影响小、方法过程简便、方法耗材小等优点，适宜推广使用，为相关领域研究提供理论依据和数据支持。以及采用NH4NO3消减MC‑ICP‑MS测定硼同位素记忆效应方法不仅可以有效提高MC‑ICP‑MS测定硼同位素效率，更重要的是可以有效提高MC‑ICP‑MS测定硼同位素比值结果的稳定性和准确性。

摘要： 本发明实施例中提供的一种基于β辐射伏特效应砷化镓GaAs基同位素电池，包括GaAs基换能单元、设置于所述GaAs基换能单元上的辐致发光材料层、设置于所述辐致发光材料层上的β辐射同位素源，通过采用含有电子/空穴传输层的GaAs基换能单元结构，增强辐生电子‑空穴对的输运与收集，提出GaAs基辐致伏特/光伏双重效应同位素电池结构，解决半导体材料的辐照损伤问题，实现辐生/光生电子空穴对的高效利用，提高电池器件输出性能。

摘要： 本发明提供的一种基于β辐射伏特效应的同位素电池，根据换能单元个数不同可以分为单层同位素电池、双层同位素电池、三层同位素电池，甚至一直扩展到N层同位素电池(包含N个换能单元和N‑1个同位素源，N≥4)，通过巧妙的设计实现多层同位素电池叠层封装结构。该多层同位素电池包括绝缘壳体、绝缘限位卡具和电池模组，电池模组置于绝缘壳体内，限位卡具置于绝缘壳体内部两侧。目的是针对目前β辐射伏特效应同位素电池能量转换效率偏低、输出电流小、输出功率低且多采用低能同位素源的现状，针对不同材料换能单元，提出一种通用的基于辐射伏特效应的多层同位素电池及其封装结构，能有效提升同位素电池输出性能。

摘要： 本发明提供一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池，涉及同位素电池技术领域，两个单元模块的半导体对置，通过阴极金属电极进行连接和支撑，半导体本征层及P+层为条状，在侧面间隙处镀有氚基放射源。本发明中氚基放射源的产生额β粒子入射到半导体内后绝大部分将落入耗尽层中，产生的电子空穴对可大概率被收集，可避免传统方案中氚基放射源由于穿透深度低而落在P+层导致收集效率低的问题，此外，氚基放射源双面发射的电子均可被半导体捕获，可以实现基于氚源的高效辐射伏特效应同位素电池。

摘要： 本发明公开了一种同位素示踪技术领域的蒸发水汽中氢氧同位素分馏效应的解析方法，旨在解决现有技术中所使用的蒸发模型同位素分馏过程计算参数复杂，且有多种变型，不确定性较大，不利于与其他模型的模块接口耦合等问题。本发明基于二项式分布的概率质量函数以及氢氧重轻同位素体在蒸发过程中质量守恒，来解析蒸发过程水汽中的同位素分馏效应，有效地构建了重/轻同位素体散逸速率与水体蒸发速率、蒸发时长、以及同位素分馏系数和初始重/轻同位素体含量的定量关系，科学地定量评估了蒸发过程中蒸发水汽的同位素丰度随温度、相对湿度的变化规律，揭示了蒸发水汽以及气‑液界面直至高空的垂向同位素分馏变化规律。

摘要： 本发明涉及一种洞穴现代沉积物同位素分馏效应监测装置及监测方法，属于岩溶水监测技术领域，解决了现有洞穴现代沉积物同位素分馏效应监测装置采用平板毛玻璃片无法区分沉积物成因类型，导致碳酸钙沉积物同位素分馏效应监测结果不准确，无法准确厘定洞穴现代碳酸钙沉积物的同位素分馏效应的问题。该洞穴现代沉积物同位素分馏效应监测装置包括平板，平板上设有多个凸起，凸起之间构成流水通道；凸起包括主凸起和次凸起，主凸起为滴水中心点位置，主凸起的顶端面用于接收滴水，多个次凸起设于主凸起的四周，用于接收飞溅水。本发明能够准确的解译洞穴现代碳酸钙沉积物的同位素分馏效应及影响因素。

摘要： 本实用新型公开了一种基于旋光效应的旋光溶液检测装置，其特征在于：至少包括：光源机构，所述光源机构包括沿光路依次设置的光源、聚光镜、滤色镜、起偏片、石英光栏；聚光镜、滤色镜、起偏片、石英光栏集成于一空心的圆柱体上；检测机构，检测机构包括沿光路依次设置的检偏片、物镜、目镜、放大镜、分度盘、度盘转动手轮、保护片、CCD摄像头；所述检偏片、物镜、目镜、放大镜、分度盘、度盘转动手轮、保护片集成于一体；CCD摄像头通过数据线与显示器连接；以及用于承载旋光溶液的试管；试管位于石英光栏与检偏片之间；试管为圆柱形结构，保护片为圆筒结构，试管置于保护片内，保护片的入口与石英光栏的出口相连；保护片出口与检偏片对接。

摘要： 本实用新型提供一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池，涉及同位素电池技术领域，两个单元模块的半导体对置，通过阴极金属电极进行连接和支撑，半导体本征层及P+层为条状，在侧面间隙处镀有氚基放射源。本实用新型中氚基放射源的产生额β粒子入射到半导体内后绝大部分将落入耗尽层中，产生的电子空穴对可大概率被收集，可避免传统方案中氚基放射源由于穿透深度低而落在P+层导致收集效率低的问题，此外，氚基放射源双面发射的电子均可被半导体捕获，可以实现基于氚源的高效辐射伏特效应同位素电池。