叶卡捷琳娜二世

摘要： 提到叶卡捷琳娜宫,很多入首先想到的是俄罗斯历史上那位执政34年,风流韵事不断的女大帝--叶卡捷琳娜二世。然而,叶卡捷琳娜宫其实是以彼得大帝的爱妻叶卡捷琳娜一世命名的。1717年,在距离彼得堡以南约30公里的地方,彼得大帝打算为妻子修建一处避暑的别墅,1724年,这栋有16间房的朴素二层建筑终于竣工。

摘要： 艾尔米塔什博物馆位于俄罗斯圣彼得堡中心市区的涅瓦河南岸,本是沙皇俄国冬宫之侧翼楼群、一代女沙皇叶卡捷琳娜二世的宫邸。俄语里的艾尔米塔什(Γосударственный),源自法语ermite,本为“隐士”之意,此处引申为“隐宫”“幽居之处”。艾尔米塔什博物馆创建于1764年,最初是一座基于彼得大帝之女女皇伊丽莎白直至叶卡捷琳娜大帝的皇家旧藏建立的博物馆,1852年对外开放,1922年国立冬宫博物馆并入,在苏联卫国战争前,藏品数量达到111.8万件(套)。

摘要： 叶卡捷琳娜二世(1729—1796),是罗曼诺夫王朝第12位沙皇、俄罗斯帝国的第八位皇帝,也是俄罗斯历史上唯一被称为“大帝”的女皇,知名度仅次于彼得大帝。1745年,年仅16岁的德国公主索菲亚(后来改名叶卡捷琳娜),嫁给俄罗斯皇储彼得,即后来的彼得三世。

摘要： 艾尔米塔什博物馆是世界四大博物馆之一,位于俄罗斯圣彼得堡涅瓦河畔。该馆最早是俄国女皇叶卡捷琳娜二世的私人宫邸。1764年,叶卡捷琳娜二世购进大量伦勃朗、鲁本斯等人作品存放在新建的冬宫侧翼艾尔米塔什(意为隐宫),该博物馆由此得名。该馆藏品分为七个部分,分别陈列于350多间展厅内,展览线总长30公里,有世界最长艺廊之称。

摘要： 俄罗斯化是指俄罗斯人将其境内非俄罗斯民族进行同化、民族融合的手段,对于乌克兰而言,叶卡捷琳娜二世统治时期(1762—1796年)就是乌克兰俄罗斯化的重要时期.在这段时间里,俄罗斯中央集权又一次得到强化,乌克兰经这次强化后完全变为俄罗斯国家的一部分.另外,随着俄罗斯贵族政治地位的提高,乌克兰贵族的权利也大大加强.诸多的变化让乌克兰贵族更加俄罗斯化,乌克兰贵族以一种前所未有相对平等的姿态加入俄罗斯贵族的行列,这使得乌克兰贵族对俄罗斯帝国的认同空前增强,从而让帝国对乌克兰的控制更加牢固.

摘要： 作为俄国历史上教育改革的重要组成部分,女皇叶卡捷琳娜二世执政期间推行的国民教育改革,首次在俄国建立了统一的、无阶层差别的普通学校体系。奥地利模式的国民教育改革使俄罗斯教育有了长足进步,以培养公民服从精神为主要任务的国民教育改革不仅为19世纪俄国新的教育改革夯实了基础,对俄罗斯国家之后的教育改革和发展也产生重要影响。

摘要： 叶卡捷琳娜二世时代，俄罗斯跨进了世界列强行列。她的统治权力受到了被统治者的自觉承认。这位血缘、性别以及民族上受到诸多限制的异邦公主能够成为备受尊崇的叶卡捷琳娜大帝，除了掌握强权外，势必还有其它因素铺就了她的王权之路，更为其后来的开疆拓土奠定基石。

摘要： 俄国文学家普希金很小的时候就知道中国——他的外曾祖父曾被发配到中俄边境修筑工事,并在此期间去中国测量长城,回来后给他讲了很多关于中国的故事。1811年,12岁的普希金进入彼得堡郊外新建的皇村学校。当时“中国热”席卷欧洲,俄国自不例外。女皇叶卡捷琳娜二世在彼得堡附近修建大量中国式的亭台楼阁,皇村成了“中国村”,除了古色古香的园林外,还充斥着瓷器、漆器等中国艺术珍品,中国题材的剧目也时常上演。

摘要： 1777年12月,俄国沙皇叶卡捷琳娜二世的气色比往日轻松许多。被冠以“大帝”之名的她,以铁血手段大大地拓展了俄国的疆域,此时她慈爱地望着刚降生的孙子—亚历山大,觉得这个孩子的眼神像极了幼年的自己,未来定会大有作为,于是将他抱走亲自抚养。

摘要： 本文借助18世纪60——90年代,这一时期来到俄罗斯的意大利作曲家及其作品风格,对俄罗斯特殊历史环境影响下的"意大利作曲家流入俄罗斯"这一现象进行论述,试图了解意大利作曲家对俄罗斯音乐造成的影响.并对这一历史事件与俄罗斯早期本土音乐家的关系进行探究,试图了解俄罗斯早期本土音乐产生的环境.

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S－氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S－二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明的苯二甲撑二氨基甲酸酯，按质量基准计以下述式(1)～(4)所示的杂质的总量低于100ppm的比例含有下述式(1)～(4)所示的杂质(上述式(1)～(4)中，R表示1价的烃基)。

摘要： 本发明涉及一种通过乙二醇醇解反应解聚消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的酶促方法。该发明还涉及一种再循环消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的方法以及通过所述方法获得的再循环的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)。

摘要： 本发明提供了一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚M二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。提供了另一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚T二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。树脂共混物在固化之前具有相比于单独的间苯二酚二邻苯二甲腈树脂更有利的加工和固化特性，从而使得能够更易于制造。

摘要： 根据本发明，提供一种含有羟基当量为规定值以下的含酚性羟基的树脂的二次电池负极用树脂组合物。本发明的一个方式的二次电池负极用树脂组合物含有：羟基当量为300g/eq以下的含酚性羟基的树脂；和沸点温度或热分解温度超过上述含酚性羟基的树脂的自缩合温度的磷酸酯或磷酸衍生物。

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够形成正极的非水系二次电池正极用粘结剂组合物，通过该正极可得到即使是在低温和低充电深度条件下实施了老化处理的情况下也具有优异的寿命特性的非水系二次电池。本发明的粘结剂组合物包含第1粘结材料，而且包含铁、以及钌和铑中的至少一者，铁以及钌和铑的合计含量相对于100质量份的第1粘结材料为5×10‑3质量份以下。

摘要： 本发明提供可提供使充放电容量密度和充放电循环特性进一步提高的锂离子二次电池的锂离子二次电池用碳材料、锂离子二次电池用负极合剂、锂离子二次电池用负极以及锂离子二次电池。上述锂离子二次电池的制造方法包括：混合工序，将含有酚醛树脂和二氧化硅粒子的树脂组合物混合而得到混合物；喷雾工序，将上述混合工序中得到的混合物喷雾而形成液滴；第一热处理工序，对上述喷雾工序中得到的液滴实施第一热处理而生成碳前体；以及，第二热处理工序，对上述第一热处理工序中得到的碳前体实施温度比第一热处理工序高的第二热处理而生成含有碳和由SiOx（0＜X＜2）表示的氧化硅的碳材料。