变容二极管

摘要： 针对认知无线电技术对射频微波滤波器的新要求,提出了一种基于枝节加载多模谐振器的电调微波滤波器;该电调微波滤波器由一个枝节加载微带多模谐振器和变容二极管组成,实现了滤波器的小型化;在分析枝节加载微带多模谐振器的基础上,通过在微带谐振器两端和加载枝节上加载变容二极管的方法,设计了枝节加载的电调多模微带谐振器,并提出了复杂微带谐振器谐振特性的分析方法;采用源和负载耦合的方法在通带右边引入一传输零点;通过在源和负载端放置耦合线的方法,提高了滤波器的通带选择性;针对滤波器带外衰减小的问题,引入一种新型的频变馈电结构,改善了滤波器的带外衰减特性;通过优化仿真确定了电调滤波器的尺寸参数;仿真验证了该滤波器的特性,当变容二极管的可调范围为2~10 pf时,滤波器的频率可调范围为2.10~2.40 GHz,频率变化范围为300 MHz。

摘要： 为了解决传统PID控制器参数不易整定以及控制过程中无法进行参数动态调整的问题,引入了基于变容二极管的忆阻器模型,提出了忆阻PID自适应控制系统,实现了PID控制系统中参数的自动更新。在理论推导的基础之上,进行了Multisim仿真与物理实验。观察了对正弦波和三角波信号的控制结果,并在现有研究成果之上对冲激信号的控制效果进行分析。结果表明,忆阻PID控制系统对冲激信号的整定时间为10.724μs,优于一般传统PID系统的对应参数。基于变容二极管的忆阻PID自适应控制系统具有比传统PID控制器更好的控制效果,是一种实现智能PID控制器的新方法。

摘要： 创造性地实现介质贴片天线的设计理论突破,提出一种新型变容二极管加载方案,引入耦合电容的概念,解决了传统天线的能耗问题,首次实现具有高辐射效率的频率可重构介质贴片天线及阵列……在近日举行的第十七届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛“黑科技”专项赛中,南通大学信息科学技术学院学生团队研发的新型天线,被评为“恒星”级作品并荣获该专项全国一等奖。

摘要： 为在具备多通带和较好的带外抑制的前提下,同时实现传输零点的可调,提出了一种基于微带传输线及加载变容二极管的多通带滤波器结构。该滤波器由两个折叠开环的阶梯阻抗谐振器(FOLSIR)组成,通过采用阶梯阻抗谐振器的新型结构变形,实现了结构更紧凑、传输零点可变、通带数可变的带通滤波器。测试结果表明,通过调节变容二极管的偏压可以独立控制一个传输零点抑制三通带滤波器的任一通带或调节带外抑制性能,滤波器工作频段分别为0.5~1.1 GHz,1.2~1.51 GHz,1.63~1.92 GHz,带外抑制优于40 dB,损耗小于3 dB。此外,该滤波器还具有结构简单、体积小、易于制造、调节方便等优势,有利于通信系统频率选择和信号接收。

摘要： 为了改善功率分配比可重构功分器结构复杂、分配比例离散且所能应用范围受限等问题,基于可调反射移相器的特性参数分析,提出了一种新型的可重构功率分配器,只需要通过改变反射系数即可实现该功分器的分配路数和功率分配比例可调谐。设计分析了基于π型变换网络的可调反射移相器,通过改变调谐变容二极管两边的外置偏置电压进而实现反射系数可调,设计了一款分配路数和分配比多功能可重构功分器。与传统功分器相比,实现了功分器的多功能、功分比大范围内调谐和调谐方便等特点。通过先进设计系统(advanced design system,ADS)版图设计和实物加工测试,所设计的可重构功分器实现了1-5路分配路数可调,同时每一路功率分配比等功率输出(1∶1)和分配比在17.1~-33.1 dB和-16.7~33.3 dB可调输出,且实物结果与仿真结果基本吻合。

摘要： 一台kchibo(凯隆)KK-S50L数字调谐收音机,开机后按调谐键或选台键,液晶显示屏显示的频率值变化,但收不到台。数字调谐收音机是通过改变加在变容二极管上的反偏压来改变其电容量。

摘要： 在现今复杂的通信环境之下,人们对着通信的质量也有着不断上升的需求,通信领域之中也不断涌现新的协议理论,而在这些新的协议则需要不断地更新相应的硬件支持,同时也对收发端滤波的使用灵活性等性能有了更高的要求.针对上述条件,使用可电调和开关可切换的结构,在ADS中仿真设计了一款带宽切换后保持不变且频率可调的带通滤波器.其带宽范围在1.0GHz到1.65GHz频段之上实现灵活的电压调节频率,有着0.65GHz的可调区间,且这个结构拥有紧凑性较好,结构简单容易构造和调节范围广的特点.

摘要： 为解决目前市面上毫米波倍频器制作工艺与体积之间的矛盾,设计了一款工艺简单、体积小、效率高、成本低的毫米波无源三倍频器.该倍频器在印制电路板上采用砷化镓变容二极管的反向并联电路结构,能有效抑制偶次谐波,改善输入阻抗特性;并在电路中增加空闲电路,大大提高了倍频信号的输出功率;最后通过仿真软件对倍频器进行优化和仿真,结果表明该倍频器效率高达55. 78% 、基波抑制大于50 dBc.

摘要： 现代无线通信设备越来越追求体积小、功能多的趋势,为了满足该趋势的要求,设计了一款基于变容二极管的频点连续可调的缝隙天线,该天线是由矩形馈线和刻有对称C型槽的接地板组成,在工作过程中,通过给C型槽缝上的变容二极管施加不同的反向偏置电压来改变缝隙的等效电容值,从而实现连续调节天线频点的目的.从仿真和测试结果可以看出,天线的谐振频点能够在低频2.45GHz到2.6GHz和高频5GHz到5.5GHz之间连续调节,变容二极管的电容值从0.8pf变化到0.35pf,此外,天线在各个谐振频点下都可以产生较好的全向辐射方向图,天线的阻抗匹配较好,回波损耗值都小于-20dB.

摘要： 现代无线通信设备越来越追求体积小、功能多的趋势,为了满足该趋势的要求,设计了一款基于变容二极管的频点连续可调的缝隙天线,该天线是由矩形馈线和刻有对称C型槽的接地板组成,在工作过程中,通过给C型槽缝上的变容二极管施加不同的反向偏置电压来改变缝隙的等效电容值,从而实现连续调节天线频点的目的。从仿真和测试结果可以看出,天线的谐振频点能够在低频2.45GHz到2.6GHz和高频5GHz到5.5GHz之间连续调节,变容二极管的电容值从0.8pf变化到0.35pf,此外,天线在各个谐振频点下都可以产生较好的全向辐射方向图,天线的阻抗匹配较好,回波损耗值都小于-20dB。

摘要： 本文研究用变容二极管测量交变电场的原理和实现方法.原理分析表明:因为变容二极管本身的电容值随着外电场变化而变化,所以当变容二极管作为振荡电路的频率控制元件时,会使得振荡电路的输出信号频率随着外电场的频率和幅值变化而变化,即外电场可对振荡电路的输出信号进行频率调制.实验过程中,将变容二极管接入RC文氏电桥振荡电路的选频网络,在外电场的作用下,观察到了交变电场对振荡电路输出信号的频率调制,验证了这种测量方法的可行性.

摘要： 铷85原子钟系统的闭环锁定需要一个基于变容二极管设计的3.035GHz压控振荡器(VCO)为其提供合适的微波信号,且该VCO对于原子钟系统性能的优劣具有很大的影响.对于该VCO的精准设计则需要准确的、考虑到实际工作环境的变容二极管电路模型.但是,变容二极管数据手册中的参数都是在低频条件下测量得到,无法满足S波段以及更高频率电路的设计需求.基于此,在对全双端口TRL校准的网络误差模型分析的基础上,根据实际应用需求设计了相应的TRL校准件,并通过测量若干特性已知的电感对其准确性与可靠性进行了验证,最后完成了对所用变容二极管的参数提取与等效电路模型的建立,从而为后续所设计VCO仿真结果的准确性提供了保障.

摘要： 本文研究设计了一种基于变容二极管的双陷波可调的超宽带天线.结合具有阻带抑制特性的超宽带天线设计方法,通过在天线的适当位置加载变容二极管,使得天线不仅具有双阻带抑制的特性,覆盖WiMAX和WLAN频段,而且可以实现两个陷波之间互不干扰的可调,使得天线具有频率捷变的特性.仿真结果表明,天线的辐射性能在超宽带频段范围内保持良好.

摘要： 本文介绍一种基于平面肖特基势垒变容二极管的340GHz非平衡式三倍频器设计.为了便于二极管的散热和偏置电路的接入与装配而采用非平衡式结构,电路中的无源部分以及二极管的线性寄生参数在HFSS中建立模型并导入ADS中进行谐波平衡仿真,通过HFSS和ADS的联合仿真与优化获得最佳二极管嵌入电路.输入信号功率为100mW,频率为115.8GHz时得到最佳变频效率为12.404dB,在330GHz至360GHz范围内变频损耗优于14.6dB.

摘要： 铯原子钟的闲环锁定需要一个舍有变容二极管的压控振荡器作为微波源,而微波源的精准设计需要准确的变容二极管器件模型,但其数据手册中的参数都是在低频条件下测量得到,无法满足微波源的设计需求.本文利用微带线结构并结合史密斯圆图,研究了射频下变容二极管的C-V特性,在测试数据的基础上进行曲线拟合,完成其在4.595GHz工作频率下模型参数的提取.结电容提取值为7.5pF,与数据手册值7.466pF接近.电路功能正确,满足铯原子钟微波源设计的需要.

摘要： 本文通过加载变容二极管在高效率电小单极子天线上,天线能够在保持原有的良好辐射特性的同时,频率捷变的范围可达到7.58％,相比于加载无源电容的情况而言(仅1.01％),其阻抗带宽有效范围得到了约七倍地扩展.仿真结果显示:在整个频率捷变频段范围内,该天线始终具有良好的阻抗匹配(|S11|min＜-20dB);较高的辐射效率(RE＞80％)以及稳定的边射方向图(边射增益浮动在4.575dB-4.580dB之间).

摘要： 本文主要研究基于三角形谐振单元(TER)的频率可重构超材料激励型天线,在辐射单元上加载变容二极管来实现其频率可调特性.首先,基于仿真模型分析了单个不对称三角形电磁谐振腔的谐振特性,其次,分析了加载不对称三角形电磁谐振天线的频率特性,并优化得到变容二极管的最佳加载位置和加载的数目.随后,利用有限元仿真软件HFSS仿真在大环及中间臂上同时加载变容二极管超材料天线,并对其可调频带进行分析研究.最后,通过实物加工,实验测试结果于理论仿真分析结果吻合良好,验证了理论分析的正确性.

摘要： 本文基于E型双模谐振器和变容二极管,设计了一款中心频率可重构而绝对带宽基本不变的双频带通滤波器.E型谐振器存在偶模和奇模两条传输路径,而由于奇模和偶模的传输路径长度不同,会产生两个谐振峰,通过调节传输路径长度和耦合距离即可形成一个通带.本文采用两个E型谐振器设计了一款中心频率分别为29.4GHz和33.6GHz的双频带通滤波器,由于两个谐振器是并联且相互独立的,在E型谐振器上串联变容二极管可以实现高、低频通带的中心频率独立可重构.本文所设计的滤波器结构简单、尺寸小,具有很好的实用价值.

摘要： 本文提出了一种用于波束可调的反射阵单元结构.为了获得预期的偏置电压-目位曲线,在分裂谐振环上和环间加载六个变容二极管.在不改变单元结构的尺寸大小情况下,通过调控变容二极管偏置电压的大小,从而改变变容二极管的电容值,进而改变单元的反射相位.由于提出的反射阵单元具有双频带特性,因此在两个频带内单元均可提供基本覆盖360度的反射相移.同时进行了详细的参数分析为反射阵的设计起到了指导性的作用.

摘要： 介绍了X波段基于S参数小信号变容管压控振荡器的设计.通过选择合适的变容二极管以及变容二极管的接入方式,使VCO的线性度有较大的提高并提出了两种设计方法.第一种方法VCO的输出频率范围是10.16GHz～10.71GHz,输出功率是10dBm ±0.2dBm,线性度为1.5％,相位噪声低于-104dBc/Hz@100khz;第二种方法VCO的输出频率范围10.71GHz～11.30GHz,输出功率是9dBm±0.8dBm,线性度为1.75％,相位噪声-105dBc/Hz@100khz.

摘要： 本发明涉及变容二极管及变容二极管系统。所述变容二极管具有致动器，其中所述致动器的第一致动器表面（2a）呈现在基板（1）上，并且第二致动器表面（2b）呈现在第一可移动膜（3a）上。在该上下文中，所述第一可移动膜（3a）被布置在基板（1）的上侧面（1a）的上方。第二可移动膜（2b）被布置在基板（1）的与该上侧面（1a）相对的下侧面（1b）的下方。本发明进一步涉及由两个这种变容二极管制成的变容二极管系统。

摘要： 本发明涉及变容二极管、用于制备该变容二极管的方法、以及具有这种变容二极管的存储器和检测器，其中，所述变容二极管具有第一电极和第二电极以及接触式布置在这两个电极之间的层布置，并且其中，所述层布置在从第一电极向第二电极的方向上相继具有由铁电材料制成的层和由介电材料制成的具有带电杂质的电绝缘层。

摘要： 本公开内容的各种实施例涉及一种变容二极管，所述变容二极管包括降低表面场(RESURF)区。在一些实施例中，变容二极管包含漂移区、栅极结构、一对的接触区以及降低表面场区。漂移区位于衬底内且具有第一掺杂类型。栅极结构上覆漂移区。接触区位于衬底内且上覆漂移区。此外，接触区具有第一掺杂类型。栅极结构横向夹在接触区之间。降低表面场区位于衬底中，在漂移区下方且具有第二掺杂类型。第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。降低表面场区有助于耗尽栅极结构下方的漂移区，这降低变容二极管的最小电容且增大变容二极管的调谐范围。

摘要： 本发明涉及变容二极管及变容二极管系统。所述变容二极管具有致动器，其中所述致动器的第一致动器表面（2a）呈现在基板（1）上，并且第二致动器表面（2b）呈现在第一可移动膜（3a）上。在该上下文中，所述第一可移动膜（3a）被布置在基板（1）的上侧面（1a）的上方。第二可移动膜（2b）被布置在基板（1）的与该上侧面（1a）相对的下侧面（1b）的下方。本发明进一步涉及由两个这种变容二极管制成的变容二极管系统。

摘要： 变容二极管包括下述组成部分：第一PTC区域（4），所述第一PTC区域包括具有在电阻方面正温度系数的陶瓷材料；电容器区域（3），所述电容器区域包括第一电极（2）、第二电极（2’）、第一介电层（1），所述第一介电层设置在第一电极（2）和第二电极（2’）之间，其中第一PTC区域（4）和电容器区域（3）导热地彼此连接，并且电容器区域（3）的电容能够通过将偏压施加到第一PTC区域（4）上、电容器区域（3）上或第一PTC区域（4）和电容器区域（3）上而改变。

摘要： 本发明涉及一种制造变容二极管的方法，其中有着第一导电类型外延层的硅衬底通过在外延层中加入第一导电类型掺杂原子而具有第一区，通过在外延层中加入和第一导电类型相反的第二导电类型掺杂原子而具有紧靠外延层表面的第二区，由此在第二区和第一区之间形成pn结。根据本发明，这种方法的特征在于在第二区的形成中，具有第二导电类型掺杂原子的多晶硅层在表面形成，以及掺杂原子从这一层扩散到外延层中，由此pn结形成在距多晶硅小于0.3μm的地方。根据本发明的措施导致变容二极管的制造，其pn结在pn结上的反向电压变化比较小时、pn结周围的耗尽区电容有很宽的变化范围。

摘要： 本发明公开了一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器，属于均衡器技术领域。其包括输入端口，主传输通道，PIN二极管驱动单元，第一谐振单元，第二谐振单元和输出端口。主传输通道作为信号传输通道，起到信号传输和阻隔直流的作用；PIN二极管驱动单元为谐振单元中的PIN二极管提供直流偏置，其通过扼流电感与主传输通道相连；谐振单元包括PIN二极管，变容二极管偏置电路和并联谐振电路，其通过二极管正极的键合金丝与主传输通道相连。本发明具有宽频带、谐振点可调、均衡量可调的特性，具有广阔的应用前景。

摘要： 本发明提供一种PIN二极管与变容二极管结合型跳频滤波器，包括依次连接的匹配网络一、谐振电感一、开关电容阵列一、变容二级管组一、耦合器、变容二级管组二、开关电容阵列二、谐振电感二和匹配网络二；所述匹配网络一与射频输入端连接，匹配网络二与射频输出端连接；还包括变容二极管驱动电路，PIN二极管驱动电路，以及分别与变容二极管驱动电路和PIN二极管驱动电路连接的数字控制电路；开关电容阵列一和开关电容阵列二均由两组以上包括有电容的PIN二极管单元并联组成；变容二极管组一和变容二极管组二均通过变容二极管与外围电路连接组成。本发降低了对PIN二极管单元电容的精度要求，避免需要挑选替换电容的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器，属于均衡器技术领域。其包括输入端口，主传输通道，PIN二极管驱动单元，第一谐振单元，第二谐振单元和输出端口。主传输通道作为信号传输通道，起到信号传输和阻隔直流的作用；PIN二极管驱动单元为谐振单元中的PIN二极管提供直流偏置，其通过扼流电感与主传输通道相连；谐振单元包括PIN二极管，变容二极管偏置电路和并联谐振电路，其通过二极管正极的键合金丝与主传输通道相连。本实用新型具有宽频带、谐振点可调、均衡量可调的特性，具有广阔的应用前景。

摘要： 本实用新型提供一种PIN二极管与变容二极管结合型跳频滤波器，包括依次连接的匹配网络一、谐振电感一、开关电容阵列一、变容二级管组一、耦合器、变容二级管组二、开关电容阵列二、谐振电感二和匹配网络二；所述匹配网络一与射频输入端连接，匹配网络二与射频输出端连接；还包括变容二极管驱动电路，PIN二极管驱动电路，以及分别与变容二极管驱动电路和PIN二极管驱动电路连接的数字控制电路；开关电容阵列一和开关电容阵列二均由两组以上包括有电容的PIN二极管单元并联组成；变容二极管组一和变容二极管组二均通过变容二极管与外围电路连接组成。本发降低了对PIN二极管单元电容的精度要求，避免需要挑选替换电容的问题。