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1.[标准] 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分:功率循环发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.34-2024
发布时间:2024-03-15
中标分类:L40 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体器件综合
实施时间:2024-07-01
摘要: 本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法,通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时,周期性施加和移除正向偏置(负载电流),使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用,也是对高温工作寿命(见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤,是破坏性试验。获取标准 -
发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.35-2024
发布时间:2024-03-15
中标分类:L40 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体器件综合
实施时间:2024-07-01
摘要: 本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷(分层、裂纹、模塑料空洞等)检查的方法,本方法具有可重复性,是非破坏性试验。获取标准 -
3.[标准] 虚拟制作(VP)用LED显示屏系统规范发布单位:
中国-团体标准(CN-TUANTI)
标准状态:现行
标准号:T/COEMA 18S-2024
发布时间:2024-01-29
中标分类:L47 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 其他
国标分类:31.120 电子学 - 电子显示器件
实施时间:2024-02-29
摘要: 主要技术内容:前?言 Ⅲ1 范围 12 规范性引用文件 13 术语和定义 14 缩略语 25 基本要求 26 光学性能 47 光电性能 78 电磁兼容性 89 测试方法 9附录A(资料性) 14附录B(资料性) 15附录C(资料性) 17 -
发布单位:
中国-河北省地方标准(CN-DB13)
标准状态:现行
标准号:DB13/T 5696-2023
发布时间:2023-05-06
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:-
实施时间:2023-06-06
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5.[标准] GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法发布单位:
中国-河北省地方标准(CN-DB13)
标准状态:现行
标准号:DB13/T 5695-2023
发布时间:2023-05-06
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:-
实施时间:2023-06-06
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6.[标准] 新型显示器件喷墨打印技术通用要求发布单位:
中国-湖北省地方标准(CN-DB42)
标准状态:现行
标准号:DB42/T 2161-2023
发布时间:2023-12-23
中标分类:L47 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 其他
国标分类:31.120 电子学 - 电子显示器件
实施时间:2024-02-23
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7.[标准] 手机显示屏光学参数测量技术规范发布单位:
中国-陕西省地方标准(CN-DB61)
标准状态:现行
标准号:DB61/T 1687-2023
发布时间:2023-05-25
中标分类:L47 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 其他
国标分类:31.120 电子学 - 电子显示器件
实施时间:2023-06-25
摘要: 本文件规定了手机显示屏光学参数测量技术基本要求、最大亮度和亮度均匀性、亮度对比度、白场色度、白场色品不均匀度、色域和不同环境光照下的光学参数的要求。本文件适用于手机显示屏产品,其他类似手持式移动终端显示设备参照使用 -
8.[标准] 半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 42709.19-2023
发布时间:2023-08-06
中标分类:L40 半导体分立器件综合
国标分类:31.200 集成电路、微电子学
实施时间:2024-03-01
摘要: 本文件界定了电子罗盘的术语和定义,规定了基本额定值和特性,描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘,或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。获取标准 -
发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.26-2023
发布时间:2023-09-07
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合
实施时间:2024-04-01
摘要: 本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型(HBM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法,并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果,且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型(MM)测试方法(见IEC 6074927)或IEC 60749(所有部分)中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外,本测试方法为所选方法。获取标准 -
发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.27-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合
实施时间:2023-12-01
摘要: 本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD,用作一种可选的测试方法,目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果,以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件,属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外,HBM测试方法为所选方法。获取标准 -
发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.32-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合
实施时间:2023-12-01
摘要: 本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰,模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
注:除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外,本试验方法与IEC 60749(1996)第4章1.2的试验方法一致。获取标准 -
12.[标准] 电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分:芯片和晶圆发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 42706.5-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080 电子学 - 半导体分立器件
实施时间:2023-09-01
摘要: 本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。获取标准 -
13.[标准] 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温工作寿命发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.23-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合
实施时间:2023-12-01
摘要: 本文件描述了随时间的推移,偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作,主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼,可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。获取标准 -
14.[标准] 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4587-2023
发布时间:2023-09-07
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.30 半导体分立器件 - 三极管
实施时间:2024-04-01
摘要: 本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求:--小信号晶体管(开关和微波用除外);--线性功率晶体管(开关、高频和微波用除外);--放大和振荡用高频功率晶体管;--高速开关和电源开关用开关晶体管;--电阻偏置晶体管。获取标准 -
15.[标准] 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 42709.5-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.200 电子学 - 集成电路、微电子学
实施时间:2023-09-01
摘要: 本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。获取标准 -
发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.31-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合
实施时间:2023-12-01
摘要: 本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。获取标准 -
17.[标准] 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 42706.2-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.020 电子学 - 电子元器件综合
实施时间:2023-09-01
摘要: 本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。获取标准 -
18.[标准] 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分:温湿度贮存发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 4937.42-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合
实施时间:2023-12-01
摘要: 本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。
本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法,以及多种试验前的预处理方法。获取标准 -
发布单位:
中国-国家标准(CN-GB)
标准状态:现行
标准号:GB/T 42709.7-2023
发布时间:2023-05-23
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:31.200 电子学 - 集成电路、微电子学
实施时间:2023-12-01
摘要: 本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。获取标准 -
20.[标准] 市场监管信息技术服务管理规范发布单位:
中国-青海省地方标准(CN-DB63)
标准状态:现行
标准号:DB63/T 2021-2022
发布时间:2022-03-10
中标分类:L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
国标分类:01.040.35 词汇 - 信息技术、办公机械设备 (词汇)
实施时间:2022-04-10