半金属与半导体材料_国内外标准网文献检索下载

1.[标准] 蓝宝石图形化衬底片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 43662-2024

发布时间：
2024-03-15

中标分类：
H83 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2024-10-01

摘要：本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。

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2.[标准] 碳化硅外延片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 43885-2024

发布时间：
2024-04-25

中标分类：
H83 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2024-11-01

摘要：本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。

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3.[标准] 半导体材料术语

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 14264-2024

发布时间：
2024-04-25

中标分类：
H80 半金属与半导体材料综合

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2024-11-01

摘要：本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

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4.[标准] 埋层硅外延片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
即将实施

标准号：
GB/T 44334-2024

发布时间：
2024-08-23

中标分类：
H82 元素半导体材料

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2025-03-01

摘要：本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

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5.[标准] 流化床法颗粒硅

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 35307-2023

发布时间：
2023-08-06

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-03-01

摘要：本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。

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6.[标准] 碳化硅单晶抛光片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 30656-2023

发布时间：
2023-03-17

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-10-01

摘要：本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。

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7.[标准] 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 29057-2023

发布时间：
2023-08-06

中标分类：
H80 冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

国标分类：
77.040 冶金 - 金属材料试验

实施时间：
2024-03-01

摘要：本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程。本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。

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8.[标准] 硅外延用三氯氢硅

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 30652-2023

发布时间：
2023-08-06

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-03-01

摘要：本文件规定了硅外延用三氯氢硅（SiHCl 3）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。

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9.[标准] 碳化硅晶体材料缺陷图谱

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 43612-2023

发布时间：
2023-12-28

中标分类：
H80 冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-07-01

摘要：本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。

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10.[标准] 刻蚀机用硅电极及硅环

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 41652-2022

发布时间：
2022-07-11

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-02-01

摘要：本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm～450 mm的硅电极及硅环。

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11.[标准] 磷化铟单晶

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 20230-2022

发布时间：
2022-03-09

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-10-01

摘要：本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。

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12.[标准] 蓝宝石单晶晶棒

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 31092-2022

发布时间：
2022-12-30

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-07-01

摘要：本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。

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13.[标准] 电子级多晶硅

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 12963-2022

发布时间：
2022-12-30

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-07-01

摘要：本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

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14.[标准] 磷化镓单晶

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 20229-2022

发布时间：
2022-03-09

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-10-01

摘要：本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。

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15.[标准] 硅单晶退火片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 26069-2022

发布时间：
2022-03-09

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-10-01

摘要：本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm的集成电路。

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16.[标准] 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 41325-2022

发布时间：
2022-03-09

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-10-01

摘要：本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。

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17.[标准] TVS用硅单晶研磨片

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/ZZB 2675-2022

发布时间：
2022-04-13

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-05-13

摘要：主要技术内容:本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、 125 mm、 150 mm的硅单晶研磨片
18.[标准] 高压MOSFET用200 mm硅外延片

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/ZZB 2833-2022

发布时间：
2022-12-08

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-12-31

摘要：主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）
19.[标准] 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件

发布单位：
中国-行业标准-电力(CN-DL)

标准状态：
现行

标准号：
DL/T 2310-2021

发布时间：
2021-04-26

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2021-10-26

摘要：本文件规定了电力系统高压功率器件用碳化硅外延材料的各项技术指标。本文件适用于高电压功率器件应用的碳化硅外延材料，适用于电力系统高压功率器件应用的，直径为100 mm和150 mm的碳化硅外延材料
20.[标准] 高纯锗粉

发布单位：
中国-行业标准-有色金属(CN-YS)

标准状态：
现行

标准号：
YS/T 1510-2021

发布时间：
2021-12-02

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-04-01

摘要：本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉