半导体器件_国内外标准网文献检索下载

1.[标准] 半导体器件　机械和气候试验方法　第34部分：功率循环

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 4937.34-2024

发布时间：
2024-03-15

中标分类：
L40 半导体分立器件综合

国标分类：
31.080.01 半导体器件综合

实施时间：
2024-07-01

摘要：本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

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2.[标准] 半导体器件　机械和气候试验方法　第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 4937.35-2024

发布时间：
2024-03-15

中标分类：
L40 半导体分立器件综合

国标分类：
31.080.01 半导体器件综合

实施时间：
2024-07-01

摘要：本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

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3.[标准] 半导体器件　第5-5部分：光电子器件　光电耦合器

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 15651.5-2024

发布时间：
2024-03-15

中标分类：
L50 光电子器件综合

国标分类：
31.080 半导体器件

实施时间：
2024-07-01

摘要：本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

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4.[标准] 静电放电敏感度试验　传输线脉冲　器件级

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44635-2024

发布时间：
2024-09-29

中标分类：
L56 半导体集成电路

国标分类：
31.080 半导体器件

实施时间：
2024-09-29

摘要：本文件定义了一种传输线脉冲（TLP）试验方法，用于评估被测半导体器件的电压电流响应，并考量静电放电（ESD）人体模型（HBM）防护的设计参数。本文件建立了一种与TLP有关的试验和报告信息的方法。本文件的范围和重点涉及半导体器件的TLP试验技术。本文件不是HBM试验标准（例如IEC 6074926）的替代方法。本文件的目的是建立TLP方法的指南，以便提取半导体器件的HBM ESD参数。本文件提供了使用TLP正确提取HBM ESD参数的标准测量和程序。

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5.[标准] 微机电系统(MEMS)技术　射频MEMS环行器和隔离器

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44529-2024

发布时间：
2024-09-29

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2024-09-29

摘要：本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。

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6.[标准] 微机电系统(MEMS)技术　基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44531-2024

发布时间：
2024-09-29

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2024-09-29

摘要：本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。
本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。

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7.[标准] 微机电系统(MEMS)技术　MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44515-2024

发布时间：
2024-09-29

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2025-01-01

摘要：本文件描述了用于压电式微传感器和微执行器等器件的压电薄膜机电转换特性测量方法。
本文件适用于MEMS工艺制备的压电薄膜。

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8.[标准] 微机电系统(MEMS)技术　MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
即将实施

标准号：
GB/T 44517-2024

发布时间：
2024-09-29

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2025-04-01

摘要：本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。
本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

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9.[标准] 微机电系统(MEMS)技术　传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44513-2024

发布时间：
2024-09-29

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2025-01-01

摘要：本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下，评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法，以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。
本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量，也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能，例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。
本文件不包括可靠性评估，如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。

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10.[标准] 微机电系统（MEMS）技术　层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44514-2024

发布时间：
2024-09-29

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2024-09-29

摘要：本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。
本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。

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11.[标准] 半导体器件　第16-4部分：微波集成电路　开关

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 20870.4-2024

发布时间：
2024-10-26

中标分类：
L56 半导体集成电路

国标分类：
31.080.01 半导体器件综合

实施时间：
2024-10-26

摘要：本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

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12.[标准] 微机电系统（MEMS）技术　MEMS材料微柱压缩试验方法

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44839-2024

发布时间：
2024-10-26

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2025-02-01

摘要：本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。
试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。

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13.[标准] 微机电系统（MEMS）技术　金属膜材料成形极限测量方法

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
即将实施

标准号：
GB/T 44849-2024

发布时间：
2024-10-26

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2025-05-01

摘要：本文件描述了测量厚度范围为0.5 μm～300 μm 金属膜材料成形极限的方法。
本文件适用于通过压印等成型工艺制造电子元器件、MEMS 的金属膜材料。

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14.[标准] 微机电系统（MEMS）技术　薄膜材料的弯曲试验方法

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 44842-2024

发布时间：
2024-10-26

中标分类：
L59 微型组件

国标分类：
31.080.99 其他半导体器件

实施时间：
2024-10-26

摘要：本文件描述了长度和宽度小于1 mm、厚度在0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲试验方法。薄膜作为主要结构材料用于微机电系统（MEMS）和微机械中。
作为微机电系统（MEMS）、微机械等器件中的主要结构材料，薄膜具有独特性，如尺寸为几微米，采用沉积、光刻等材料制备工艺，和/或非机械加工测试结构。本文件描述了微尺度光滑悬臂式测试结构的弯曲试验方法及测试结构形状，以保证与薄膜材料独特性相对应的测试精度。

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15.[标准] 硅光电倍增管可靠性评估方法

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/ZOIA 3003-2024

发布时间：
2024-02-04

中标分类：
-

国标分类：
31.080.10 半导体分立器件 - 二极管

实施时间：
2024-02-04

摘要：主要技术内容:本标准界定了硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier, SiPM）可靠性评定的一般要求和试验方法。本标准适用于所有硅光电倍增管的可靠性评估，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。其他类型的雪崩器件可参照执行
16.[标准] 硅光电倍增管性能测试方法

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/ZOIA 3002-2024

发布时间：
2024-02-04

中标分类：
-

国标分类：
31.080.10 半导体分立器件 - 二极管

实施时间：
2024-02-04

摘要：主要技术内容:本标准规定了硅光电倍增管性能测试方法，包括测试目的、测试步骤、测试要求、测量方法等本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关
17.[标准] Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 44: Test methods for dynamic performances of MEMS resonant electric-field-sensitive devices

半导体器件.微机电器件.第44部分:MEMS谐振电场敏感器件动态性能的试验方法

发布单位：
国际组织-国际电工委员会(IX-IEC)

标准状态：
现行

标准号：
IEC 62047-44:2024

发布时间：
2024-02-22

中标分类：
-

国标分类：
31.080.99 半导体分立器件 - 其他半导体分立器件

实施时间：

摘要： IEC 62047-44:2024 describes terminology, definitions and test methods that are used to evaluate and determine the dynamic performance of MEMS (Micro-Electromechanical Systems) resonant electric？field？sensitive devices. It also specifies sample requirements and test equipment for dynamic performances of MEMS resonant electric？field？sensitive devices. The statements made in this document are also applicable to MEMS resonant electric？field？sensitive devices with various driving mechanisms such as electrostatic, electrothermal, electromagnetic, piezoelectric, etc.
18.[标准] 半导体器件第16-5部分：微波集成电路振荡器

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 20870.5-2023

发布时间：
2023-09-07

中标分类：
L56 电子元器件与信息技术 - 微电路 - 半导体集成电路

国标分类：
31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

实施时间：
2024-01-01

摘要：本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注：本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

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19.[标准] 半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人体模型（HBM）

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 4937.26-2023

发布时间：
2023-09-07

中标分类：
L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合

国标分类：
31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

实施时间：
2024-04-01

摘要：本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

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20.[标准] 半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试机器模型（MM）

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 4937.27-2023

发布时间：
2023-05-23

中标分类：
L40 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合

国标分类：
31.080.01 半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

实施时间：
2023-12-01

摘要：本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD，用作一种可选的测试方法，目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件，属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外，HBM测试方法为所选方法。

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