半导体材料_国内外标准网文献检索下载

1.[标准] 蓝宝石图形化衬底片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 43662-2024

发布时间：
2024-03-15

中标分类：
H83 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2024-10-01

摘要：本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。

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2.[标准] 碳化硅外延片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 43885-2024

发布时间：
2024-04-25

中标分类：
H83 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2024-11-01

摘要：本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。

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3.[标准] 半导体材料术语

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 14264-2024

发布时间：
2024-04-25

中标分类：
H80 半金属与半导体材料综合

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2024-11-01

摘要：本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

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4.[标准] 埋层硅外延片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
即将实施

标准号：
GB/T 44334-2024

发布时间：
2024-08-23

中标分类：
H82 元素半导体材料

国标分类：
29.045 半导体材料

实施时间：
2025-03-01

摘要：本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

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5.[标准] 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/NXCL 29-2024

发布时间：
2024-02-06

中标分类：
-

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-02-06

摘要：范围:本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片;主要技术内容:本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片
6.[标准] 300 mm低氧含量直拉硅单晶

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/NXCL 30-2024

发布时间：
2024-02-06

中标分类：
-

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-02-06

摘要：主要技术内容:本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底
7.[标准] 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/NXCL 28-2024

发布时间：
2024-02-06

中标分类：
-

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-02-06

摘要：主要技术内容:本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚
8.[标准] Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

硅半导体器件中中子引起的位移损伤的快速退火测量的标准指南

发布单位：
美国-美国材料与试验协会(US-ASTM)

标准状态：
现行

标准号：
ASTM F980-16(2024)

发布时间：
2024-01-01

中标分类：
-

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：

摘要： 1.1This guide defines the requirements and procedures for testing silicon discrete semiconductor devices and integrated circuits for rapid annealing effects from displacement damage resulting from neutron radiation. This test will produce degradation of the electrical properties of the irradiated devices and should be considered a destructive test. Rapid annealing of displacement damage is usually associated with bipolar technologies.1.1.1Heavy ion beams can also be used to characterize displacement damage annealing(1),2but ion beams have significant complications in the interpretation of the resulting device behavior due to the associated ionizing dose. The use of pulsed ion beams as a source of displacement damage is not within the scope of this standard.1.2The values stated in SI units are to be regarded as standard. No other units of measurement are included in this standard.1.3This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety, health, and environmental practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use.1.4This international standard was developed in accordance with internationally recognized principles on standardization established in the Decision on Principles for the Development of International Standards, Guides and Recommendations issued by the World Trade Organization Technical Barriers to Trade (TBT) Committee. ====== Significance And Use ======5.1Electronic circuits used in many space, military, and nuclear power systems may be exposed to various levels and time profiles of neutron radiation. It is essential for the design and fabrication of such circuits that test methods be available that can determine the vulnerability or hardness (measure of survivability) of components to be used in them. A determination of hardness is often necessary for the short term (≈100 μs) as well as long term (permanent damage) following exposure. See PracticeE722.
9.[标准] 流化床法颗粒硅

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 35307-2023

发布时间：
2023-08-06

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-03-01

摘要：本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。

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10.[标准] 碳化硅单晶抛光片

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 30656-2023

发布时间：
2023-03-17

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-10-01

摘要：本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。

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11.[标准] 硅外延用三氯氢硅

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 30652-2023

发布时间：
2023-08-06

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-03-01

摘要：本文件规定了硅外延用三氯氢硅（SiHCl 3）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。

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12.[标准] 碳化硅晶体材料缺陷图谱

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 43612-2023

发布时间：
2023-12-28

中标分类：
H80 冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2024-07-01

摘要：本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。

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13.[标准] 新能源半导体硅片材料技术

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/SHDSGY 135-2023

发布时间：
2023-05-30

中标分类：
-

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-05-30

摘要：主要技术内容:本文件规定了术语和定义、硅片技术要求、半导体硅片制作流程、试验方法、检验规格标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本文件适用于新能源半导体硅片材料技术
14.[标准] 掺镓硅片技术生产管理办法

发布单位：
中国-团体标准(CN-TUANTI)

标准状态：
现行

标准号：
T/QGCML 2024-2023

发布时间：
2023-11-03

中标分类：
-

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-11-24

摘要：主要技术内容:本文件规定了掺镓硅片技术生产管理办法的一般要求、生产要求、人员要求、现场管理。本文件适用于掺镓硅片技术生产管理
15.[标准] Standard Test Method for Longitudinal Measurement of Volume Resistivity for Extruded Crosslinked and Thermoplastic Semiconducting Conductor and Insulation Shielding Materials

挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率纵向测量的标准试验方法

发布单位：
美国-美国材料与试验协会(US-ASTM)

标准状态：
现行

标准号：
ASTM D6095-12(2023)

发布时间：
2023-05-01

中标分类：
-

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

29.060.01 电线和电缆 - 电线和电缆综合

实施时间：

摘要： 1.1This test method covers the procedure for determining the volume resistivity, measured longitudinally, of extruded crosslinked and thermoplastic semiconducting, conductor and insulation shields for wire and cable.1.2In common practice the conductor shield is often referred to as the strand shield.1.3Technically, this test method is the measurement of a resistance between two electrodes on a single surface and modifying that value using dimensions of the specimen geometry to calculate a resistivity. However, the geometry of the specimen is such as to support the assumption of a current path primarily throughout the volume of the material between the electrodes, thus justifying the use of the term “longitudinal volume resistivity.” (See 3.1.2.1.)1.4Whenever two sets of values are presented, in different units, the values in the first set are the standard, while those in parentheses are for information only.1.5This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety, health, and environmental practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use.For a specific hazard statement, see7.1.1.6This international standard was developed in accordance with internationally recognized principles on standardization established in the Decision on Principles for the Development of International Standards, Guides and Recommendations issued by the World Trade Organization Technical Barriers to Trade (TBT) Committee. ====== Significance And Use ======4.1The electrical behavior of semiconducting extruded shielding materials is important for a variety of reasons, such as safety, static charges, and current transmission. This test method is useful in predicting the behavior of such semiconducting compounds. Also see Test MethodD4496.
16.[标准] 多晶硅行业绿色工厂评价要求

发布单位：
中国-行业标准-有色金属(CN-YS)

标准状态：
现行

标准号：
YS/T 1590-2022

发布时间：
2022-09-30

中标分类：
H04 冶金 - 冶金综合 - 基础标准与通用方法

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-04-01

摘要：本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价
17.[标准] 刻蚀机用硅电极及硅环

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 41652-2022

发布时间：
2022-07-11

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-02-01

摘要：本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm～450 mm的硅电极及硅环。

获取标准
18.[标准] 磷化铟单晶

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 20230-2022

发布时间：
2022-03-09

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2022-10-01

摘要：本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。

获取标准
19.[标准] 蓝宝石单晶晶棒

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 31092-2022

发布时间：
2022-12-30

中标分类：
H83 冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-07-01

摘要：本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。

获取标准
20.[标准] 电子级多晶硅

发布单位：
中国-国家标准(CN-GB)

标准状态：
现行

标准号：
GB/T 12963-2022

发布时间：
2022-12-30

中标分类：
H82 冶金 - 半金属与半导体材料 - 元素半导体材料

国标分类：
29.045 电气工程 - 半导体材料

实施时间：
2023-07-01

摘要：本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

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