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Narrow etched gaps or features in multi-period thin-film structures

机译:多周期薄膜结构中的窄蚀刻间隙或特征

摘要

Multi-period thin-film structures exhibiting giant magnetoresistance (GMR) are described. Techniques are also described by which narrow spacing and/or feature size may be achieved for such structures and other thin-film structures having an arbitrary number of periods.
机译:描述了表现出巨磁磁阻(GMR)的多周期薄膜结构。 还描述了技术,通过该技术可以为这种结构和具有任意数量的周期的结构和其他薄膜结构来实现窄间隔和/或特征尺寸。

著录项

  • 公开/公告号US11222676B2

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEGRATED MAGNETOELECTRONICS CORP.;

    申请/专利号US202016947172

  • 发明设计人 EDWARD WUORI;

    申请日2020-07-21

  • 分类号G11B5/39;G11C11/16;H01L43/02;H01L27/22;H01F10/32;H01L43/08;H01L43/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:17:58

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