机译:薄膜形成组成,抗蚀剂组合物,辐射敏感组合物,无定形薄膜制造方法,抗蚀剂图案形成方法,光刻底层膜形成组合物,光刻底层薄膜生产方法和电路图案形成方法
公开/公告号KR20210113990A
专利类型
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드;
申请/专利号KR20217021246
申请日2020-01-10
分类号C08G61/12;C08L61/04;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/308;
国家 KR
入库时间 2022-08-24 21:08:44