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SOURCE CONTACT AND CHANNEL INTERFACE TO REDUCE BODY CHARGING FROM BAND-TO-BAND TUNNELING

机译:源触点和通道接口,以减少频带到带隧道的身体充电

摘要

An apparatus is provided which comprises: a source and a drain with a semiconductor body therebetween, the source, the drain, and the semiconductor body on an insulator, a buried structure between the semiconductor body and the insulator, and a source contact coupled with the source and the buried structure, the source contact comprising metal. Other embodiments are also disclosed and claimed.
机译:提供了一种装置,该装置包括:源极和漏极,其在其间,源极,漏极和绝缘体上的半导体本体,半导体本体和绝缘体之间的掩埋结构,以及连接的源极接触。 源极和埋设结构,源通道包括金属。 还公开和要求保护其他实施例。

著录项

  • 公开/公告号EP3738151A4

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号EP20180899080

  • 申请日2018-01-12

  • 分类号H01L29/78;B82Y10;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/775;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2024-06-14 21:56:21

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