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Density enhanced MEMS devices

机译:密度增强型MEMS器件

摘要

The density of movable silicon MEMS structures is enhanced by depositing high-density materials in multiple high aspect ratio trenches using atomic layer deposition.A micro electromechanical device having a movable rotor 11 in the silicon wafer 12, and the rotor has one or more high-density regions 17.One or more high density regions in the rotor include at least one high density material having a higher density than silicon.One or more high density regions are formed in the silicon wafer by filling at least one high density material into one or more filling grooves of the rotor.One or more filling grooves have at least 10 depth / width aspect ratios, and one or more filling grooves are filled by depositing high density materials in the filling grooves in an atomic layer deposition (ALD) process.Diagram
机译:通过使用原子层沉积在多个高纵横比沟槽中沉积高密度材料,增强可移动硅MEMS结构的密度。具有在硅晶片12中的可移动转子11的微机电装置,并且转子具有一个或多个高密度区域17.转子中的一个或更多个高密度区域包括具有比硅更高的密度更高的高密度材料通过将至少一个高密度材料填充到转子的一个或多个填充槽中,在硅晶片中形成在硅晶片中的一部​​分或更高的高密度区域。内或更高的填充槽具有至少10深度/宽度纵横比,以及一个或多个通过在原子层沉积(ALD)过程中的填充槽中沉积高密度材料来填充填充槽.Diagram

著录项

  • 公开/公告号JP2021091082A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社村田製作所;

    申请/专利号JP20200178583

  • 发明设计人 マルコ・ピューサ;

    申请日2020-10-26

  • 分类号B81C1;B81B3;H01L29/84;H01L21/3065;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 19:26:23

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