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THROUGH-SILICON VIA (TSV) FAULT-TOLERANT CIRCUIT, METHOD FOR TSV FAULT-TOLERANCE AND INTEGRATED CIRCUIT (IC)

机译:通过硅通孔(TSV)容错电路,TSV容错和集成电路(IC)的方法

摘要

An integrated circuit with a through-silicon via (TSV) fault-tolerant circuit, a TSV fault tolerance method are disclosed. The IC may include a plurality of operational TSVs, a spare TSV, a plurality of fault-tolerance control modules each coupled to one of the plurality of operational TSVs and the spare TSV, and a decoder coupled to the fault-tolerance control modules. The fault-tolerance control modules may be configured to deactivate an operational TSV that is determined to be defective and activate the spare TSV based on a positioning code for the defective operational TSV from the decoder. The IC may reduce the defect rate in the fabrication of TSV-based three-dimensional (3D) IC chips.
机译:公开了一种具有硅通孔(TSV)容错电路的集成电路,是TSV容错法。 IC可以包括多个操作TSV,备用TSV,多个容错控制模块,每个容错控制模块耦合到多个操作TSV和备用TSV中的一个,以及耦合到容错控制模块的解码器。容错控制模块可以被配置为停用操作TSV,该操作TSV基于来自解码器的有缺陷操作TSV的定位码,该操作TSV被确定为有缺陷并激活备用TSV。 IC可以降低基于TSV的三维(3D)IC芯片的制造中的缺陷率。

著录项

  • 公开/公告号US2021156908A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US202117165797

  • 发明设计人 CHENG-JER YANG;

    申请日2021-02-02

  • 分类号G01R31/28;H01L25/065;H01L23/48;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 18:55:26

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