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机译:确定半导体晶体均质基本掺杂中扩散层穿透深度的方法
公开/公告号DE1254382B
专利类型
公开/公告日1967-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 TELEFUNKEN PATENT;
申请/专利号DE1962T022310
发明设计人 WEIMANN DIPL-ING KLAUS;SCERBA DIPL-CHEM LOTHAR;
申请日1962-06-16
分类号G01N13/00;H01L21/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 13:26:14
机译: 扩散的渗透深度的方法
机译: 掺杂层扩散到半导体表面以下-将硅晶体插入由掺杂元素饱和的可封闭容器中进行气体交换
机译: 具有包括杂质扩散阻止层的杂质掺杂多晶层的半导体器件和包括该半导体器件的动态随机存储器件