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Negative resist formation - using polydiallylorthophthalate electron sensitive resist layer

机译:负性抗蚀剂形成-使用聚对二邻苯二甲酸酞酸乙酯电子敏感抗蚀剂层

摘要

In a conventional process for producing a negative resist by selectively exposing a resist layer to an electon beam to insolubilise the exposed zones and then removing the unexposed zones with a solvent, the improvement consists in using polydiallylorthophthalate as the resist layer. The negative resist has high thermal stability and good adhesion to the substrate.
机译:在生产负性抗蚀剂的常规方法中,通过将抗蚀剂层选择性地暴露于电子束以使曝光的区域不溶解,然后用溶剂去除未曝光的区域,该改进在于使用聚对苯二甲酸二邻苯二甲酸酯。负性抗蚀剂具有高的热稳定性和对基材的良好粘附性。

著录项

  • 公开/公告号JPS502939A

    专利类型

  • 公开/公告日1975-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号JP19740039764

  • 发明设计人

    申请日1974-04-08

  • 分类号G03F7/038;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-23 04:50:07

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