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Mono-tungsten carbide prodn. - from volatile tungsten cpd. and vapourised carbon source and calcination of solid prod. contg. di-tungsten carbide

机译:碳化钨单品-来自挥发性钨镉。汽化的碳源和固体产品的煅烧。续碳化钨

摘要

WC prepn. process by vapour-phase reaction of a volatile W cpd., (I), with a vaporised C-source, (II), at 300-3000 (1500-2500 degrees C) in a reaction zone, takes place by introducing (I) and (II) to reaction zone in a quantity such as to supply =1C atom for each W atom; drawing off solid W carbide prod. contg. W2C as main component; and calcining the solid W carbide prod. at 500-1500 (800-1200 degrees C), pref. for 0.25-12 (1-4) hrs., until W carbide prod. contains WC as main component. WC is used for prepn. of sinter WC, suitable for prodn. of cutting tools and abrasives. Prod. contains 5% W2C and may consist of finely divided WC havving particle size 0.1-0.5 mu. (I) may be a W halide, pref. WCl. (II) may be 1-12C hydrocarbons and/or 1-8C halohydrocarbons, esp. CHCl2CH2Cl.
机译:厕所准备通过在反应区中在300-3000(1500-2500摄氏度)的条件下将挥发性W cpd(I)与汽化的C源(II)进行气相反应来进行反应)和(II)到反应区的数量,使得每个W原子供应> = 1C的原子;抽出固态碳化钨产品。续W2C作为主要组件;并煅烧固态碳化钨产品。在500-1500(800-1200摄氏度)下,优选。持续0.25-12(1-4)小时,直到碳化钨生产出来。包含WC作为主要成分。 WC用于准备。烧结碳化钨,适合生产。切削工具和磨料。产品含有5%的W2C,可能由细颗粒状的WC组成,粒度为0.1-0.5微米。 (I)可能是卤化钨,优选。 WCl。 (II)可以是1-12C烃和/或1-8C卤代烃,尤其是。 CHCl2CH2Cl。

著录项

  • 公开/公告号DE2446813A1

    专利类型

  • 公开/公告日1976-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PPG INDUSTRIESINC.;

    申请/专利号DE19742446813

  • 发明设计人 LESLIE WILSONWILLIAM;ARTHUR STEIGERROGER;

    申请日1974-10-01

  • 分类号C01B31/34;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 02:04:28

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