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SEMICONDUCTOR DEVICES USING GENETICALLY GROWN FILMS OF SILICON NITRIDE

机译:硅氮化物遗传生长膜的半导体器件

摘要

ABSTRACT:The invention relates to a method of manufacturinga semiconductor device in which a surface of a semiconductorregion consisting of silicon is provided at least partly witha silicon oxide-containing layer.According to the invention, the silicon region issubsequently subjected to a nitridation treatment in which azone consisting of a nitrogen-containing material is formedbetween the silicon oxide layer and the silicon region.The said zone plays an essential part in a furtherphase of the manufacture and/or in the manufactured semi-conductor device.
机译:抽象:本发明涉及一种制造方法半导体器件,其中半导体表面由硅组成的区域至少部分地具有含氧化硅的层。根据本发明,硅区域是随后进行氮化处理,其中形成由含氮材料组成的区域在氧化硅层和硅区域之间。所述区域在其他方面起着至关重要的作用制造阶段和/或制造的半成品中导体设备。

著录项

  • 公开/公告号CA1068010A

    专利类型

  • 公开/公告日1979-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 N.V. PHILIPSGLEILAMPENFABRIEKEN;

    申请/专利号CA19760253508

  • 发明设计人 KOOI ELSE;VAN LIEROP JOSEPH G.;

    申请日0000-00-00

  • 分类号H01L21/265;H01L21/31;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 18:06:43

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