机译:halfgeleideriderrichting,包括半导体本体,该半导体本体在形成的veldeffekt晶体管中的至少一半的彼此间隔一定距离的半导体本体中,该半导体本体被形成在一半geleiderlichaam stuurelektrode表面上的绝缘层覆盖。
公开/公告号NL166819B
专利类型
公开/公告日1981-04-15
原文格式PDF
申请/专利号NL19700014289
发明设计人
申请日1970-09-29
分类号H01L27/08;H01L29/78;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 16:10:31