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PROPER MIXTURE FOR PROCESSING PHOTORESIST COMPOSITION AND PROCESSING OF PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF PEELING PHOTORESIST FROM BASE BODY

机译:加工光致抗蚀剂组合物的合适混合物,光致抗蚀剂组合物的加工方法以及从基体上剥离光致抗蚀剂的方法

摘要

1. Organic solvent for stripping and cleaning film bases provided with cured or uncured resin-like positive-working or negative-working photoresist mixtures and for diluting said photoresist mixtures, characterized in that it is composed of a mixture of about 1 to 10 parts by weight of propylene glycol alkyl ether acetate and about 1 to 10 parts by weight of propylene glycol alkyl ether.
机译:1.用于剥离和清洁具有固化或未固化的树脂状正性或负性光致抗蚀剂混合物的膜基料的有机溶剂,以及用于稀释所述光致抗蚀剂混合物的有机溶剂,其特征在于,所述有机溶剂由约1至10重量份的混合物组成。重量的丙二醇烷基醚乙酸酯和约1至10重量份的丙二醇烷基醚。

著录项

  • 公开/公告号JPS62105145A

    专利类型

  • 公开/公告日1987-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AMERICAN HOECHST CORP;

    申请/专利号JP19860253904

  • 发明设计人 DANA DAAHAMU;

    申请日1986-10-27

  • 分类号G03F7/004;G03F7/42;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 07:28:32

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