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COCKCROFT TYPE BOOSTER CIRCUIT

机译:考克柯夫式增压器电路

摘要

PURPOSE:To enhance the boosting and transferring efficiency per one stage by employing a transistor having two different threshold voltages for an MOS transistor of a Cockcroft type booster. CONSTITUTION:A semiconductor integrated circuit has a Cockcroft type booster, which is formed of N-type MOS transistors of enhancement type for the front stage side 4 and of depletion type for the rear stage side 5. Thus, the two or more type threshold voltages of the MOS transistors are effectively used to obtain a higher output voltage 3 than a prior art circuit.
机译:目的:通过为Cockcroft型升压器的MOS晶体管采用具有两个不同阈值电压的晶体管来提高每一级的升压和传输效率。构成:一个半导体集成电路具有一个Cockcroft型升压器,该升压器由前级侧4的增强型和后级侧5的耗尽型N型MOS晶体管构成,因此,两个或更多类型的阈值电压与现有技术的电路相比,MOS晶体管中的一个有效地用于获得更高的输出电压3。

著录项

  • 公开/公告号JPS61254078A

    专利类型

  • 公开/公告日1986-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEIKO INSTR & ELECTRONICS LTD;

    申请/专利号JP19850092741

  • 发明设计人 MURAMOTO ATSUSHI;

    申请日1985-04-30

  • 分类号H02M7/25;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 07:26:09

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