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INTEGRATED CIRCUITS EMPLOYING PROTON-BOMBARDED ALGAAS LAYERS

机译:集成质子轰击藻类层的集成电路

摘要

- 11 -INTEGRATED CIRCUITS EMPLOYING PROTON-BOMBARDEDA1GaAs LAYERSAbstractThe property of materials in the GaAs/AlGaAssystem, whereby at certain doses proton bombarded n-typematerial becomes highly resistive but p-type materialremains highly conductive, is utilized to fabrication ofintegrated circuits which include buried semiconductorinterconnections or bus bars between devices.
机译:-11-集成电路的质子轰击A1GaAs层抽象GaAs / AlGaAs中材料的性质系统,在一定剂量下质子轰击n型材料变成高电阻但p型材料保持高导电性,用于制造包括掩埋半导体的集成电路设备之间的互连或母线。

著录项

  • 公开/公告号CA1217879A

    专利类型

  • 公开/公告日1987-02-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号CA466522

  • 申请日1984-10-29

  • 分类号H01L21/324;H01L21/265;H01L21/74;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 07:16:54

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