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Process for depositing silicon nitride, device for implementing this process and application of the said process to the manufacture of microwave capacitors

机译:沉积氮化硅的方法,用于实施该方法的装置以及所述方法在微波电容器的制造中的应用

摘要

Process for depositing silicon nitride, device for implementing this process and application of the said process to the manufacture of microwave capacitors. The invention relates to a process for depositing silicon nitride by cathodic sputtering, in which use is made of a silicon nitride target 14 in the presence of a reactive gas flow 25. The invention also relates to a device for implementing this process. Application in particular to the manufacture of microwave capacitors. IMAGE
机译:沉积氮化硅的方法,用于实施该方法的装置以及所述方法在微波电容器的制造中的应用。本发明涉及一种通过阴极溅射沉积氮化硅的方法,其中在反应性气体流25的存在下使用氮化硅靶材14。本发明还涉及用于实施该方法的装置。特别是在微波电容器的制造中的应用。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号FR2640078A1

    专利类型

  • 公开/公告日1990-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ALCATEL TRANSMISSION FAISCEAUX H;

    申请/专利号FR19880013780

  • 发明设计人 CONG CHANH BUI;CLAUDE BAZILLAIS;

    申请日1988-10-20

  • 分类号C23C14/00;C23C14/06;H01L21/318;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 06:09:19

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