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Independently addressable semiconductor diode lasers with integral lowloss passive waveguides

机译:具有集成式低损耗无源波导的可独立寻址的半导体二极管激光器

摘要

Within a monolithic semiconductor structure, passive waveguides couple laterally offset generation waveguides for generating light waves to mirrors. The passive waveguides can also couple detecting regions for measuring the light intensity within the laser cavity and adjustable absorption regions for tuning the wavelength of the lightwaves generated by the generation waveguides.
机译:在单片半导体结构内,无源波导将横向偏移的生成波导耦合以将光波生成到镜子。无源波导还可以耦合用于测量激光腔内的光强度的检测区域和用于调节由生成波导产生的光波的波长的可调节吸收区域。

著录项

  • 公开/公告号US5287376A

    专利类型

  • 公开/公告日1994-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 XEROX CORPORATION;

    申请/专利号US19920990135

  • 发明设计人 THOMAS L. PAOLI;

    申请日1992-12-14

  • 分类号H01S3/19;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 04:32:15

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