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SILICON CARBIDE MONOFILAMENTS FOR IMPROVED COMPOSITE PROPERTIES AND METHOD

机译:改善复合材料性能的碳化硅单丝

摘要

A high strength silicon carbide monofilament whichhas a core and a stoichiometric bulk layer of siliconcarbide deposited on the core having an exterior surfaceand a core bulk layer interface, the bulk layer havingan average grain size of less than 200 nanometers whichsize varies continuously across the cross section of thebulk layer, the variation comprising a first average grainsize at the interface which increases to a maximum averagegrain size intermediate the interface and the exteriorsurface and then decreases to the minimum at the exteriorsurface. In an alternate embodiment a surface layer isdeposited on the bulk layer of silicon carbide. A preferredmethod of making the silicon carbide monofilament is alsopresented.
机译:高强度碳化硅单丝有一个核和一个化学计量的硅本体层碳化物沉积在具有外表面的型芯上和核心体层接口,该体层具有平均晶粒尺寸小于200纳米尺寸在横截面中连续变化体层,变化包括第一平均晶粒接口的大小增加到最大平均值界面和外部中间的晶粒尺寸表面,然后在外部减小到最小值表面。在另一个实施方案中,表面层是沉积在碳化硅本体层上。首选制备碳化硅单丝的方法也是提出了。

著录项

  • 公开/公告号CA2001984C

    专利类型

  • 公开/公告日1995-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AVCO CORPORATION;

    申请/专利号CA19892001984

  • 发明设计人 LOSZEWSKI RAYMOND;

    申请日1989-11-01

  • 分类号D01F11/12;D06M11/74;D06M11/77;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 04:16:25

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