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MEMORY CONTROLLER FOR BOTH INTERLEAVED AND NON-INTERLEAVED MEMORY

机译:交错和非交错存储器的存储器控​​制器

摘要

A system and method for controlling DRAM wherein a memory subsystem can be populated by end users with any of a variety of DRAM chips. A memory controller will size each memory bank and determine whether paired memory banks are to be configured as interleaved or non-interleaved based upon the detected DRAM population. Bank selection logic is designed to account for both size and status (interleaved or non-interleaved) when determining which memory bank contains a memory location of interest. Row and column addressing is selected to minimize decoding of an incoming system address and reduce DRAM access time.
机译:一种用于控制DRAM的系统和方法,其中,最终用户可以使用各种DRAM芯片中的任何一个来填充存储子系统。存储器控制器将确定每个存储器组的大小,并根据检测到的DRAM填充量确定将成对的存储器组配置为交错还是非交错。当确定哪个存储库包含目标存储位置时,存储体选择逻辑旨在考虑大小和状态(交错或非交错)。选择行和列寻址可最大程度地减少传入系统地址的解码并减少DRAM访问时间。

著录项

  • 公开/公告号WO9639664A1

    专利类型

  • 公开/公告日1996-12-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 APPLE COMPUTER INC.;

    申请/专利号WO1996US08496

  • 发明设计人 NUNZIATA ANN B.;

    申请日1996-06-03

  • 分类号G06F12/06;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-22 03:22:09

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