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PRODUCTION OF SPUTTERING TARGET FOR USE AND REUSE IN THIN FILM VAPOR DEPOSITION, AND SPUTTERING VAPOR DEPOSITION TARGET

机译:制作用于薄膜蒸气沉积中并重复使用的溅射靶材,以及溅射蒸气沉积靶材

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a sputtering target and for repairing it so that it can be used and reused in the physical vapor deposition of thin film onto a semiconductor device. SOLUTION: A target base shell (12, 22) is coated by a thermal spraying technique with a source material (14, 24) to be vapor-deposited as thin film. When the source material (14, 24) is eroded during the process of physical vapor deposition, the target (10, 20) can be repaired by applying coating again. This method can be used for both the conventional sputtering target (29) and the newly-developed hollow cathode magnetron sputtering target (10).
机译:解决的问题:提供一种用于制造溅射靶并对其进行修复的方法,使得其可以在将薄膜物理气相沉积到半导体器件上时使用和再利用。解决方案:通过热喷涂技术在目标底壳(12、22)上涂覆源材料(14、24),然后将其气相沉积成薄膜。当在物理气相沉积过程中侵蚀源材料(14、24)时,可以通过再次涂覆涂层来修复靶材(10、20)。该方法可用于常规溅射靶(29)和新开发的空心阴极磁控管溅射靶(10)。

著录项

  • 公开/公告号JP2000256843A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PRAXAIR ST TECHNOL INC;

    申请/专利号JP20000056209

  • 发明设计人 LAM RAYMOND K F;TONY SHIKA;CHII-FAN ROO;

    申请日2000-03-01

  • 分类号C23C14/34;C23C4/12;C23C16/513;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 02:04:10

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