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Test structure for measurement of multilayered interconnect capacitance for VLSI technology

机译:用于VLSI技术的多层互连电容测量的测试结构

摘要

Structure for testing multilayer integrated circuits, where each layer has its own conducting tracks. The test structure comprises an ammeter (7) connected between a power input (8) and an earth (6) and at least two circuit branches. Circuit breakers (9,11) are arranged so that the capacitance between two circuit tracks (1,2) can be determined. The first branch comprises a first breaker (9) between the ammeter and a first track (1), and the second branch has a similar arrangement of breaker between ammeter and second track (2).
机译:用于测试多层集成电路的结构,其中每一层都有自己的导电轨迹。该测试结构包括连接在功率输入端(8)和地线(6)之间的电流表(7)以及至少两个电路分支。布置断路器(9,11),以便可以确定两个电路迹线(1,2)之间的电容。第一分支在电流表和第一轨道(1)之间包括第一断路器(9),第二分支在电流表和第二轨道(2)之间具有断路器的类似布置。

著录项

  • 公开/公告号FR2780162A1

    专利类型

  • 公开/公告日1999-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS SA;

    申请/专利号FR19980007788

  • 发明设计人 FROMENT BENOIT;

    申请日1998-06-19

  • 分类号G01R31/28;G01R27/16;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 01:39:51

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