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Database and method for measurement correction for cross- sectional carrier profiling techniques

机译:用于截面载体轮廓技术的测量校正的数据库和方法

摘要

A database method and method of using the database for determining the carrier concentration profile of a semiconductor, wherein the database includes a first set of first data, the first data being a correction factor; and a second set of second data, each of the second data including first and a second set of parameters, the first set of parameters characterizing the carrier concentration profile and the second set of parameters characterizing the measurement technique. Each data of the first set of first data is obtained from one data of the second set of data through simulation or calculation.
机译:一种数据库方法以及使用该数据库确定半导体的载流子浓度分布的方法,其中该数据库包括第一组第一数据,该第一数据是校正因子;以及第二组第二数据,每个第二数据包括第一组参数和第二组参数,第一组参数表征载流子浓度曲线,第二组参数表征测量技术。通过模拟或计算从第二数据集的一个数据获得第一数据集的第一数据。

著录项

  • 公开/公告号US5995912A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IMEC VZW;

    申请/专利号US19970840390

  • 申请日1997-04-29

  • 分类号G01R27/02;G01R27/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:38:53

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