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MASK PATTERN VERIFICATION APPARATUS EMPLOYING SUPER-RESOLUTION TECHNIQUE MASK PATTERN VERIFICATION METHOD EMPLOYING SUPER-RESOLUTION TECHNIQUE AND MEDIUM WITH PROGRAM THEREOF

机译:运用超分辨技术的掩模图案验证装置及其程序中的媒介运用超分辨技术和介质的掩模图案验证装置及其程序

摘要

The mask pattern verifying apparatus includes a semiconductor circuit layout section for generating layout data from semiconductor circuit data, and a super resolution for verifying a pattern of layout data generated by the semiconductor circuit layout section on the basis of the pitch plus the line width and the space width. The cantour is based on the corresponding pattern verification unit, the optical simulation unit for performing optical simulation of the error point of the pitch detected by the super-resolution pattern verification unit, and outputting the light intensity, and the light intensity output by the optical simulation unit. It includes a cantour output unit for generating and outputting.
机译:掩模图案验证设备包括:半导体电路布局部分,用于从半导体电路数据生成布局数据;以及超分辨率,用于基于间距加上线宽和线宽来验证由半导体电路布局部分生成的布局数据的模式。空间宽度。 cantour基于相应的图案验证单元,光学仿真单元,该光学仿真单元用于对由超分辨率图案验证单元检测到的间距的误差点进行光学仿真,并输出光强度,以及由光输出的光强度。模拟单元。它包括一个cantour输出单元,用于生成和输出。

著录项

  • 公开/公告号KR100300833B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 미쓰비시덴키 가부시키가이샤;

    申请/专利号KR19980051396

  • 发明设计人 쯔꾸다 에이지;

    申请日1998-11-27

  • 分类号G03F1/08;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:12:09

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