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机译:具有改进的interfacc的电学和形态学特征的碳化硅上形成接触欧姆的方法
公开/公告号ITVA20020003D0
专利类型
公开/公告日2002-01-16
原文格式PDF
申请/专利权人 STMICROELECTRONICS SRL;
申请/专利号IT2002VA00003
发明设计人 ROCCAFORTE FABRIZIO;SAGGIO MARIO;LA VIA FRANCESCO;
申请日2002-01-16
分类号
国家 IT
入库时间 2022-08-22 00:42:22
机译: 具有改进的interfacc的电学和形态学特征的碳化硅上形成接触欧姆的方法
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