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Coplanar waveguide with a low impedance on silicon substrate with the use of a material with a high dielectric constant

机译:使用高介电常数的材料在硅衬底上具有低阻抗的共面波导

摘要

A coplanar waveguide on a carrier (2) arranged parallel, of each other an electrically insulating intermediate space (8), which conductor strip (5, 6, 7), is characterized in that on the conductor strips on its side facing away from the carrier, a material with a high dielectric constant is arranged. This makes it possible for a line section with a relatively small characteristic impedance can be realized.
机译:在载体(2)上的共面波导彼此平行地布置有电绝缘的中间空间(8),该导体带(5、6、7)的特征在于,在导体带的背离导体的一侧上。在载体中,设置具有高介电常数的材料。这使得可以实现具有相对较小的特性阻抗的线段。

著录项

  • 公开/公告号DE10119717A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ALCATEL PARIS FR;

    申请/专利号DE2001119717

  • 申请日2001-04-21

  • 分类号H01P3/08;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 00:26:57

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