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Circuit topology for bi-directional energy transfer has error amplifier that provides control signal for MOSFET gate connections, compares output voltage actual values with desired value

机译:双向能量传输的电路拓扑具有误差放大器,该误差放大器为MOSFET栅极连接提供控制信号,将输出电压实际值与所需值进行比较

摘要

The arrangement has two lines, each with a MOSFET (20,22), whereby the MOSFETs are connected with their gate and source connections with a resistance connected between the connected source and gate connections. An error amplifier (28) that provides a control signal for the gate connections compares an actual value of each output voltage (U1,U2) with a desired value for a reference voltage.
机译:该装置有两条线,每条线都带有一个MOSFET(20,22),由此MOSFET的栅极和源极连接在一起,电阻连接在连接的源极和栅极之间。为栅极连接提供控制信号的误差放大器(28)将每个输出电压(U1,U2)的实际值与参考电压的期望值进行比较。

著录项

  • 公开/公告号DE10129353C1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE2001129353

  • 发明设计人 RUDOLPH TOM;KRAMMES STEFAN;HEBDING UWE;

    申请日2001-06-19

  • 分类号H03K17/687;H02J7/00;G05B24/02;H02J1/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 00:26:57

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