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机译:在平面技术中具有高介电损耗的基板上,微波的压控振荡器的插入位置
公开/公告号DE69801505T2
专利类型
公开/公告日2002-04-11
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS INFORMATION AND COMMUNICATION NETWORKS S.P.A. MAILAND/MILANO;
申请/专利号DE1998601505T
发明设计人 BUOLI CARLO;MORA GIOVANNI;
申请日1998-06-24
分类号H03B5/18;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 00:24:51
机译: 在高介电损耗基底上实施平面技术的微波VCO