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Indium phosphide-based vertical-cavity surface-emitting laser

机译:磷化铟基垂直腔面发射激光器

摘要

A vertical-cavity surface-emitting laser comprises one or more quantum well layers and one or more barrier layers to define an gain region, a first mirror means and a second mirror means, wherein the first and second mirror means define a resonator. Moreover, the vertical-cavity surface-emitting laser further comprises a first indium phosphide layer adjacent to the gain region and a second indium phosphide layer adjacent to the gain region to define a laser cavity.
机译:垂直腔表面发射激光器包括一个或多个量子阱层和一个或多个阻挡层以限定增益区域,第一镜装置和第二镜装置,其中第一和第二镜装置限定谐振器。此外,垂直腔表面发射激光器还包括与增益区域相邻的第一磷化铟层和与增益区域相邻的第二磷化铟层,以限定激光腔。

著录项

  • 公开/公告号US2003103543A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOSER MICHAEL;ALMUNEAU GUILHEM;

    申请/专利号US20020244343

  • 发明设计人 MICHAEL MOSER;GUILHEM ALMUNEAU;

    申请日2002-09-16

  • 分类号H01S5/183;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:09:08

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